一种顶发射OLED器件及制备方法、显示面板技术

本发明专利技术公开了一种顶发射OLED器件及制备方法、显示面板，所述顶发射OLED器件包括依次设置的基板、阳极层、有机功能层、阴极层和电学增强层，其中，所述电学增强层的材料导电性和/或透光性高于所述阴极层的导电性和/或透光性。本发明专利技术通过在顶发射OLED器件的阴极层增加电学增强层，增强阴极层的导电性，减小OLED显示面板中心和边缘区域的压降，使OLED器件的显示更加均匀。

【技术实现步骤摘要】
一种顶发射OLED器件及制备方法、显示面板
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种顶发射OLED器件及制备方法、显示面板。
技术介绍
随着小面积、无源驱动技术的日趋成熟，人们开始转而研究大面积、有缘驱动技术。大尺寸显示一般采用TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)，其中，底发射OLED器件以基板上的阳极层作为出光面，由于TFT设置在基板上，造成开口率低。因此，要实现高亮度的大面积有机发光，需要使用顶发射OLED器件，将出光面与TFT分开，彻底解决开口率低的问题。本申请的专利技术人在长期的研发中发现，现有的顶发射OLED器件制备中，一般采用全反射阳极层和半透明阴极层，但是顶发射OLED器件为了保证阴极的半透明性质，要求阴极的厚度在几十纳米左右，导致阴极层的导电性无法保证，造成大尺寸的OLED显示面板中心和边缘区域存在较大的压降，使显示面板发光的亮度不均匀。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种顶发射OLED器件及制备方法、显示面板，能够增强阴极层的导电性，减小OLED显示面板中心和边缘区域的压降，使OLED器件的显示更加均匀。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是提供一种顶发射OLED器件，包括：依次设置的基板、阳极层、有机功能层、阴极层和电学增强层，其中，所述电学增强层的材料导电性和/或透光性高于所述阴极层的导电性和/或透光性。为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是提供一种顶发射OLED器件的制备方法，包括：S1、在基板上依次制备阳极层、有机功能层和阴极层；S2、在所述阴极层上形成电学增强层，其中，所述电学增强层的材料导电性和/或透光性高于所述阴极层的导电性和/或透光性。为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是提供一种显示面板，包括：顶发射OLED器件，包括依次设置的基板、阳极层、有机功能层、阴极层和电学增强层，其中，所述电学增强层的材料导电性和/或透光性高于所述阴极层的导电性和/或透光性；驱动电路，耦接所述阳极层和/或阴极层，用于控制所述OLED器件发光。本专利技术通过在顶发射OLED器件的阴极层增加电学增强层，增强阴极层的导电性，减小OLED显示面板中心和边缘区域的压降，使OLED器件的显示更加均匀。附图说明图1是本专利技术顶发射OLED器件一实施例的结构示意图；图2是本专利技术顶发射OLED器件另一实施例的结构示意图；图3是本专利技术顶发射OLED器件另一实施例的侧视示意图；图4是本专利技术顶发射OLED器件的制备方法实施例的流程示意图；图5是本专利技术显示面板实施例的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。参见图1，本专利技术顶发射OLED器件一实施例包括：依次设置的基板1、阳极层2、有机功能层3、阴极层4和电学增强层5，其中，电学增强层5的材料导电性和/或透光性高于阴极层4的导电性和/或透光性。可选地，基板1可以是透明材料，例如玻璃等；阳极层2可以是导电性较好的材料，例如银或ITO(IndiumTinOxide，氧化铟锡)等；有机功能层3可以包括多层导电材料，例如PEDT/PSS(聚(3，4-乙烯基二氧噻吩)聚(苯乙烯磺酸盐)的水性分散体)、PFO(聚9,9-二辛基芴)或LiF(氟化锂)等；阴极层4可以是透光较好的材料，例如较薄的镁或银层等；电学增强层5可以是透光性较好并且导电性较好的材料，例如石墨烯、有机纳米粒子、金属纳米颗粒或金属氧化物等。在外界驱动下，有机功能层3产生的光穿过阴极层4射出，电学增强层5通过厚度的弥补，减小整个阴极层4电极的方块电阻，使加载在OLED器件的中心和边缘的电压的差减小，从而使有机功能层3对应OLED器件的中心和边缘产生的光的强度差变小；同时，由于电学增强层5的透光性较好，对阴极层4射出的光不会产生影响或者产生较小的影响。本专利技术实施例通过在顶发射OLED器件的阴极层形成电学增强层，增强阴极层的导电性，减小OLED显示面板中心和边缘区域的压降，使OLED器件的显示更加均匀。