感光电路及其驱动方法、电子装置制造方法及图纸

一种感光电路及其驱动方法、电子装置。该感光电路包括感光元件和信号获取电路。感光元件配置为可基于入射到其上光线的强弱改变其阈值特性而产生感光电压信号；信号获取电路配置将感光电压信号转变为感光电流信号。该感光电路及其驱动方法、电子装置实现了基于感光元件的阈值特性改变获取感光电信号。

【技术实现步骤摘要】
感光电路及其驱动方法、电子装置
本公开的实施例涉及一种感光电路及其驱动方法、电子装置。
技术介绍
感光电路可以广泛应用于成像装置、触控装置等电子装置中，感光电路的具体结构和性能对成像装置、触控装置等电子装置的复杂度和性能有着直接的影响。
技术实现思路
本公开的一个实施例提供了一种感光电路，该感光电路包括感光元件和信号获取电路。感光元件配置为可基于入射到其上光线的强弱改变其阈值特性而产生感光电压信号；信号获取电路配置将感光电压信号转变为感光电流信号。本公开的另一个实施例提供了一种电子装置，该电子装置包括上述的感光电路。本公开的再一个实施例提供了一种感光电路的驱动方法，该感光电路的驱动方法包括：在感光阶段，基于入射到感光元件上的光线的强弱改变感光元件的阈值特性，并由此产生感光电压信号，将感光电压信号转变为感光电流信号。附图说明为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，并非对本公开的限制。图1是实施例一提供的一种感光电路的示例性框图；图2是图1所示的感光电路的一种示例性的结构图；图3A是实施例二提供的一种感光电路的示例性框图；图3B是图3A所示的感光电路的一种示例性的结构图；图3C是图3B所示的感光电路的一种示例性的驱动时序图；图4A是实施例三提供的一种电子装置的示例性框图；图4B是一种成像装置的示例性框图；图5是一种感光电路的驱动方法的示例性流程图；以及图6是一种感光电路的电路图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。例如，图6是一种感光电路的电路图，参照图6，该感光电路500包括光电二极管PD、传输晶体管M11、重置晶体管M12、源极跟随器晶体管M13和选择晶体管M14。在重置晶体管M12的栅极RG被施加开启电压且重置晶体管M12开启时，感测节点(即浮置扩散节点FD)的电势增大，直至等于电源电压VDD的电平。源极跟随器晶体管M13和选择晶体管M14对浮置扩散节点FD的电势进行抽样，抽样电势可以作为参考电势。在光感积累阶段期间，当光线入射到光电二极管PD上时，响应于入射光产生电子空穴对(EHP)。在光感积累阶段结束后，当传输晶体管M11的栅极TG被施加开启电压时，在光电二极管PD中积累(或存储)的电荷被传输至浮置扩散节点FD。当与传输的电荷量基本成正比的浮置扩散节点FD的电势显著降低时，源极跟随器晶体管M13的源极电势发生改变。当选择晶体管M14的栅极SEL被施加开启时，选择晶体管M14开启，源极跟随器晶体管M13的源极电压作为输出电压Vout输出。通过测量参考电势与输出电压Vout之间的差值完成光感测。专利技术人注意到例如图6所示的感光电路是基于光电二极管PD输出的电流获取感光信号，并且感光电路输出的感光信号的强度还将受到光电二极管PD和源极跟随器晶体管的自身特性(例如，阈值特性)的影响，由此降低了感光电路阵列输出的感光电信号的均匀性。例如，按照晶体管的特性区分可以将晶体管分为N型和P型晶体管，为了清楚起见，下面本公开的实施例以晶体管为P型晶体管为例详细阐述了本公开的技术方案，然而本公开的实施例的晶体管不限于P型晶体管，本领域技术人员还可以根据实际需要利用N型晶体管实现本公开中的实施例中的一个或多个晶体管，并相应地改变需要施加的控制信号等。这些晶体管例如为薄膜晶体管。本公开的实施例提供了一种感光电路及其驱动方法、电子装置，实现了基于感光元件的阈值特性改变获取感光电信号。本公开的至少一个实施例提供了一种感光电路，该感光电路包括感光元件和信号获取电路。感光元件配置为可基于入射到其上光线的强弱改变其阈值特性而产生感光电压信号；信号获取电路配置将感光电压信号转变为感光电流信号。本公开的至少一个实施例还提供了一种电子装置，该电子装置包括上述的感光电路。本公开的至少一个实施例还提供了一种感光电路的驱动方法，该感光电路的驱动方法包括：在感光阶段，基于入射到感光元件上的光线的强弱改变感光元件的阈值特性，并由此产生感光电压信号，将感光电压信号转变为感光电流信号。下面通过几个实施例对根据本公开实施例的感光电路及其驱动方法、电子装置进行说明。实施例一本实施例提供了一种感光电路100，该感光电路100可以基于感光元件110的阈值特性改变获取感光电信号。例如，图1是实施例一提供的感光电路100的示例性框图。例如，如图1所示，该感光电路100可以包括感光元件110和信号获取电路120。例如，感光元件110和信号获取电路120的具体形式可以根据实际应用需求进行设定，本公开的实施例对此不做具体限定。例如，本公开实施例一提供的感光电路100可以实现为如图2所示的电路。例如，如图1和图2所示，感光元件110可以配置为可基于入射到其上光线的强弱改变其阈值特性(例如，阈值电压特性)而产生感光电压信号。例如，如图2所示，感光元件110可以包括第一晶体管T1。例如，第一晶体管T1的第一端可以配置为接收第一电源电压V1，第一电源电压V1例如可以为恒定的正电压，第一电源电压V1的具体数值例如可以根据实际应用需求进行设定，本公开的实施例对此不做具体限定。例如，第一晶体管T1的第二端可以配置为与其控制端电连接且配置为作为感光元件110的输出端。例如，第一晶体管T1在受到光线(例如红外光或可见光)照射的情况下，其阈值特性(例如，阈值电压特性)会发生改变。例如，第一晶体管T1的具体类型可以根据实际应用需求(例如，所需感测光线的波段)进行选择，第一晶体管T1例如可以为氧化物半导体晶体管，即采用氧化物半导体材料作为晶体管的有源层，该氧化物半导体材料例如可以包括ZnO、MgZnO、Zn-Sn-O(ZTO)、In-Zn-O(IZO)、SnO2、Ga2O3、In-Ga-O(IGO)、In2O3、In-Sn-O(ITO)、In-Ga-Zn-O(IGZO)和InAlZnO(IAZO)等，但本公开的实施例不限于上述具体的氧化物半导体材料。例如，在没有受到光线照射的情况下，第一晶体管T1的阈值电压为Vth1(也即，第一晶体管T1的初始本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种感光电路，包括：感光元件，配置为可基于入射到其上光线的强弱改变其阈值特性而产生感光电压信号；信号获取电路，配置将所述感光电压信号转变为感光电流信号。

