一种增强显影后光刻胶粘附性的方法技术
【技术实现步骤摘要】
一种增强显影后光刻胶粘附性的方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是指一种增强显影后光刻胶粘附性的方法。
技术介绍
在半导体制造过程中，光刻工艺是重要的一步，是将设计版图转移到硅片上的主要方法。光刻的本质是把临时电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上，这些结构首先以图形形式只做在名为掩膜版的石英模板上。紫外光透过掩膜版把图形转移到硅片的表面的光敏薄膜上。通常的光刻是这样进行的：首先将光刻胶旋转涂覆在清洗脱水的硅片上，待软烘坚膜后进行对准及曝光，然后烘焙及显影，掩膜版的图案就转移到了光刻胶上。然后基于光刻胶的图形进行刻蚀，光刻胶的图形就进一步转移到光刻胶下方的半导体材料上。后续进行离子注入，对特定区域进行掺杂。高剂量的离子注入工艺，由于注入剂量高，注入时间长，热量会在硅片表面积聚，会导致光刻胶边缘翘曲剥离翘曲（peeling现象），即光刻胶与硅片之间发生分离。所以进行离子注入工艺前必须增强光刻胶与硅片表面的粘附性，从而扩大工艺宽容度（margin）。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种增强显影后光刻胶粘附性的方法，以解决高剂量注入时光刻胶剥离的问题。为解决上述问题，本专利技术所述的一种增强显影后光刻胶粘附性的方法：包含如下的工艺步骤：第一步，涂覆光刻胶；第二步，光刻胶曝光及显影；第三步，光刻胶对准测量；第四步，光刻胶关键尺寸测量；第五步，深紫外光曝光坚膜（UVQ）；第六步，使用去离子水对硅片进行清洗浸润；第七步，进行高剂量的离子注入；第八步，去除光刻胶；第九步，光刻胶去胶检查。进一步地，所述光刻胶，采用正性光刻胶，或者负性光刻胶；涂...
【技术保护点】
一种增强显影后光刻胶粘附性的方法，其特征在于：包含如下的工艺步骤：第一步，涂覆光刻胶；第二步，光刻胶曝光及显影；第三步，光刻胶对准测量；第四步，光刻胶关键尺寸测量；第五步，深紫外光曝光坚膜；第六步，使用去离子水对硅片进行清洗浸润；第七步，进行高剂量的离子注入；第八步，去除光刻胶；第九步，光刻胶去胶检查。
【技术特征摘要】
1.一种增强显影后光刻胶粘附性的方法，其特征在于：包含如下的工艺步骤：第一步，涂覆光刻胶；第二步，光刻胶曝光及显影；第三步，光刻胶对准测量；第四步，光刻胶关键尺寸测量；第五步，深紫外光曝光坚膜；第六步，使用去离子水对硅片进行清洗浸润；第七步，进行高剂量的离子注入；第八步，去除光刻胶；第九步，光刻胶去胶检查。2.如权利要求1所述的增强显影后光刻胶粘附性的方法，其特征在于：所述光刻胶，采用正性光刻胶，或者负性光刻胶；涂覆工艺采用旋转涂胶法。3.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：宗立超，王星杰，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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