一种多芯片并联电路瞬态电流和热分布不均匀度的测试方法技术

本申请提供的一种多芯片并联电路瞬态电流和热分布不均匀度的测试方法，包括：采用第一小检测电流测试多芯片并联电路的第一体二极管结压降，进而通入第一脉宽tH的瞬态功率；采用第二小检测电流测试多芯片并联电路的第二体二极管结压降；根据所述第一体二极管结压降和所述第二体二极管结压降获得△VF1；采用第三小检测电流测试多芯片并联电路的第三体二极管结压降，进而通入第一脉宽tH的瞬态功率；采用第四小检测电流测试多芯片并联电路的第四体二极管结压降；根据所述第三体二极管结压降和所述第四体二极管结压降获得△VF2；根据所述△VF2和△VF1获得△VF。解决现有技术中测试结果表征不明显，只能进行半定量的热分布不均匀度的判定的技术问题。

A test method for transient current and heat distribution inhomogeneity of multichip parallel circuits

A testing method for transient current and heat distribution inhomogeneity of a multi chip parallel circuit is provided in this application. The first small detection current is used to test the first diode junction voltage drop of a multi chip parallel circuit and then pass through the transient power of the first pulse width tH; the second small detection current is used to test the multichip parallel circuit. The two body diode has a pressure drop; a delta diode junction voltage drop and the second body diode junction voltage drop are obtained according to the integrated diode junction voltage drop. The third small detection current is used to test the third body diode junction voltage drop of the multi chip parallel circuit and then to enter the transient power of the first pulse width of tH, and the fourth small detection current is used to test the multi chip parallel power. The fourth body diode junction pressure drop of the road is obtained; Delta VF2 is obtained according to the third body diode junction pressure drop and the fourth body diode junction pressure drop; Delta VF is obtained according to the delta VF2 and delta VF1. To solve the technical problem that the characterization of test results in the existing technology is not obvious, only semi quantitative determination of the non-uniformity of heat distribution can be carried out.

