卧式石墨烯卷对卷连续生长设备制造技术

本发明专利技术公开了一种能够提高生产效率，降低能耗，保证产品品质的卧式石墨烯卷对卷连续生长设备。该卧式石墨烯卷对卷连续生长设备，包括真空上料室、高温工艺腔室、真空取料室、驱动装置；所述真空上料室和真空取料室均设置有真空泵；所述高温工艺腔室上设置有快速加热装置；所述高温工艺腔室一端与真空上料室连接且连通，另一端与真空取料室连接且连通；所述高温工艺腔室的两端均设置有匀流隔热板以及快速冷却装置；所述真空上料室内设置有用于检测石墨烯生长基底张力的张力检测装置，所述石墨烯基底收料辊与收料导向辊之间设置有用于冷却检测石墨烯生长基底的冷却装置。采用该卧式石墨烯卷对卷连续生长设备能够提高产品品质，节约生产成本。

【技术实现步骤摘要】
卧式石墨烯卷对卷连续生长设备
本专利技术涉及一种石墨烯的生长设备，尤其是一种卧式石墨烯卷对卷连续生长设备。
技术介绍
众所周知的：石墨烯由于其超强的热稳定性、化学稳定性、机械稳定性以及高透光性和电子迁移率等优点，因而被认为是制备导电膜材料最佳的材料之一。化学气象沉积法CVD:CVD法是可控制备大面积石墨烯的一种最常用的方法。它的主要原理是利用平面金属作为基底和催化剂，在高温环境中通入一定量的碳源前驱体和氢气，相互作用后在金属表面沉积而得到石墨烯。CVD管式炉：设备简单，操作容易，但是反应温度高，时间较长，耗费能量较大，受石英管式炉的直径和恒温区长度影响无法制备大面积的石墨烯；此外，由于基底材料没有压力/张力控制，薄膜生长容易形成褶皱，降低平整度。现有技术常规的CVD管式炉生长石墨烯受石英管式炉的直径和炉体恒温区长度的影响，石墨烯生长基底尺寸有限，另外由于石墨烯生长工艺温度高，因此工艺流程为：金属箔片预处理、装样、抽真空、加热、通保护气体、通工艺气体、升温至1000摄氏度左右，保温生长、通保护气体，冷却至室温、取样。现有的生产工艺存在如下缺点：1)效率低；2)耗能高；3)外观品质差；4)质量控制难度高。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种能够提高生产效率，降低能耗，保证产品品质的卧式石墨烯卷对卷连续生长设备。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：本专利技术提供了一种卧式石墨烯卷对卷连续生长设备，包括真空上料室、高温工艺腔室、真空取料室、驱动装置；所述真空上料室内设置有石墨烯生长基底放料辊，所述真空取料室内设置有石墨烯基底收料辊以及收料导向辊；所述真空上料室和真空取料室均设置有真空泵；所述石墨烯生长基底放料辊以及石墨烯基底收料辊均通过驱动装置，驱动转动；所述高温工艺腔室上设置有快速加热装置；所述高温工艺腔室一端与真空上料室连接且连通，另一端与真空取料室连接且连通；所述高温工艺腔室的两端均设置有匀流隔热板以及快速冷却装置；所述真空上料室内设置有用于检测石墨烯生长基底张力的张力检测装置，所述真空取料室内设置有用于冷却检测石墨烯生长基底的冷却装置，所述冷却装置位于石墨烯基底收料辊与收料导向辊之间。进一步的，所述驱动装置包括第一驱动装置以及第二驱动装置；所述第一驱动装置与石墨烯生长基底放料辊传动连接；所述第二驱动装置与石墨烯基底收料辊传动连接。进一步的，所述石墨烯生长基底放料辊具有的转轴穿过真空上料室，且通过离合器与第一驱动装置传动连接；所述石墨烯基底收料辊具有的转轴穿过真空取料室，且通过离合器与第二驱动装置传动连接。进一步的，所述石墨烯生长基底放料辊的转轴与真空上料室之间设置有真空动密封装置；所述石墨烯基底收料辊的转轴与真空取料室之间设置有真空动密封装置。优选的，所述第一驱动装置以及第二驱动装置均采用减速电机。