参见图2和图3，本专利技术顶发射OLED器件另一实施例包括：依次设置的基板10、阳极层20、有机功能层30、阴极层40和电学增强层50，其中，电学增强层50的材料导电性和/或透光性高于阴极层40的导电性和/或透光性。可选地，电学增强层50的厚度为1nm～200nm，可以是50nm、100nm或150nm，并且整面覆盖阴极层40。可选地，电学增强层50的导电性高于阴极层40的导电性，且电学增强层50的透光性高于阴极层40的透光性。可选地，有机功能层30包括空穴注入层301、发光层302和电子注入层303，其中，空穴注入层301、发光层302和电子注入层303依次电性连接，空穴注入层301与阳极层20电性连接，电子注入层303与阴极层40电性连接。可选地，空穴注入层301可以是便于控制空穴注入速度的材料，例如PEDT/PSS等；发光层302可以是发光效率高的材料，例如PFO等；电子注入层303可以是便于控制电子注入速度的材料，例如LiF等；电学增强层50可以是透光性和导电性都较好的材料，例如石墨烯、有机纳米粒子、金属纳米颗粒或金属氧化物，其中，有机纳米粒子可以是碳纳米管，金属纳米颗粒可以是纳米银，金属氧化物可以是IZnO或IGaO。具体的，阴极层40的电子和阳极层20的空穴在驱动电路的作用下，分别通过电子注入层303和空穴注入层301后，在发光层302结合并发光。光经过阴极层40，从电学增强层50射出，由于电学增强层50的透光性高于阴极层40的透光性，在增强阴极层40导电性的同时不会影响光的亮度。可选地，电学增强层50还可以是导电性高于阴极层40的导电性，且电学增强层50的透光性不高于阴极层40的透光性的材料；或者电学增强层50还可以是导电性不高于阴极层40的导电性，且电学增强层50的透光性高于阴极层40的透光性的材料。本专利技术实施例通过在顶发射OLED器件的阴极层形成电学增强层，增强阴极层的导电性，减小OLED显示面板中心和边缘区域的压降，使OLED器件的显示更加均匀。参见图4，本专利技术顶发射OLED器件的制备方法实施例包括：S1、在基板上依次制备阳极层、有机功能层和阴极层；可选地，有机功能层包括空穴注入层、发光层和电子注入层。可选地，在基板上通过磁控溅射形成ITO膜，作为OLED器件的阳极层，其中，ITO膜的厚度为20nm～200nm，可以是50nm、100nm或150nm；或者在基板上通过真空蒸镀形成银膜，作为OLED器件的阳极层，其中，银膜的厚度为10nm～100nm，可以是30nm、50nm或80nm；可选地，在阳极层上通过喷墨打印形成PEDT/PSS膜，作为OLED器件的空穴注入层，其中，PEDT/PSS膜的厚度为1nm～100nm，可以是20nm、50nm或80nm；可选地，在空穴注入层上通过喷墨打印形成PFO膜，作为OLED器件的蓝色发光层，其中，PFO膜的厚度为1nm～100nm，可以是20nm、50nm或80nm；可选地，在发光层上通过蒸镀形成LiF(氟化锂)膜，作为OLED器件的电子注入层，其中，LiF膜的厚度为0.5nm～10nm，可以是1nm、5nm或8nm；可选地，在电子注入层上通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种顶发射OLED器件，其特征在于，包括：依次设置的基板、阳极层、有机功能层、阴极层和电学增强层，其中，所述电学增强层的材料导电性和/或透光性高于所述阴极层的导电性和/或透光性。

【技术特征摘要】
1.一种顶发射OLED器件，其特征在于，包括：依次设置的基板、阳极层、有机功能层、阴极层和电学增强层，其中，所述电学增强层的材料导电性和/或透光性高于所述阴极层的导电性和/或透光性。2.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述电学增强层的导电性高于所述阴极层的导电性，且所述电学增强层的透光性高于所述阴极层的透光性；所述电学增强层的导电性高于所述阴极层的导电性，且所述电学增强层的透光性不高于所述阴极层的透光性；所述电学增强层的导电性不高于所述阴极层的导电性，且所述电学增强层的透光性高于所述阴极层的透光性。3.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述电学增强层整面覆盖所述阴极层。4.根据权利要求3所述的OLED器件，其特征在于，所述电学增强层的厚度为1nm～200nm。5.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述电学增强层的材料为石墨烯、有机纳米粒子、金属纳米颗粒或金属氧化物。6.根据权利要求5所述的OLED器件，其特征在于，所述有机纳米粒子为碳纳米管，所述金属纳米颗粒为纳米银，所述金属氧化物为IZnO或IGaO。7.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：张育楠，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44