【技术实现步骤摘要】
带NTC热敏电阻的IGBT模块的温度预测方法
本专利技术涉及一种带NTC热敏电阻的IGBT模块的温度预测方法。
技术介绍
IGBT模块为由绝缘栅双极型晶体管与续流二极管通过特定的电路桥接封装而成的半导体模块,封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上;IGBT模块的运行温度是非常重要的参数,关乎设备的正常运行。如图1所示,IGBT模块1通常由桥接的6个绝缘栅双极型晶体管11和一个NTC热敏电阻12构成,通过NTC热敏电阻12实时检测IGBT模块1的运行温度,实现IGBT模块1的过温保护。但在实际应用中,由于NTC热敏电阻在IGBT模块上的设置位置差异,其检测的温度与IGBT模块的实际运行温度存在一定的误差,并且在IGBT模块大电流运行状态时,NTC热敏电阻的温度检测存在一定的滞后现象,导致IGBT模块的过温保护存在偏差,影响IGBT模块设备的正常运行,严重的情况可能损坏IGBT模块。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种带NTC热敏电阻的IGBT模块的温度预测方法,本方法克服了传统IGBT模块过温保护的缺陷,准确得到IGBT模块的运行温度,从而实现更准确的IGBT模块过温保护,确保IGBT模块设备的正常运行。为解决上述技术问题,本专利技术带NTC热敏电阻的IGBT模块的温度预测方法包括如下步骤:步骤一、通过电流传感器检测IGBT模块的当前运行电流I;步骤二、根据运行电流I通过下式计算IGBT模块的当前损耗,其中:a、b、c是由IGBT模块参数决定的系数,a代表IGBT模块内阻导通损耗,b代表IGBT模块导通压降形成的损耗,c ...
【技术保护点】
一种带NTC热敏电阻的IGBT模块的温度预测方法,其特征在于本方法包括如下步骤:步骤一、通过电流传感器检测IGBT模块的当前运行电流I;步骤二、根据运行电流I通过下式计算IGBT模块的当前损耗
【技术特征摘要】
1.一种带NTC热敏电阻的IGBT模块的温度预测方法,其特征在于本方法包括如下步骤:步骤一、通过电流传感器检测IGBT模块的当前运行电流I;步骤二、根据运行电流I通过下式计算IGBT模块的当前损耗,其中:a、b、c是由IGBT模块参数决定的系数,a代表IGBT模块内阻导通损耗,b代表IGBT模块...
【专利技术属性】
技术研发人员:鲍建波,曾侃,
申请(专利权)人:上海大郡动力控制技术有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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