【技术特征摘要】
1.一种感光电路，包括：感光元件，配置为可基于入射到其上光线的强弱改变其阈值特性而产生感光电压信号；信号获取电路，配置将所述感光电压信号转变为感光电流信号。2.根据权利要求1所述的感光电路，其中，所述感光元件包括第一晶体管，所述第一晶体管的第一端配置为接收第一电源电压，所述第一晶体管的第二端配置为与其控制端电连接且配置为作为所述感光元件的输出端。3.根据权利要求2所述的感光电路，其中，所述第一晶体管为氧化物半导体晶体管。4.根据权利要求2所述的感光电路，其中，所述信号获取电路包括驱动晶体管，所述驱动晶体管的控制端配置为接收所述感光元件的感光电压信号，所述驱动晶体管的第一端配置为接收第二电源电压，所述驱动晶体管的第二端配置为输出所述感光电流信号。5.根据权利要求4所述的感光电路，其中，所述信号获取电路还包括补偿电路，所述补偿电路配置为对所述驱动晶体管进行补偿，以使所述信号获取电路可输出对应于所述感光元件的阈值电压变化量的所述感光电流信号。6.根据权利要求5所述的感光电路，其中，所述补偿电路包括第一电容、第二晶体管、第一节点和第二节点；所述感光元件的输出端电连接到所述第一节点，所述第一电容的第一端配置为电连接到所述第一节点，所述第一电容的第二端配置为电连接到所述第二节点；所述第二晶体管的第一端配置为电连接到所述第二节点，所述第二晶体管的第二端配置为电连接到所述驱动晶体管的第二端，所述第二晶体管的控制端配置为接收补偿控制信号。7.根据权利要求6所述的感光电路，还包括复位电路，其中，所述复...

【专利技术属性】
技术研发人员：马占洁，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11