半导体装置的制造方法以及抗蚀玻璃制造方法及图纸

一种半导体装置的制造方法，包含将形成于半导体基板表面的氧化膜部分去除的氧化膜去除工序，其特征在于：所述氧化膜去除工序包括：第一工序，在不运用光刻工序的情况下在所述氧化膜的上方面上选择性地形成抗蚀玻璃层；第二工序，对所述抗蚀玻璃层进行烧制从而使该抗蚀玻璃层致密化；以及第三工序，以所述抗蚀玻璃层为掩膜将所述氧化膜部分去除，其中，所述抗蚀玻璃层由至少含有SiO2、B2O3、Al2O3、CaO、MgO以及BaO中的至少两种碱土类金属氧化物的、并且，实质上不含有Pb、As、Sb、Li、Na、K、Zn的抗蚀玻璃所构成。通过本发明专利技术的半导体装置的制造方法，就能够在氧化膜形成工序中不易发生硅外露等的不良情况，并且能够以高生产性来制造半导体装置。

The manufacturing method of the semiconductor device and the corrosion resistant glass

A method for manufacturing a semiconductor device, the oxide film formed on a semiconductor substrate includes the removal of the surface oxide film removal process, which is characterized in that the oxide film removal process includes: the first step, the resist layer on the glass in the oxide film is selectively formed on the case without the use of photolithography process; process second and on the resist glass layer is fired so that the corrosion of glass layer densification; and the third step to the glass resist layer as a mask of the oxide film removal part, among them, and the resist layer is composed of glass containing at least SiO2 B2O3, Al2O3, CaO, MgO, and BaO at least two of the alkaline earth metal oxides, and does not substantially contain Pb, As, Sb, Li, Na, K, Zn anti corrosion glass. Through the manufacturing method of the semiconductor device of the invention, it is not easy to produce bad conditions such as silicon exposure in the process of forming oxide film, and is able to manufacture semiconductor devices with high productivity.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法以及抗蚀玻璃
本专利技术涉及半导体装置的制造方法以及抗蚀玻璃(Resistglass)。
技术介绍
以往，包含有将形成于半导体基板表面的氧化膜部分去除的氧化膜去除工序的半导体装置的制造方法已被普遍认知(例如，参照专利文献1)。以往的半导体装置的制造方法如图9所示，依次包括：半导体基板准备工序(省略图示)，准备在主面上具有平行pn结的，并且主面被氧化膜916所覆盖的半导体基板910；沟槽形成工序(参照图9(a))，通过从半导体基板910一方的主面形成深度超过pn结的沟槽920，从而在沟槽920的内部形成pn结露出部；玻璃层形成工序(参照图9(b))，形成玻璃层922使其覆盖沟槽920内部的pn结露出部；光刻胶(Photoresist)层形成工序(参照图9(c))，形成光刻胶层924(由有机光刻胶构成)使其覆盖玻璃层922；氧化膜去除工序(参照图9(d))，将光刻胶层924作为掩膜，将形成于半导体基板910表面的氧化膜916通过蚀刻部分去除；光刻胶层去除工序(省略图示)，将光刻胶层924去除；以及电极形成工序(参照图9(e))，在形成电极的部位930上形成电极934。