进一步的，所述的卧式石墨烯卷对卷连续生长设备，还包括处理器，所述处理器分别与张力检测装置以及第一驱动装置电连接，且所述处理器、张力检测装置以及第一驱动装置形成反馈闭环。进一步的，所述处理器分别与速度检测装置以及第二驱动装置电连接，且所述处理器、速度检测装置以及第一驱动装置形成反馈闭环。进一步的，所述快速冷却装置与高温工艺腔室可拆卸连接。优选的，所述匀流隔热装置包括至少两层隔热板以及支撑柱，所述支撑柱设置在相邻两层隔热板之间；所述隔热板上设置有中心通孔，所述隔热板上设置有均匀分布的透气孔，所述相邻两层隔热板上的透气孔错位分布。本专利技术的有益效果是：本专利技术所述的卧式石墨烯卷对卷连续生长设备，具有以下优点：1、效率高：不存在频繁的开炉取样/放样，抽真空等动作，连续卷对卷生长；2、耗能低：不存在频繁的加热/冷却过程，耗能低；3、由于在真空上料室内设置有用于检测石墨烯生长基底张力的张力检测装置，因此能够对石墨烯生长基底的张力进行控制，从而使得产品外观品质高，避免出现褶皱；4、由于同一卷生长基材经历的生长工艺环境相同，因此石墨烯质量批次稳定可靠。附图说明图1是本专利技术实施例中卧式石墨烯卷对卷连续生长设备的结构示意图；图2是本专利技术实施例中卧式石墨烯卷对卷连续生长设备的左视图；图3是本专利技术实施例中卧式石墨烯卷对卷连续生长设备的右视图；图4是本专利技术实施例中匀流隔热装置的立体图；图中标示：1-真空上料室，2-石墨烯生长基底放料辊，3-张力检测装置，4-快速冷却装置，5-快速加热装置，6-匀流隔热装置，7-高温工艺腔室，8-真空取料室，9-石墨烯基底收料辊，10-收料导向辊，11-速度检测装置，12-第一驱动装置，13-第二驱动装置，14-离合器，15-真空动密封装置，16-石墨烯生长基底，17-安装板。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。如图1和图2所示，本专利技术所述的卧式石墨烯卷对卷连续生长设备，包括真空上料室1、高温工艺腔室7、真空取料室8、驱动装置；所述真空上料室1内设置有石墨烯生长基底放料辊2，所述真空取料室8内设置有石墨烯基底收料辊9以及收料导向辊10；所述真空上料室1和真空取料室8均设置有真空泵；所述石墨烯生长基底放料辊2以及石墨烯基底收料辊9均通过驱动装置，驱动转动；所述高温工艺腔室7上设置有快速加热装置5；所述高温工艺腔室7一端与真空上料室1连接且连通，另一端与真空取料室8连接且连通；所述高温工艺腔室7的两端均设置有匀流隔热装置6以及快速冷却装置4；所述真空上料室1内设置有用于检测石墨烯生长基底16张力的张力检测装置3，所述真空取料室8内设置有用于冷却检测石墨烯生长基底16的冷却装置11，所述冷却装置位于石墨烯基底收料辊9与收料导向辊10之间。所述快速加热装置5的主要作用是实现对高温工艺腔室7的加热，使得高温工艺腔室7内的温度能够达到工艺要求的温度。所述快速加热装置5可以采用电阻加热器，为了便于高温工艺腔室7的维护，一种优选方式为具体的，所述快速加热装置5采用可开合的加热炉，至少双温区控制。所述快速冷却装置4的主要作用是实现对石墨烯生长基底16的快速冷却，具体的，具体的，所述快速冷却装置4可以采用冷水套，所述冷却装置4包括外水套和内水套法兰，外水套套装在高温工艺腔室7上，内水套法兰设置在高温工艺腔室7与真空上料室1以及真空取料室8的连接处。所述高温工艺腔室7设置在真空上料室1与真空取料室8之间；所述真空上料室1位于高温工艺腔室7的下端，所述真空取料室8设置在高温工艺腔室7的上端；所述高温工艺腔室7的两端均设置有快速冷却装置4。