一种晶片的倒边方法技术

本发明专利技术实施例提供一种晶片的倒边方法，涉及材料加工技术领域。其中，该方法包括：将晶片、研磨砂、研磨球和缓冲液混合，置于滚筒中，在转速为560pm的条件下转动10min，得到倒边后的晶片，其中，晶片的数量与研磨砂的质量、研磨球的质量以及缓冲液的体积的比值为500件：5g：10g：10mL，研磨珠直径5mm，缓冲液为分散剂和防锈剂的水溶液，其中分散剂、防锈剂和水的质量比为0.5：0.1：1，分散剂为三乙基己基磷酸和聚丙烯酰胺中的至少一种，防锈剂为烷基醇酰胺和柠檬酸钠中的至少一种。通过将、研磨砂、研磨球和缓冲液混合，得到倒边的晶片，不需要更换研磨砂，操作流程简单还可以的提高倒边效率。

An upside down method for a wafer

The embodiment of the invention provides a wafer edge inversion method, which relates to the field of material processing technology. Among them, the method includes: mixing the chip, grinding sand, grinding ball and buffer liquid, placing it in the roller, turning 10min at the speed of 560pm to get the wafer after the reverse side, in which the ratio of the number of the chip to the quality of the abrasive, the quality of the grinding ball and the volume of the buffer is 500: 5g:10g:10mL, The diameter of the bead is 5mm, and the buffer solution is a water solution of dispersant and antirust agent, in which the mass ratio of dispersant, antirust agent and water is 0.5:0.1:1, and at least one of the dispersants is three ethyl hexyl phosphoric acid and polyacrylamide, and the antirust agent is at least one of alkyl alcohol amides and sodium citrate. By mixing the grinding sand, the grinding ball and the buffer solution, the inverted wafer is obtained, and the grinding sand is not needed. The operation process is simple and the reverse edge efficiency can be improved.

