一种阵列基板及其制备方法、显示面板及其制备方法技术

本发明专利技术的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板及其制备方法，涉及显示技术领域，可改善由于工艺原因导致的产品设计余量减小的问题。一种阵列基板的制备方法，包括：在衬底上通过一次构图工艺形成图案形状相同的半导体层和源漏金属层，所述源漏金属层在所述衬底上的正投影覆盖所述半导体层在所述衬底上的正投影；所述源漏金属层包括数据线和与所述数据线连接的金属电极；在形成有所述半导体层和所述源漏金属层的衬底上，通过一次构图工艺至少形成第一透明电极，并形成沟道区，所述沟道区使所述金属电极形成源极和漏极，所述源极与所述数据线连接。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法、显示面板及其制备方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板及其制备方法。
技术介绍
液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，简称LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等优点，在显示领域中占据了主导地位。液晶显示器中的液晶显示面板包括阵列基板、对盒基板以为位于二者之间的液晶层。阵列基板作为液晶显示器的核心，其制备工艺一直以来都都到广泛关注。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板及其制备方法，可改善由于工艺原因导致的产品设计余量减小的问题。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：第一方面，提供一种阵列基板的制备方法，包括：在衬底上通过一次构图工艺形成图案形状相同的半导体层和源漏金属层，所述源漏金属层在所述衬底上的正投影覆盖所述半导体层在所述衬底上的正投影；所述源漏金属层包括数据线和与所述数据线连接的金属电极；在形成有所述半导体层和所述源漏金属层的衬底上，通过一次构图工艺至少形成第一透明电极，并形成沟道区，所述沟道区使所述金属电极形成源极和漏极，所述源极与所述数据线连接。优选的，在衬底上通过一次构图工艺形成所述半导体层和所述源漏金属层，包括：依次形成半导体薄膜、金属薄膜，并形成第一光刻胶层；采用单色调掩膜板对所述第一光刻胶层进行曝光，显影后对所述金属薄膜进行刻蚀，形成所述源漏金属层；对显影后剩余的所述第一光刻胶层进行灰化，使剩余的所述第一光刻胶层的边缘位于所述源漏金属层的边缘以内；对所述半导体薄膜进行干法刻蚀，形成所述半导体层。优选的，在形成有所述半导体层和所述源漏金属层的衬底上，通过一次构图工艺形成第一透明电极，并形成沟道区，包括：在形成有所述半导体层和所述源漏金属层的衬底上，形成透明导电薄膜，并形成第二光刻胶层；采用半色调或灰色调掩膜板对所述第二光刻胶层进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分和光刻胶完全去除部分；所述光刻胶完全保留部分与待形成的所述第一透明电极对应，所述光刻胶半保留部分与所述数据线、待形成的所述源极和所述漏极对应，所述光刻胶完全去除部分与其他区域对应；对所述透明导电薄膜和所述源漏金属层进行刻蚀，形成所述第一透明电极、所述沟道区，同时形成位于所述数据线、所述源极和所述漏极上方的透明电极保留图案；采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分；对所述透明电极保留图案进行刻蚀，以去除所述透明电极保留图案；去除所述光刻胶完全保留部分。进一步可选的，所述半导体层包括a-si层和n+a-si层；采用刻蚀工艺对所述透明电极保留图案进行刻蚀之后，去除所述光刻胶完全保留部分之前，所述方法还包括：对n+a-si层进行刻蚀，形成欧姆接触层。优选的，所述源漏金属层的材料包括Cu。优选的，在形成有所述第一透明电极的衬底上，形成钝化层和第二透明电极；其中，所述第一透明电极为像素电极，所述第二透明电极为公共电极，所述第一透明电极与所述漏极连接；所述第二透明电极覆盖所述数据线；或者，所述第一透明电极为公共电极，所述第二透明电极为像素电极，所述第二透明电极通过过孔与所述漏极连接；所述方法还包括形成与所述第二透明电极同层且绝缘的保留图案，所述保留图案覆盖所述数据线。第二方面，提供一种显示面板的制备方法，包括：通过第一方面所述阵列基板的制备方法形成阵列基板。第三方面，提供一种阵列基板，包括：衬底、设置于所述衬底上的半导体层、源极、漏极、数据线和第一透明电极；所述源极在所述衬底上的正投影覆盖所述半导体层与所述源极对应的部分在所述衬底上的正投影，所述漏极在所述衬底上的正投影覆盖所述半导体层与所述漏极对应的部分在所述衬底上的正投影，所述数据线在所述衬底上的正投影覆盖所述半导体层与所述数据线对应的部分在所述衬底上的正投影。优选的，所述阵列基板还包括钝化层和第二透明电极；其中，所述第一透明电极为像素电极，所述第二透明电极为公共电极，所述第一透明电极与所述漏极连接；所述第二透明电极覆盖所述数据线；或者，所述第一透明电极为公共电极，所述第二透明电极为像素电极，所述第二透明电极通过过孔与所述漏极连接；所述阵列基板还包括形成与所述第二透明电极同层且绝缘的保留图案，所述保留图案覆盖所述数据线。第四方面，提供一种显示面板，包括第三方面所述的阵列基板。