A kind of optical dielectric thin film, Al2O3, silicon film, laser cavity mask preparation method, which includes the preparation method of optical dielectric thin film: placing the substrate in the chamber of electron beam evaporation equipment, vacuum pumping; the argon and nitrogen in high electric field under the bombardment of the surface of the substrate; the target of high energy electron bombardment in batches of optical media, the optical medium particle step pre melting; depositing the optical medium particles on the substrate, complete optical dielectric thin film preparation. The preparation method of the invention without annealing process, to avoid the influence on the optical dielectric thin film optical and mechanical properties of the annealing process, so as to obtain high quality optical dielectric thin film, antireflection film and high reflection film preparation and lay the foundation for a variety of.
【技术实现步骤摘要】
光学介质薄膜、Al2O3、含硅薄膜、激光器腔面膜的制备方法
本专利技术属于光学薄膜制备领域,更具体地涉及一种光学介质薄膜、Al2O3、含硅薄膜、激光器腔面膜的制备方法。
技术介绍
光学薄膜技术是一门交叉性很强的学科,它涉及真空技术、材料科学、精密机械制造、自动控制技术等各个领域。光学薄膜是一类重要的光学元件,可分光透射,分光反射,分光吸收以及改变光的偏振状态或相位,用于各种反射膜、增透膜和干涉滤光片,广泛地应用于现代光学、光学工程以及其他相关的科学
21世纪初光电子技术迅速发展,光学薄膜器件的应用也向着性能要求更高、技术难度更难和器件种类更多等方向迅猛发展,对促进和推动科学技术现代化和仪器微型化起着十分重要的作用。目前在各个新兴科学技术中都得到了广泛的应用。光学薄膜可以采用物理气相学沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)和化学液相沉积(CLD)三种技术来制备,物理气相学沉积(PVD)制备光学薄膜这一技术目前已被广泛采用,从而使各种光学薄膜在各个领域得到广泛的应用。物理气相学沉积根据膜料汽化方式的不同,又分为热蒸发、溅射、离子镀及离子辅助镀技术。但通常在激光器腔面膜的制备过程中,需要有退火过程,而在退火过程中会对激光器的效率、波长等性能产生影响,从而使得激光器的转换效率降低、波长出现漂移等。
技术实现思路
基于以上问题,本专利技术的主要目的在于提供一种光学介质薄膜、Al2O3、含硅薄膜、激光器腔面膜的制备方法,用于解决以上技术问题的至少之一。为了实现上述目的,作为本专利技术的一个方面,本专利技术公开了一种光学介质薄膜的制备方法,包括以下步骤:步骤1、将衬 ...
【技术保护点】
一种光学介质薄膜的制备方法,包括以下步骤:步骤1、将衬底放置在电子束蒸发设备的腔室中,抽真空;步骤2、采用离化的氩气和氮气在高能电场下轰击所述衬底表面;步骤3、高能电子分批次轰击所述光学介质的靶材,对所述光学介质粒子分步预熔;步骤4、在所述衬底上沉积所述光学介质粒子,完成所述光学介质薄膜的制备。
【技术特征摘要】
1.一种光学介质薄膜的制备方法,包括以下步骤:步骤1、将衬底放置在电子束蒸发设备的腔室中,抽真空;步骤2、采用离化的氩气和氮气在高能电场下轰击所述衬底表面;步骤3、高能电子分批次轰击所述光学介质的靶材,对所述光学介质粒子分步预熔;步骤4、在所述衬底上沉积所述光学介质粒子,完成所述光学介质薄膜的制备。2.如权利要求1所述的光学介质薄膜的制备方法,其中,所述步骤1中,所述电子束蒸发设备包括离子源辅助电子束蒸发设备;所述衬底为蓝宝石衬底、GaAs衬底或GaSb衬底;所述衬底的表面起伏均方根为0.1nm数量级;对所述电子束蒸发设备的腔室抽真空时,通过机械泵和低温泵依次运作进行;所述电子束蒸发设备的腔室抽真空后真空度小于等于8×10-6Torr。3.如权利要求1所述的光学介质薄膜的制备方法,其中,所述步骤2中,将衬底加热至150±10℃,保持1800秒后,采用离化的氩气和氮气在高能电场下轰击所述衬底表面;所述离化的氩气和氮气的体积流量比为1∶2;所述离化的氩气和氮气的纯度大于等于99.999%;轰击所述衬底表面的时间为300s;所述离化的氩气和氮气为通过阴极灯丝电流为20±0.5A、阳极驱动电流为1.2±0.1A的离子源离化得到。4.如权利要求1所述的光学介质薄膜的制备方法,其中,所述步骤3中,电子枪发射的高能电子轰击所述光学介质的靶材时,打到所述靶材中心的高能电子的比例与所述光学介质材料的熔点、颗粒大小相匹配。5.如权利要求1所述的光学介质薄膜的制备方法,其中,通过晶体谐振器控制步骤4中沉积所述光学介质粒子的速率;所述晶体谐振器的谐振频率为5989±10KHz。6.如权利要求1所述的光学介质薄膜的制备方法,其中,需要制备所述光学介质薄膜的样品放置在以转速n旋转的转盘上;所述转速n为8.1r/min;所述转盘的半径为30±1cm。7.一种Al2O3薄膜的制备方法,采用如权利要求1至6中任一项所述的光学介质薄膜的制备方法,其中...
【专利技术属性】
技术研发人员:谢圣文,张宇,廖永平,牛智川,
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所,
类型:发明
国别省市:北京,11
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