【技术实现步骤摘要】
一种多芯片并联电路瞬态电流和热分布不均匀度的测试方法
本专利技术涉及功率器件
，特别涉及一种多芯片并联电路瞬态电流和热分布不均匀度的测试方法。
技术介绍
随着电力电子系统电压电流等级越来越高，具有高功率密度、高可靠性多芯片功率模块应运而生，其中，多芯片/多器件瞬态电流及热分布不均一直是功率芯片或器件并联应用中急需解决的问题。现有技术中，通过采用不同的小电流IM对单个晶体管体二极管的结压降进行测试，依据小电流具有过趋热效应的原理即检测电流IM越小则越趋向于发热器件，当器件温度分布不均匀时，采用不同的小电流检测结压降并利用热温度系数获得器件大致温度，绘制曲线以观察是否呈现出温度梯度性变化，以此判定多芯片/多器件并联是否存在结温热分布不均匀程度。但本申请专利技术人在实现本申请实施例中专利技术技术方案的过程中，发现上述技术至少存在如下技术问题：现有技术中的测试方法测试过程复杂，测试结果对瞬态电流及热分布的不均匀度的表征不明显，且此办法只能进行半定量的热不均匀度的判定，应用性差，并未应用到功率器件实际测试中。
技术实现思路
本申请实施例通过提供一种多芯片并联电路瞬态电流和热分布不均匀度的测试方法，解决了现有技术中的测试方法测试过程复杂，测试结果的表征不明显，以及现有技术只能进行半定量的热不均匀度的判定，应用性差的技术问题，达到了适用于不同类功率器件的多芯片或多器件并联不均匀度的判定，应用性强，且此测试方法简单易行，可以大大的减少测试成本的技术效果。鉴于上述问题，提出了本申请实施例以便提供一种克服上述问题的一种多芯片并联电路瞬态电流和热分布不均匀度的测试方法，所述方法包括：采用第一小检测电流IM测试多芯片并联电路的第一体二极管结压降，进而通入第一脉宽tH的瞬态功率P＝VH*IH；采用第二小检测电流IM测试多芯片并联电路的第二体二极管结压降，其中第二体二极管结压降小于第一体二极管结压降；根据所述第一体二极管结压降和所述第二体二极管结压降获得△VF1，其中，△VF1为所述第一体二极管结压降和所述第二体二极管结压降之差；采用第三小检测电流IM测试多芯片并联电路的第三体二极管结压降，进而通入第一脉宽tH的瞬态功率P＝VH*IH；采用第四小检测电流IM测试多芯片并联电路的第四体二极管结压降，其中第四体二极管结压降小于第三体二极管结压降；根据所述第三体二极管结压降和所述第四体二极管结压降获得△VF2，其中，△VF2为所述第三体二极管结压降和所述第四体二极管结压降之差，四次测试采用的小检测电流IM相同；根据所述△VF2和△VF1获得△VF，其中△VF＝△VF2-△VF1，其中，所述△VF表示所述多芯片并联电路瞬态电流和热分布的均匀度。优选的，在所述采用第三小检测电流IM测试多芯片并联电路的第三体二极管结压降之前，所述方法还包括：间隔预定脉宽时间Interval-t，所述预定脉宽间隔时间Interval-t保持电路具有一定温升。优选的，所述方法还包括：通过瞬态功率测试装置将所述电路并联的多芯片间产生一定的温度梯度。优选的，所述通过瞬态功率测试装置将所述电路并联的多芯片间产生一定的温度梯度，还包括：参照所述电路的额定功率设定预定的电压VH、电流IH、加电时间tH、施加功率结束后至体二极管结压降测试时间tMD、体二极管结压降检测电流IM及脉冲间隔时间Interval-t，使所述瞬态功率测试装置施加功率后将所述电路并联的多芯片间产生一定的温度梯度。本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：本申请实施例提供的一种多芯片并联电路瞬态电流和热分布不均匀度的测试方法，通过采用第一小检测电流IM测试多芯片并联电路的第一体二极管结压降，进而通入第一脉宽tH的瞬态功率P＝VH*IH；采用第二小检测电流IM测试多芯片并联电路的第二体二极管结压降，其中第二体二极管结压降小于第一体二极管结压降；根据所述第一体二极管结压降和所述第二体二极管结压降获得△VF1，其中，△VF1为所述第一体二极管结压降和所述第二体二极管结压降之差；采用第三小检测电流IM测试多芯片并联电路的第三体二极管结压降，进而通入第一脉宽tH的瞬态功率P＝VH*IH；采用第四小检测电流IM测试多芯片并联电路的第四体二极管结压降，其中第四体二极管结压降小于第三体二极管结压降；根据所述第三体二极管结压降和所述第四体二极管结压降获得△VF2，其中，△VF2为所述第三体二极管结压降和所述第四体二极管结压降之差，四次测试采用的小检测电流IM相同；根据所述△VF2和△VF1获得△VF，其中△VF＝△VF2-△VF1，其中，所述△VF表示所述多芯片并联电路瞬态电流和热分布的均匀度，且偏差量越大则代表并联器件间越不均匀。