FFS模式阵列基板及其制造方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种FFS模式阵列基板的制造方法，所述FFS模式阵列基板包括垂直结构薄膜晶体管，所述方法包括：提供基板；在基板上依序沉积透明半导体层和第一金属层,通过第一光罩图案化所述透明半导体层和第一金属层形成共通电极和栅极；从下到上依序沉积栅极绝缘层、氧化物半导体层和第二金属层；通过第二光罩图案化所述氧化物半导体层和第二金属层形成有源层、像素电极、源极和漏极，其中，所述源极和漏极分别位于有源层的两侧上，所述漏极与所述像素电极电连接；沉积钝化层，且通过第三光罩图案化所述钝化层形成过孔。本发明专利技术实施例还公开了一种FFS模式阵列基板。采用本发明专利技术，具有简化制程、降低成本的优点。

【技术实现步骤摘要】
FFS模式阵列基板及其制造方法
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种FFS模式阵列基板及其制造方法。
技术介绍
现有的FFS模式液晶显示装置，因为具有高亮度，广视角，以及较低的色偏等优点，而成为行业研究的热点。FFS模式液晶显示装置包括FFS模式阵列基板，一般说来，所述FFS模式阵列基板普遍需要5道以上的光罩，制备工艺复杂，成本也相对较高。在上述的FFS模式阵列基板中，其内的薄膜晶体管为BCE结构或者Top-gate结构，随着技术的进步，最近产品上出现了垂直结构的薄膜晶体管，包含该种垂直结构的薄膜晶体管的FFS模式阵列基板请参见图1，该种FFS模式阵列基板包括基板110、源极121、共通电极122、平坦层130、第一绝缘层140、像素电极150、有源层160、栅极绝缘层170和栅极180等膜层，虽然该种垂直结构的薄膜晶体管可以做的很小，可以提高FFS模式液晶显示装置开口率。然而，由于垂直结构薄膜晶体管本身复杂，此种结构进一步使FFS阵列基板结构复杂化，所需要的光罩数目更多，成本更高。
技术实现思路
本专利技术实施例所要解决的技术问题在于，提供一种FFS模式阵列基板及其制造方法。可简本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种FFS模式阵列基板的制造方法，其特征在于，所述FFS模式阵列基板包括垂直结构薄膜晶体管，所述方法包括：提供基板；在基板上依序沉积透明半导体层和第一金属层，所述第一金属层位于透明半导体层上；通过第一光罩图案化所述透明半导体层和第一金属层形成共通电极和栅极；从下到上依序沉积栅极绝缘层、氧化物半导体层和第二金属层；通过第二光罩图案化所述氧化物半导体层和第二金属层形成有源层、像素电极、源极和漏极，其中，所述源极和漏极分别位于有源层的两侧上，所述漏极与所述像素电极电连接；沉积钝化层，且通过第三光罩图案化所述钝化层形成过孔。

【技术特征摘要】
1.一种FFS模式阵列基板的制造方法，其特征在于，所述FFS模式阵列基板包括垂直结构薄膜晶体管，所述方法包括：提供基板；在基板上依序沉积透明半导体层和第一金属层，所述第一金属层位于透明半导体层上；通过第一光罩图案化所述透明半导体层和第一金属层形成共通电极和栅极；从下到上依序沉积栅极绝缘层、氧化物半导体层和第二金属层；通过第二光罩图案化所述氧化物半导体层和第二金属层形成有源层、像素电极、源极和漏极，其中，所述源极和漏极分别位于有源层的两侧上，所述漏极与所述像素电极电连接；沉积钝化层，且通过第三光罩图案化所述钝化层形成过孔。2.如权利要求1所述的FFS模式阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述在基板上依序沉积透明半导体层和第一金属层，所述第一金属层位于透明半导体层上的步骤之后还包括：通过所述第一光罩图案化所述第一金属层和透明半导体层,还形成共通走线和扫描线，所述共通走线与所述共通电极电连接，所述扫描线与所述栅极电连接。3.如权利要求1所述的FFS模式阵列基板的制造方法，其特征在于，所述有源层为“Z”型。4.如权利要求1所述的FFS模式阵列基板的制造方法，其特征在于，所述像素电极由氧化物半导体层图案化后掺杂氢离子...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓永，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44