硅激光器-量子阱混合晶片结合的集成平台制造技术

本发明专利技术揭示一种硅激光器-量子阱混合晶片结合的集成平台。通过将化合物半导体材料的晶片作为有源区结合到硅并移除衬底，可在硅衬底上使用标准光刻技术处理激光器、放大器、调制器和其它装置。根据本发明专利技术的一个或一个以上实施例的硅激光器混合集成装置包括包括在顶部表面中的至少一个波导的绝缘体上硅衬底和包括增益层的化合物半导体衬底，所述化合物半导体衬底经受量子阱混合工艺，其中所述化合物半导体衬底的上表面结合到所述绝缘体上硅衬底的所述顶部表面。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种光子装置，其包括：绝缘体上硅衬底，其包括硅层，所述硅层包括第一波导；以及化合物半导体结构，其包括：第一层，其包括p型化合物半导体；第二层，其包括n型化合物半导体；以及多量子阱(MQW)层，其在所述第一层与所述第二层之间，所述MQW层的特征在于生成态带隙，所述MQW层包括具有第一带隙的第一区，所述第一带隙从所述生成态带隙移动第一移位，所述第一移位基于邻近所述第二层且远离所述第一层的离子植入层；其中所述化合物半导体结构与所述第一波导结合，以使得所述MQW层与所述第一波导以光学方式耦合且所述第二层邻近所述第一波导。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：马修·N·西萨克，约翰·E·鲍尔斯，亚历山大·W·方，玄戴·帕克，
申请(专利权)人：加利福尼亚大学董事会，
类型：发明
国别省市：