根据以往的半导体装置的制造方法，通过在沟槽920内部形成用于钝化(Passivation)的玻璃层922之后将半导体基板进行切割，就能够制造高可靠性的台面型半导体装置。【先行技术文献】【专利文献1】特开2004-87955号公报然而，在以往的半导体装置的制造方法中，由于玻璃层922的表面并非是平坦的，因此在光刻胶层形成工序中光刻胶层924的厚度容易产生不均一的情况(参照图10(a))。所以，在将光刻胶层924形成得较薄的情况下，在氧化膜去除工序中蚀刻液就可能会从光刻胶层924中较薄的部分侵入至玻璃层922处，从而导致玻璃层922被蚀刻液侵蚀后产生硅外露等的不良情况(参照图10(b)以及图10(c))。另外，近年来，在半导体装置的技术邻域中，也在寻求具有高生产性的半导体装置的制造方法。因此，鉴于上述的情况，本专利技术的目的为提供一种半导体装置的制造方法，能够在氧化膜形成工序中不易发生硅外露等的不良情况，并且能够以高生产性来制造半导体装置。以及，提供一种用于该半导体的制造方法的抗蚀玻璃。
技术实现思路
【1】本专利技术的半导体装置的制造方法，包含将形成于半导体基板表面的氧化膜部分去除的氧化膜去除工序，其特征在于：所述氧化膜去除工序包括：第一工序，在不运用光刻工序的情况下在所述氧化膜的上方面上选择性地形成抗蚀玻璃层；第二工序，对所述抗蚀玻璃层进行烧制从而使该抗蚀玻璃层致密化；以及第三工序，以所述抗蚀玻璃层为掩膜将所述氧化膜部分去除，其中，所述抗蚀玻璃层由至少含有SiO2、B2O3、Al2O3、CaO、MgO、以及BaO中的至少两种碱土类金属氧化物的、并且，实质上不含有Pb、As、Sb、Li、Na、K、Zn的抗蚀玻璃所构成。【2】在本专利技术的半导体的制造方法中，理想的情况是：所述抗蚀玻璃中SiO2的含量在58mol％～72mol％范围内、B2O3的含量在7mol％～17mol％范围内、Al2O3的含量在7mol％～17mol％范围内、碱土类金属氧化物的含量在6mol％～16mol％范围内。【3】本专利技术的半导体装置的制造方法，包含将形成于半导体基板表面的氧化膜部分去除的氧化膜去除工序，其特征在于：所述氧化膜去除工序包括：第一工序，在不使用光刻工序的情况下在所述氧化膜的上方面上选择性地形成抗蚀玻璃层；第二工序，对所述抗蚀玻璃层进行烧制从而使该抗蚀玻璃层致密化；以及第三工序，以所述抗蚀玻璃层为掩膜将所述氧化膜部分去除，其中，所述抗蚀玻璃层由至少含有SiO2、B2O3、Al2O3、ZnO、CaO、MgO、以及BaO中的至少两种碱土类金属氧化物的、并且，实质上不含有Pb、As、Sb、Li、Na、K的、SiO2的含量在50mol％～65mol％范围内的、B2O3的含量在8mol％～18mol％范围内的、Al2O3的含量在4mol％～15mol％范围内的、ZnO的含量在4mol％～14mol％范围内的、碱土类金属氧化物的含量在6mol％～16mol％范围内的抗蚀玻璃所构成。【4】在本专利技术的半导体的制造方法中，理想的情况是：在所述氧化膜去除工序之后，不包含去除所述抗蚀玻璃层的工序。【5】在本专利技术的半导体的制造方法中，理想的情况是：在所述第三工序中，使用含有氟酸的蚀刻液去除所述氧化膜。【6】在本专利技术的半导体的制造方法中，理想的情况是：在所述氧化膜去除工序之前，依次包含有：半导体基板准备工序，准备在主面上具有平行pn结，并且主面被氧化膜覆盖的半导体基板；以及沟槽形成工序，通过从所述半导体基板一方的主面形成深度超过pn结的沟槽，从而在所述沟槽的内部形成pn结露出部，其中，在所述第一工序中，通过电泳法，在所述氧化膜的上方面中所述沟槽周围的区域以及所述沟槽的内面形成所述抗蚀玻璃层，在所述第三工序中，以所述抗蚀玻璃层为掩膜去除所述氧化膜，在所述氧化膜去除工序之后，包含电极形成工序，在所述第三工序中所述氧化膜已被去除的区域上形成电极。【7】在本专利技术的半导体的制造方法中，理想的情况是：在所述氧化膜去除工序之前，依次包含有：准备具有pn结露出于表面的pn结露出部的半导体基板的工序；以及在所述半导体基板的表面形成氧化膜的工序，其中，在所述第一工序中，通过屏幕印刷法，在所述氧化膜的上方面中经由所述氧化膜覆盖所述pn结露出部的区域上形成所述抗蚀玻璃层，在所述第三工序中，以所述抗蚀玻璃层为掩膜去除所述氧化膜，在所述氧化膜去除工序之后，包含电极形成工序，在所述第三工序中所述氧化膜已被去除的区域上形成电极。