具体的，真空上料室1、真空取料室8与高温工艺腔室7连接处的快速冷却装置4，采用带水冷装置的法兰连接。具体的，所述高温工艺腔室7一般采用石英管。在使用的过程中：首先对金属箔片预处理、然后在真空上料室1和真空取料室8内进行装样，装样完成后通过真空上料室1和真空取料室8上的真空泵抽真空；然后通过高温工艺腔室7上的快速加热装置5进行加热，同时通保护气体和通入工艺气体，直到高温工艺腔室7内温度升温至1000摄氏度左右；启动石墨烯基底收料辊9卷取石墨烯生长基底16；由于在高温工艺腔室7两端均设置有快速冷却装置4，因此能够保证石墨烯生长基底16从而高温工艺腔室7到真空取料室8温度降低，然后在通过真空取料室8内的冷却装置11，使得石墨烯生长基底16到常温之后进行取样。综上所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
卧式石墨烯卷对卷连续生长设备，包括真空上料室(1)、高温工艺腔室(7)、真空取料室(8)、驱动装置；所述真空上料室(1)内设置有石墨烯生长基底放料辊(2)，所述真空取料室(8)内设置有石墨烯基底收料辊(9)以及收料导向辊(10)；所述真空上料室(1)和真空取料室(8)均设置有真空泵；所述石墨烯生长基底放料辊(2)以及石墨烯基底收料辊(9)均通过驱动装置，驱动转动；所述高温工艺腔室(7)上设置有快速加热装置(5)；其特征在于：所述高温工艺腔室(7)一端与真空上料室(1)连接且连通，另一端与真空取料室(8)连接且连通；所述高温工艺腔室(7)的两端均设置有匀流隔热装置(6)以及快速冷却装置(4)；所述真空上料室(1)内设置有用于检测石墨烯生长基底(16)张力的张力检测装置(3)，所述真空取料室(8)内设置有用于冷却检测石墨烯生长基底(16)的冷却装置(11)，所述冷却装置位于石墨烯基底收料辊(9)与收料导向辊(10)之间。

【技术特征摘要】
1.卧式石墨烯卷对卷连续生长设备，包括真空上料室(1)、高温工艺腔室(7)、真空取料室(8)、驱动装置；所述真空上料室(1)内设置有石墨烯生长基底放料辊(2)，所述真空取料室(8)内设置有石墨烯基底收料辊(9)以及收料导向辊(10)；所述真空上料室(1)和真空取料室(8)均设置有真空泵；所述石墨烯生长基底放料辊(2)以及石墨烯基底收料辊(9)均通过驱动装置，驱动转动；所述高温工艺腔室(7)上设置有快速加热装置(5)；其特征在于：所述高温工艺腔室(7)一端与真空上料室(1)连接且连通，另一端与真空取料室(8)连接且连通；所述高温工艺腔室(7)的两端均设置有匀流隔热装置(6)以及快速冷却装置(4)；所述真空上料室(1)内设置有用于检测石墨烯生长基底(16)张力的张力检测装置(3)，所述真空取料室(8)内设置有用于冷却检测石墨烯生长基底(16)的冷却装置(11)，所述冷却装置位于石墨烯基底收料辊(9)与收料导向辊(10)之间。2.如权利要求1所述的卧式石墨烯卷对卷连续生长设备，其特征在于：所述驱动装置包括第一驱动装置(12)以及第二驱动装置(13)；所述第一驱动装置(12)与石墨烯生长基底放料辊(2)传动连接；所述第二驱动装置(13)与石墨烯基底收料辊(9)传动连接。3.如权利要求2所述的卧式石墨烯卷对卷连续生长设备，其特征在于：所述石墨烯生长基底放料辊(2)具有的转轴穿过真空上料室(1)，且通过离合器(14)与第一驱动装置(12)传动连接；所述石墨烯基底收料辊(9)具有的转轴穿过...

【专利技术属性】
技术研发人员：李占成，伍俊，史浩飞，李昕，朱鹏，黄德萍，段银武，余杰，
申请(专利权)人：重庆墨希科技有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆,50