【技术实现步骤摘要】
一种晶片的倒边方法
本专利技术属于材料加工
，尤其涉及一种晶片的倒边方法。
技术介绍
石英晶片是目前使用较为广泛的一种半导体材料。在制备石英晶片的工艺中，需要进行倒边，通常使用三种方法：1、利用研磨砂和石英晶片放入到滚筒内进行倒边；2、在石英晶片表面覆膜，与水、研磨砂、钢珠一起加入到滚筒内倒边；3、利用刻蚀的方法倒边。然而，上述方法1在倒边过程中需要多次更换研磨砂，时间长，研磨砂的耗材多。方法2可以节省研磨砂的使用量和倒边时间，但是，在倒边之前需要在石英晶片表面覆膜，完成倒边后再脱膜，工序复杂繁琐。方法3需要精密的设备来实施刻蚀，设备成本高，目前效率低。
技术实现思路
本专利技术提供一种晶片的倒边方法，旨在解决现有的倒边方法耗材多、工序繁琐，效率低的问题。本专利技术提供一种晶片的倒边方法，包括：将晶片、研磨砂、研磨球和缓冲液混合，置于滚筒中，在转速为50-560rpm的条件下转动10-3000min，得到倒边后的晶片；其中，晶片的数量与研磨砂的质量、研磨球的质量以及缓冲液的体积的比值为500-50000件：5-500g：10～500g：10～500mL；缓冲液为分散剂和防锈剂的水溶液，其中分散剂、防锈剂和水的质量比为0.2～0.7：0.05～0.2：1～1000，分散剂为三乙基己基磷酸和聚丙烯酰胺中的至少一种，防锈剂为烷基醇酰胺和柠檬酸钠中的至少一种。本专利技术实施例提供一种石英晶片的倒边方法，通过将、研磨砂、研磨球和缓冲液混合并与晶片在转速为50-560rpm的条件下滚动，得到倒边的晶片。该方法不需要更换研磨砂，操作流程简单，不仅减少材料的消耗，还可以大幅度的提高倒边效率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例。图1是本专利技术实施例提供的一种晶片的倒边的工艺示意图；图2是本专利技术实施例5提供的倒边石英晶片的阻抗分布图。具体实施方式为使得本专利技术的专利技术目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而非全部实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供一种晶片的倒边方法，包括：将晶片、研磨砂、研磨球和缓冲液混合，置于滚筒中，在转速为50-560rpm的条件下转动10-30000min，得到倒边后的晶片；其中，晶片的数量与研磨砂的质量、研磨球的质量以及缓冲液的体积的比值为500-50000件：5-500g：10～500g：10～500mL；缓冲液为分散剂和防锈剂的水溶液，其中分散剂、防锈剂和水的质量比为0.2～0.7：0.05～0.2：1～1000，分散剂为三乙基己基磷酸和聚丙烯酰胺中的至少一种，防锈剂为烷基醇酰胺和柠檬酸钠中的至少一种。本专利技术实施例提供一种晶片的倒边方法，通过将研磨砂、研磨球和缓冲液混合并与晶片在转速为50-560rpm的条件下滚动，得到倒边的晶片。如图1所示，图1为本专利技术实施例提供的晶片倒边工艺的示意图，该方法不需要更换研磨砂，操作流程简单，不仅减少耗材的消耗，还可以大幅度的提高倒边效率。具体地，晶片为石英晶片、硅晶片、碳化硅晶片或氮化镓晶片等其它晶片，其尺寸为：长<3mm、宽<2mm和厚<0.2mm。优选地，晶片为石英晶片。具体地，研磨砂为氧化铝、碳化硅、金属和研磨物料中的一种。其粒径为1～100微米。优选地，研磨砂的粒径为30～100微米。具体地，研磨球为铜珠、钢珠和瓷珠中的至少一种，其直径为0.3～5mm。优选地，研磨球为包含直径为0.3～2.5mm的多个大小不一的钢珠。优选地，在进行晶片倒边时的转速为200rpm，转动时间为100～1500min，更优选地，转动时间为500～1000min。优选地，晶片的数量与研磨砂的质量、研磨球的质量以及缓冲液的体积的比值为2000件：20～80g：100～300g：100～300mL。优选地，缓冲液中，三乙基己基磷酸、烷基醇酰胺与水的质量比为0.5：0.1：500，聚丙烯酰胺、柠檬酸钠与水的质量比为0.4：0.15：800。实施例1将2000片尺寸为0.6mm*0.4mm*0.03mm的石英晶片、5g研磨砂、10g研磨球以及10mL缓冲液混合，在转速为140rpm的条件下转动30min，得到倒边后的晶片，其中，缓冲液中，三乙基己基磷酸、烷基醇酰胺与水的质量比为0.5：0.1：500。实施例2将30000片尺寸为2mm*1.5mm*0.2mm的石英晶片、100g研磨砂、500g研磨球以及500mL缓冲液混合，在转速为260rpm的条件下转动2000min，得到倒边后的晶片，其中，缓冲液中，聚丙烯酰胺、柠檬酸钠与水的质量比为0.2：0.05：1。实施例3将5000片尺寸为1mm*1mm*0.05mm的石英晶片、50g研磨砂、80g研磨球以及100mL缓冲液混合，在转速为200rpm的条件下转动500min，得到倒边后的晶片，其中，缓冲液中，聚丙烯酰胺、烷基醇酰胺与水的质量比为0.4：0.15：800。实施例4将10000片尺寸为1.2mm*1.5mm*0.08mm的石英晶片、80g研磨砂、100g研磨球以及150mL缓冲液混合，在转速为250rpm的条件下转动300min，得到倒边后的晶片，其中，缓冲液中，三乙基己基磷酸、柠檬酸钠与水的质量比为0.4：0.15：800。实施例5将8000片尺寸为1mm*1mm*0.05mm的石英晶片、50g研磨砂、80g研磨球以及100mL缓冲液混合，在转速为180rpm的条件下转动200min，得到倒边后的晶片，其中，缓冲液中，三乙基己基磷酸、柠檬酸钠与水的质量比为0.4：0.15：800。统计实施例5倒边后的石英晶片边缘对称性好，组装成的成品电气参数好，其中阻抗分布图如图2所示，由图2可见，实施例1制备得到的石英晶片组装成品后，产品的阻抗一致性好。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片的倒边方法，其特征在于，所述方法包括：将晶片、研磨砂、研磨球和缓冲液混合，置于滚筒中，在转速为50‑560rpm的条件下转动10‑3000min，得到倒边后的晶片；其中，晶片的数量与研磨砂的质量、研磨球的质量以及缓冲液的体积的比值为500‑50000件：5‑500g：10～500g：10～500mL；缓冲液为分散剂和防锈剂的水溶液，其中分散剂、防锈剂和水的质量比为0.2～0.7：0.05～0.2：1～1000，分散剂为三乙基己基磷酸和聚丙烯酰胺中的至少一种，防锈剂为烷基醇酰胺和柠檬酸钠中的至少一种。

【技术特征摘要】
1.一种晶片的倒边方法，其特征在于，所述方法包括：将晶片、研磨砂、研磨球和缓冲液混合，置于滚筒中，在转速为50-560rpm的条件下转动10-3000min，得到倒边后的晶片；其中，晶片的数量与研磨砂的质量、研磨球的质量以及缓冲液的体积的比值为500-50000件：5-500g：10～500g：10～500mL；缓冲液为分散剂和防锈剂的水溶液，其中分散剂、防锈剂和水的质量比为0.2～0.7：0.05～0.2：1～1000，分散剂为三乙基己基磷酸和聚丙...

【专利技术属性】
技术研发人员：李小菊，赵敏，蒋振声，候书超，唐健玻，谢俊超，
申请(专利权)人：应达利电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44