本专利技术的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板及其制备方法，一方面，仅通过两次构图工艺来可形成半导体层、数据线、源极和漏极、以及第一透明电极，构图工艺次数较少，可降低成本；另一方面，由于通过一次构图工艺形成的半导体层和源漏金属层的尺寸相等，因此，相对容易出现半导体层的边缘超出源漏金属层，导致产品设计余量减小，本专利技术可改善此问题，从而可提高产品的品质。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1a为本专利技术提供的一种在衬底上通过一次构图工艺形成图案形状相同且尺寸相等的半导体层和源漏金属层的俯视示意图；图1b为图1a中AA′向剖视示意图；图1c为图1a中BB′向剖视示意图；图2a为在图1a基础上通过一次构图工艺形成第一透明电极、透明电极保留图案，并形成沟道区的俯视示意图一；图2b为图2a中CC′向剖视示意图；图3a为在图1a基础上通过一次构图工艺形成第一透明电极、透明电极保留图案，并形成沟道区的俯视示意图二；图3b为图3a中DD′向剖视示意图；图4a为在图1a基础上通过一次构图工艺形成第一透明电极61，并形成沟道区的俯视示意图；图4b为图4a中EE′向剖视示意图；图5为本专利技术提供的一种通过一次构图工艺形成图案形状相同且尺寸相等的半导体层和源漏金属层的流程示意图；图6为本专利技术提供的一种形成图案形状相同且尺寸相等的半导体层和源漏金属层的过程示意图一；图7为本专利技术提供的一种形成图案形状相同且尺寸相等的半导体层和源漏金属层的过程示意图二；图8a为半导体层的边缘超出位于其上方源漏金属层的边缘的俯视示意图；图8b为图8a中FF′向剖视示意图；图8c为图8a中M指示的虚线框中图案层的放大示意图；图9为本专利技术提供的一种通过一次构图工艺形成第一透明电极并形成沟道区的流程示意图；图10为本专利技术提供的一种形成第一透明电极并形成沟道区的过程示意图；图11a-图11c为位于数据线上方的透明电极保留图案出现位置偏差的示意图；图12为当半导体层包括a-si层和n+a-si层时，对半导体层进行刻蚀的示意图；图13为本专利技术提供的一种阵列基板的示意图一；图14为本专利技术提供的一种阵列基板的示意图二。附图标记：10-衬底；20-栅金属层；21-栅极；22-栅线；23-公共电极线；30-栅绝缘层；40-半导体层；401-半导体薄膜；50-源漏金属层；51-数据线；52-金属电极；53-源极；54-漏极；501-金属薄膜；61-第一透明电极；62-透明电极保留图案；601-透明导电薄膜；70-第二光刻胶层；71-光刻胶完全保留部分；72-光刻胶半保留部分；80-第二透明电极；81-保留图案。具体实施方式下本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上通过一次构图工艺形成图案形状相同的半导体层和源漏金属层，所述源漏金属层在所述衬底上的正投影覆盖所述半导体层在所述衬底上的正投影；所述源漏金属层包括数据线和与所述数据线连接的金属电极；在形成有所述半导体层和所述源漏金属层的衬底上，通过一次构图工艺至少形成第一透明电极，并形成沟道区，所述沟道区使所述金属电极形成源极和漏极，所述源极与所述数据线连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上通过一次构图工艺形成图案形状相同的半导体层和源漏金属层，所述源漏金属层在所述衬底上的正投影覆盖所述半导体层在所述衬底上的正投影；所述源漏金属层包括数据线和与所述数据线连接的金属电极；在形成有所述半导体层和所述源漏金属层的衬底上，通过一次构图工艺至少形成第一透明电极，并形成沟道区，所述沟道区使所述金属电极形成源极和漏极，所述源极与所述数据线连接。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在衬底上通过一次构图工艺形成所述半导体层和所述源漏金属层，包括：依次形成半导体薄膜、金属薄膜，并形成第一光刻胶层；采用单色调掩膜板对所述第一光刻胶层进行曝光，显影后对所述金属薄膜进行刻蚀，形成所述源漏金属层；对显影后剩余的所述第一光刻胶层进行灰化，使剩余的所述第一光刻胶层的边缘位于所述源漏金属层的边缘以内；对所述半导体薄膜进行干法刻蚀，形成所述半导体层。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成有所述半导体层和所述源漏金属层的衬底上，通过一次构图工艺形成第一透明电极，并形成沟道区，包括：在形成有所述半导体层和所述源漏金属层的衬底上，形成透明导电薄膜，并形成第二光刻胶层；采用半色调或灰色调掩膜板对所述第二光刻胶层进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分和光刻胶完全去除部分；所述光刻胶完全保留部分与待形成的所述第一透明电极对应，所述光刻胶半保留部分与所述数据线、待形成的所述源极和所述漏极对应，所述光刻胶完全去除部分与其他区域对应；对所述透明导电薄膜和所述源漏金属层进行刻蚀，形成所述第一透明电极、所述沟道区，同时形成位于所述数据线、所述源极和所述漏极上方的透明电极保留图案；采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分；对所述透明电极保留图案进行刻蚀，以去除所述透明电极保留图案；去除所述光刻胶完全保留部分。4.根据权利要求3所述的制备方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔承镇，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11