解决了现有技术中的测试方法测试过程复杂，测试结果的表征不明显，以及现有测试方法只能进行半定量的热分布不均匀度的判定，且应用性差的技术问题，达到了适用于不同类功率器件的多芯片或多器件并联不均匀度的判定，并可应用于生产筛选当中定量的判定多芯片并联模块或多器件并联电路的均匀程度，且此测试方法简单易行，可以大大的减少测试成本的技术效果。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本专利技术的具体实施方式。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的一种多芯片并联电路瞬态电流和热分布不均匀度的测试方法的流程示意图。具体实施方式本申请实施例提供的一种多芯片并联电路瞬态电流和热分布不均匀度的测试方法，解决了现有技术中的测试方法测试过程复杂，测试结果的表征程度不明显的问题，以及现有测试方法只能进行半定量的热不均匀度的判定，应用性差的技术问题。本申请实施例中的技术方案，总体方法如下：采用第一小检测电流IM测试多芯片并联电路的第一体二极管结压降，进而通入第一脉宽tH的瞬态功率P＝VH*IH；采用第二小检测电流IM测试多芯片并联电路的第二体二极管结压降，其中第二体二极管结压降小于第一体二极管结压降；根据所述第一体二极管结压降和所述第二体二极管结压降获得△VF1，其中，△VF1为所述第一体二极管结压降和所述第二体二极管结压降之差；采用第三小检测电流IM测试多芯片并联电路的第三体二极管结压降，进而通入第一脉宽tH的瞬态功率P＝VH*IH；采用第四小检测电流IM测试多芯片并联电路的第四体二极管结压降，其中第四体二极管结压降小于第三体二极管结压降；根据所述第三体二极管结压降和所述第四体二极管结压降获得△VF2，其中，△VF2为所述第三体二极管结压降和所述第四体二极管结压降之差，四次测试采用的小检测电流IM相同；根据所述△VF2和△VF1获得△VF，其中△VF＝△VF2-△VF1，其中，所述△VF表示所述多芯片并联电路瞬态电流和热分布的均匀度。达到了适用于不同类功率器件的多芯片或多器件并联不均匀度的判定，应用性强，且此测试方法简单易行，可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多芯片并联电路瞬态电流和热分布不均匀度的测试方法，其特征在于，所述方法包括：采用第一小检测电流IM测试多芯片并联电路的第一体二极管结压降，进而通入第一脉宽tH的瞬态功率P＝VH*IH；采用第二小检测电流IM测试多芯片并联电路的第二体二极管结压降，其中第二体二极管结压降小于第一体二极管结压降；根据所述第一体二极管结压降和所述第二体二极管结压降获得△VF1，其中，△VF1为所述第一体二极管结压降和所述第二体二极管结压降之差；采用第三小检测电流IM测试多芯片并联电路的第三体二极管结压降，进而通入第一脉宽tH的瞬态功率P＝VH*IH；采用第四小检测电流IM测试多芯片并联电路的第四体二极管结压降，其中第四体二极管结压降小于第三体二极管结压降；根据所述第三体二极管结压降和所述第四体二极管结压降获得△VF2，其中，△VF2为所述第三体二极管结压降和所述第四体二极管结压降之差；根据所述△VF2和△VF1获得△VF，其中△VF＝△VF2‑△VF1，其中，所述△VF表示所述多芯片并联电路瞬态电流和热分布的均匀度。

【技术特征摘要】
1.一种多芯片并联电路瞬态电流和热分布不均匀度的测试方法，其特征在于，所述方法包括：采用第一小检测电流IM测试多芯片并联电路的第一体二极管结压降，进而通入第一脉宽tH的瞬态功率P＝VH*IH；采用第二小检测电流IM测试多芯片并联电路的第二体二极管结压降，其中第二体二极管结压降小于第一体二极管结压降；根据所述第一体二极管结压降和所述第二体二极管结压降获得△VF1，其中，△VF1为所述第一体二极管结压降和所述第二体二极管结压降之差；采用第三小检测电流IM测试多芯片并联电路的第三体二极管结压降，进而通入第一脉宽tH的瞬态功率P＝VH*IH；采用第四小检测电流IM测试多芯片并联电路的第四体二极管结压降，其中第四体二极管结压降小于第三体二极管结压降；根据所述第三体二极管结压降和所述第四体二极管结压降获得△VF2，其中，△VF2为所述第三体二极管结压降和所述第四体二极管结压降之差；根据所述△VF2和△VF1获得△...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏洪源，赵发展，李晶，罗家俊，瞿磊，席茜，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11