本发明专利技术的静电吸盘(13)具备：电介质层(41)，其具备板状的托盘支承部(41a)和基板支承部(41b)，托盘支承部(41a)具有表面(41S)，基板支承部(41b)从表面(41S)突出；基板用电极(42)，其位于基板支承部(41b)的内部，用于将基板吸附于基板支承部(41b)；以及托盘用电极(43)，其位于托盘支承部(41a)的内部，用于将供载置基板的托盘吸附于托盘支承部(41a)。
Electrostatic sucker and plasma treatment device
The invention of the electrostatic chuck (13) comprises a dielectric layer (41), the support plate has a tray (41a) and substrate support (41b), (41a) has the support tray surface (41S), a substrate supporting department (41b) from the surface (41S) electrode substrate (prominent; 42), located in the substrate supporting part (41b) of the interior, for the substrate adsorbed on the substrate supporting part (41b); and (43), the electrode tray in the tray supporting part (41a) of the interior, for carrying a tray for substrate adsorbed on the tray support (41a).
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】静电吸盘及等离子处理装置
本专利技术关于一种静电吸附基板的静电吸盘以及具备静电吸盘而对处理对象进行预定处理的等离子处理装置。现有技术已知有具备能够一次吸附多个基板的静电吸盘的蚀刻装置。静电吸盘具备电介质层和多个电极。电介质层具备：具有板状的托盘支承部；以及从托盘支承部的1个面突出的多个基板支承部，各基板支承部支承1张基板。电极逐一位于各基板支承部的内部。支承于静电吸盘的多个基板在搭载于1个托盘状态下搬送至静电吸盘。托盘具有与静电吸盘能吸附的基板数量相同的数量的贯穿孔，各基板以堵塞1个贯穿孔的方式配置于托盘上。托盘被配置于静电吸盘上时，电介质层的各基板支承部穿过1个贯穿孔。藉此，基板从托盘被送交至基板支承部，且托盘被支承于托盘支承部。而后，在收纳静电吸盘的空间内生成等离子，对电极施加电压，从而静电吸盘吸附基板，且蚀刻基板。基板的蚀刻结束时，托盘从托盘支承部离开，从而基板从静电吸盘被送交托盘(例如，参照专利文献1)。【现有技术文献】【专利文献】专利文献1：日本特开2011-3913号公报
技术实现思路
(专利技术所欲解决的课题)然而，因为托盘亦与多个基板一起暴露于等离子，所以托盘会因等离子而被加热。藉此，基板会藉由来自托盘的辐射热而被加热。基板上蚀刻的结果有时会因基板被辐射热加热而受到影响。因而，希望抑制托盘的加热。此种情况不限于蚀刻装置，具备上述静电吸盘的CVD装置、及溅镀装置等等离子处理装置亦同样。本专利技术的目的为提供一种能抑制托盘加热的静电吸盘、及等离子处理装置。(解决问题的手段)本专利技术的一种方式为静电吸盘。静电吸盘具备：电介质层，其具备板状的托盘支承部和基板支承部，托盘支承部具有表面，基板支承部从所述表面突出；基板用电极，其位于所述基板支承部的内部，用于将基板吸附于所述基板支承部；以及托盘用电极，其位于所述托盘支承部的内部，用于将供载置所述基板的托盘吸附于所述托盘支承部。本专利技术的其他方式涉及等离子处理装置。等离子处理装置具备：静电吸盘；以及腔室，其划定出收纳所述静电吸盘的空间；且所述静电吸盘是上述静电吸盘。采用上述构成时，静电吸盘除了吸附作为处理对象的基板之外，还吸附载置基板的托盘。因而，托盘暴露于等离子时，托盘与静电吸盘接合的物体，换言之，具有将托盘的热容量与静电吸盘的热容量相加的热容量的物体暴露于等离子。另外，在托盘未吸附于静电吸盘状态下暴露于等离子时，托盘仅具有托盘单体的热容量。因而，采用上述构成时，与不吸附托盘的构成比较，因为会是具有比托盘单体中的热容量还大与静电吸盘所具有的热容量对应的部分的热容量的物体暴露于等离子，所以能抑制该物体中所包含的托盘的加热。在上述静电吸盘中，所述托盘用电极亦可在所述电介质层的厚度方向不与所述基板用电极重叠。静电吸盘可用于作为等离子处理装置的一例的等离子蚀刻装置所搭载的静电吸盘。将静电吸盘搭载于蚀刻装置时，可使用静电吸盘具备的基板用电极作为用于对基板施加偏压电位的电极。采用上述构成时，对基板用电极供给用于施加偏压电位的高频电力时，可抑制基板用电极与托盘用电极耦合，亦即抑制从基板用电极供给高频电力至托盘用电极。在上述静电吸盘中，所述托盘支承部亦可具有冷却气体流路，其供用于冷却所述托盘的冷却气体流动，且在所述表面中具有位于未被所述基板支承部覆盖的部分的多个开口。所述静电吸盘在所述表面中亦可进一步具备密封层，其构成为通过覆盖未被所述基板支承部覆盖的部分而堵塞所述多个开口，且通过被所述冷却气体冷却来冷却所述托盘。采用上述构成时，能够通过藉由密封层抑制冷却气体从静电吸盘与托盘之间泄漏，并经由密封层冷却托盘。在上述处理装置中，所述基板支承部是多个基板支承部中的1个，所述基板用电极是多个基板用电极中的1个，多个所述基板用电极彼此并联连接构成并联电路。进一步具备高频电源，其对各个所述基板用电极分别供给高频电力，且将400kHz以上且4MHz以下的高频电力供给至各个所述基板用电极。本案专利技术人就供给至多个基板用电极的高频电力积极研究中发现以下事项。亦即，本案专利技术人发现对多个基板用电极分别供给的高频电力的频率为400kHz以上且4MHz以下时，与将具有超过该范围的频率的高频电力供给至各基板用电极相比，暴露于等离子的多个基板间不易产生温度分布。就这一点，采用上述构成时，因为等离子处理装置具备将400kHz以上且4MHz以下的高频电力供给至各基板用电极的高频电源，所以抑制在多个基板间产生温度分布。在上述等离子处理装置中，所述托盘用电极与对所述托盘用电极施加直流电压且抑制对所述托盘用电极传播高频电力的抑制部串联连接而构成串联托盘电路，所述串联托盘电路亦可与多个所述基板用电极并联连接而构成并联电路。所述等离子处理装置进一步具备直流电源，其对所述串联托盘电路及多个所述基板用电极分别施加直流电压，所述高频电源亦可对所述串联托盘电路及多个所述基板用电极分别供给高频电力。采用上述构成时，可对构成并联电路的多个基板用电极及托盘用电极分别施加直流电压，且抑制对托盘用电极传播高频电力。附图说明图1是示出将本专利技术的等离子处理装置作为等离子蚀刻装置而具体化的一种实施方式中的等离子蚀刻装置的构成的方块图。图2是示出将本专利技术的静电吸盘具体化的一种实施方式中的剖面构造的剖面图。图3是示出静电吸盘具备的电介质层的平面构造俯视图。图4是示意性地示出用于对静电吸盘供给电力的电气构成的方块图。图5是与载置于托盘的基板的剖面构造一起示出托盘的剖面构造的剖面图。图6是用于说明静电吸盘的作用的作用图。图7是用于说明试验例中的电力供给点的俯视图。图8是示出静电吸盘的变形例中的剖面构造的剖面图。具体实施方式参照图1至图7说明将静电吸盘及等离子处理装置具体化的一种实施方式。以下，说明将等离子处理装置作为等离子蚀刻装置而具体化的例。此外，以下依序说明等离子蚀刻装置的构成、静电吸盘的构成、静电吸盘的作用、及试验例。[等离子蚀刻装置的构成]参照图1说明等离子蚀刻装置的构成。如图1所示，等离子蚀刻装置10具备腔室主体11，腔室主体11具有有底筒体形状，腔室主体11的上侧开口被石英板12密封。腔室主体11和石英板12构成腔室的一例，在由腔室主体11和石英板12划定的空间、即腔室空间11S中收纳有静电吸盘13以及支承静电吸盘13的载台14，静电吸盘13吸附作为蚀刻对象的多个基板S以及载置多个基板S的托盘T。内置于静电吸盘13的电极连接于吸附用电源15(直流电源)及偏压用电源16(高频电源)。吸附用电源15将直流电压施加于电极，偏压用电源16将400kHz以上且4MHz以下的高频电力供给至电极。在静电吸盘13连接有对静电吸盘13具有的冷却气体流路供给冷却气体的冷却气体供给部17。冷却气体供给部17例如为质量流控制器，其供给作为冷却气体的氦气。在静电吸盘13连接有对静电吸盘13具有的冷媒流路供给冷媒的冷媒供给部18。冷媒供给部18例如为泵，其在冷媒流路中使作为冷媒的冷却水等循环。ICP天线21相对于石英板12位于腔室空间11S相反侧。ICP天线21例如由具有在基板S的周向卷绕两圈半的螺旋形状的2段线圈构成。ICP天线21具有：在螺旋形状中作为中心侧的端部的输入端子21I；以及在螺旋形状中作为外侧的端部的输出端子21O。ICP天线21的输入端子2本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种静电吸盘，其具备：电介质层，其具备板状的托盘支承部和基板支承部，托盘支承部具有表面，基板支承部从所述表面突出；基板用电极，其位于所述基板支承部的内部，用于将基板吸附于所述基板支承部；以及托盘用电极，其位于所述托盘支承部的内部，用于将供载置所述基板的托盘吸附于所述托盘支承部。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.05.09 JP 2016-0939471.一种静电吸盘，其具备：电介质层，其具备板状的托盘支承部和基板支承部，托盘支承部具有表面，基板支承部从所述表面突出；基板用电极，其位于所述基板支承部的内部，用于将基板吸附于所述基板支承部；以及托盘用电极，其位于所述托盘支承部的内部，用于将供载置所述基板的托盘吸附于所述托盘支承部。2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中，所述托盘用电极在所述电介质层的厚度方向不与所述基板用电极重叠。3.根据权利要求1或2所述的静电吸盘，其中，所述托盘支承部具有冷却气体流路，其供用于冷却所述托盘的冷却气体流动，且在所述表面中具有位于未被所述基板支承部覆盖的部分的多个开口，在所述表面中进一步具备密封层，其构成为通过覆盖未被所述基板支承部覆盖的部分而堵塞所述多个开口，且通过被所述冷却气体冷却来冷却所述托盘。4.一种等离子处理装置，其具备：...
【专利技术属性】
技术研发人员：酒田现示，横尾秀和，相原强，北河胜，渡边章，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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