【8】本专利技术的抗蚀玻璃，其特征在于：至少含有SiO2、B2O3、Al2O3、ZnO、CaO、MgO以及BaO中的至少两种碱土类金属氧化物，并且，实质上不含有Pb、As、Sb、Li、Na、K。【9】本专利技术的抗蚀玻璃，至少含有SiO2、B2O3、Al2O3、CaO、MgO以及BaO中的至少两种碱土类金属氧化物，并且，实质上不含有Pb、As、Sb、Li、Na、K、Zn，其特征在于：其中，SiO2的含量在50mol％～65mol％范围内、B2O3的含量在8mol％～18mol％范围内、Al2O3的含量在4mol％～15mol％范围内、ZnO的含量在4mol％～14mol％范围内、碱土类金属氧化物的含量在6mol％～16mol％范围内。专利技术效果根据本专利技术的半导体装置的制造方法，由于抗蚀玻璃层是由上述【1】中所记载的抗蚀玻璃(即，实质上不含有Zn的抗蚀玻璃)或上述【3】中所记载的抗蚀玻璃(即，ZnO的含量在4mol％～14mol％范围内的抗蚀玻璃)所构成，因此从后述的试验例一中也能够明白，所述抗蚀玻璃层是一种对蚀刻液具有高耐性的抗蚀玻璃层。其结果就是：本专利技术的半导体装置的制造方法是一种在氧化膜去除工序中不易发生硅外露等的不良情况的半导体装置的制造方法。另外，根据本专利技术的半导体装置的制造方法，由于抗蚀玻璃层是由上述【1】中所记载的抗蚀玻璃(即，实质上不含有Zn的抗蚀玻璃)或上述【3】中所记载的抗蚀玻璃(即，ZnO的含量在4mol％～14mol％范围内的抗蚀玻璃)所构成，因此从后述的试验例二中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，包含将形成于半导体基板表面的氧化膜部分去除的氧化膜去除工序，其特征在于：所述氧化膜去除工序包括：第一工序，在不运用光刻工序的情况下在所述氧化膜的上方面上选择性地形成抗蚀玻璃层；第二工序，对所述抗蚀玻璃层进行烧制从而使该抗蚀玻璃层致密化；以及第三工序，以所述抗蚀玻璃层为掩膜将所述氧化膜部分去除，其中，所述抗蚀玻璃层由至少含有SiO2、B2O3、Al2O3、CaO、MgO、以及BaO中的至少两种碱土类金属氧化物的、并且，实质上不含有Pb、As、Sb、Li、Na、K、Zn的抗蚀玻璃所构成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置的制造方法，包含将形成于半导体基板表面的氧化膜部分去除的氧化膜去除工序，其特征在于：所述氧化膜去除工序包括：第一工序，在不运用光刻工序的情况下在所述氧化膜的上方面上选择性地形成抗蚀玻璃层；第二工序，对所述抗蚀玻璃层进行烧制从而使该抗蚀玻璃层致密化；以及第三工序，以所述抗蚀玻璃层为掩膜将所述氧化膜部分去除，其中，所述抗蚀玻璃层由至少含有SiO2、B2O3、Al2O3、CaO、MgO、以及BaO中的至少两种碱土类金属氧化物的、并且，实质上不含有Pb、As、Sb、Li、Na、K、Zn的抗蚀玻璃所构成。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：其中，所述抗蚀玻璃中SiO2的含量在58mol％～72mol％范围内、B2O3的含量在7mol％～17mol％范围内、Al2O3的含量在7mol％～17mol％范围内、碱土类金属氧化物的含量在6mol％～16mol％范围内。3.一种半导体装置的制造方法，包含将形成于半导体基板表面的氧化膜部分去除的氧化膜去除工序，其特征在于：所述氧化膜去除工序包括：第一工序，在不使用光刻工序的情况下在所述氧化膜的上方面上选择性地形成抗蚀玻璃层；第二工序，对所述抗蚀玻璃层进行烧制从而使该抗蚀玻璃层致密化；以及第三工序，以所述抗蚀玻璃层为掩膜将所述氧化膜部分去除，其中，所述抗蚀玻璃层由至少含有SiO2、B2O3、Al2O3、ZnO、CaO、MgO、以及BaO中的至少两种碱土类金属氧化物的、并且，实质上不含有Pb、As、Sb、Li、Na、K的、SiO2的含量在50mol％～65mol％范围内的、B2O3的含量在8mol％～18mol％范围内的、Al2O3的含量在4mol％～15mol％范围的、ZnO的含量在4mol％～14mol％范围内的、碱土类金属氧化物的含量在6mol％～16mol％范围内的抗蚀玻璃所构成。4.根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：其中，在所述氧化膜去除工序之后，不包含去除所述抗蚀玻璃层的工序。5.根据权利要求1至4中任意一项所述的半导体装置的制造...

【专利技术属性】
技术研发人员：小笠原淳，
申请(专利权)人：新电元工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP