A landfill method is provided that can be filled in a concave part of a nitriding film without producing gaps and seams in a fine concave part. Repeated film raw material gas adsorption process and the nitriding process and a nitride film is formed in the recess and the recess of the landfill, the film raw material gas adsorption process: the film formed on the surface of the raw gas is processed into substrate adsorption film containing nitride film to the elements are concave; the nitriding process species: Nitriding nitriding gas generated by activation, the membrane material into the adsorption of gas nitriding, during at least a part of the formation of a nitride film set during the bottom-up growth, during the bottom-up growth of polymer materials in the gas phase state of supply can be adsorbed on the surface of the target substrate, the upper part of the the adsorption to the concave part, the adsorption film hinder the raw material gas, the nitride film growth from the bottom of the recess.
【技术实现步骤摘要】
凹部的填埋方法
本专利技术涉及对于凹部填入氮化膜的凹部的填埋方法。
技术介绍
在半导体设备的制造程序中,存在对于硅晶圆所代表的半导体晶圆形成氮化硅膜(SiN膜)等氮化膜作为绝缘膜的成膜处理。在这样的SiN膜的成膜处理中,使用化学蒸镀法(CVD法)。在沟槽内通过CVD法填入SiN膜(CVD-SiN)的情况下,有时会产生空隙、缝,该情况下采取如下方法:进行凹蚀直至产生空隙、缝的部位为止,再度利用CVD法形成SiN膜。然而,最近随着设备的微细化发展,CVD-SiN中,阶梯覆盖(stepcoverage)不充分,即便通过上述手法也难以抑制空隙、缝的产生。作为相比于CVD法能够以良好的阶梯覆盖形成膜的技术,已知有原子层沉积法(ALD法)(例如,专利文献1);在微细沟槽内填入SiN膜时也可以使用ALD法。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2006-351689号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而,随着设备微细化发展,即便利用ALD法也难以在防止空隙、缝的状态下填入SiN膜。因此,本专利技术的课题在于,提供能够在微细的凹部不产生空隙、缝地填入氮化膜的凹部的填埋方法。用于解决问题的方案为了解决上述课题,本专利技术的第一观点在于提供凹部的填埋方法,其特征在于,重复进行成膜原料气体吸附工序和氮化工序,从而在凹部内形成氮化膜而填埋凹部,所述成膜原料气体吸附工序:使表面形成有凹部的被处理基板吸附含有想要成膜的氮化膜的构成元素的成膜原料气体;所述氮化工序:通过活化氮化气体而生成的氮化物种,使前述吸附的成膜原料气体氮化,所述方法中,将形成前述氮化膜的期间的至少一部分设为自 ...
【技术保护点】
一种凹部的填埋方法,其重复进行成膜原料气体吸附工序和氮化工序,从而在凹部内形成氮化膜而填埋凹部,所述成膜原料气体吸附工序:使表面形成有凹部的被处理基板吸附含有想要成膜的氮化膜的构成元素的成膜原料气体;所述氮化工序:通过活化氮化气体而生成的氮化物种,使所述吸附的成膜原料气体氮化;所述方法中,将形成所述氮化膜的期间的至少一部分设为自下而上生长期间,在该自下而上生长期间,以气相状态供给能够吸附于被处理基板的表面的高分子材料,使之吸附于所述凹部的上部,从而阻碍所述成膜原料气体的吸附,使氮化膜自所述凹部的底部生长。
【技术特征摘要】
2016.05.02 JP 2016-0924521.一种凹部的填埋方法,其重复进行成膜原料气体吸附工序和氮化工序,从而在凹部内形成氮化膜而填埋凹部,所述成膜原料气体吸附工序:使表面形成有凹部的被处理基板吸附含有想要成膜的氮化膜的构成元素的成膜原料气体;所述氮化工序:通过活化氮化气体而生成的氮化物种,使所述吸附的成膜原料气体氮化;所述方法中,将形成所述氮化膜的期间的至少一部分设为自下而上生长期间,在该自下而上生长期间,以气相状态供给能够吸附于被处理基板的表面的高分子材料,使之吸附于所述凹部的上部,从而阻碍所述成膜原料气体的吸附,使氮化膜自所述凹部的底部生长。2.根据权利要求1所述的凹部的填埋方法,其特征在于,将形成所述氮化膜的最初的期间设为保形氮化膜形成期间,将其后的期间设为所述自下而上生长期间,在所述保形氮化膜形成期间,在不供给所述高分子材料的条件下重复进行所述成膜原料气体吸附工序和所述氮化工序,从而形成保形氮化膜。3.根据权利要求1或权利要求2所述的凹部的填埋方法,其特征在于,所述自下而上生长期间依次重复:所述成膜原料气体吸附工序、所述氮化工序、以及使所述高分子材料吸附于所述凹部的上部的高分子材料吸附工序。4.一种凹部的填埋方法,其特征在于,在形成于被处理基板表面的凹部形成氮化膜而填埋凹部,其具有第1阶段和第2阶段,第1阶段:重复进行成膜原料气体吸附工序和氮化工序从而在凹部内形成保形氮化膜,所述成膜原料气体吸附工序...
【专利技术属性】
技术研发人员:清水亮,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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