一种共源共栅增强型HEMT功率放大器电路制造技术

本发明专利技术提供了一种共源共栅增强型HEMT功率放大器电路：包括至少一级信号放大电路；所述信号放大电路中的隔直电容Cb1一端与输入信号连接，另一端接EHEMT晶体管Q1的栅极，Q1的源极接地，Q1的漏极接E-HEMT晶体管Q1a的源极，Q1a的漏极通过电感L1接电源；Q1a的栅极通过电阻R1接电源、也通过电容C1接地；Q1a的漏极接信号输出。本发明专利技术提供了一种共源共栅增强型HEMT功率放大器电路，提高了E-HEMT功率放大器性能。

【技术实现步骤摘要】
一种共源共栅增强型HEMT功率放大器电路
本专利技术涉及一种功率放大器电路，尤其涉及一种共源共栅增强型HEMT功率放大器电路。
技术介绍
HEMT功率放大器在现代通讯领域越来越重要，尤其是当HEMT的线宽越来越低时，器件表现的高频性能越来越好。本专利技术的共源共栅HEMT电路能够更优秀地体现HEMT器件在功率放大器领域的性能。功率管制造中对版图的布局要求非常高。相同的电路，不合理的版图布局会使功率管的功率合成能力差，甚至导致放大器烧坏；合理的版图布局可以使功率合成得更好，从而提升放大器性能。
技术实现思路
本专利技术所要解决的主要技术问题是提高E-HEMT功率放大器性能。为了解决上述的技术问题，本专利技术提供了一种共源共栅增强型HEMT功率放大器电路，包括至少一级信号放大电路；所述信号放大电路中的隔直电容Cb1一端与输入信号连接，另一端接EHEMT晶体管Q1的栅极，Q1的源极接地，Q1的漏极接E-HEMT晶体管Q1a的源极，Q1a的漏极通过电感L1接电源；Q1a的栅极通过电阻R1接电源、也通过电容C1接地；Q1a的漏极接信号输出。在一较佳实施例中：所述信号放大电路为两极；第一级信号放大电路中的E-HEMT晶体管Q1a的漏极串接第二级信号放大电路中隔直电容Cb2到E-HEMT晶体管Q2的栅极，Q2的源极接地，Q2的漏极接E-HEMT晶体管Q2a的源极，Q2a的漏极通过电感L2接电源；Q2a的栅极通过电阻R2接电源，也通过电容C2接地；Q2a的漏极接信号输出。在一较佳实施例中：所述E-HEMT晶体管Q1和Q2的源极分别通过电阻或者电感接地；所述E-HEMT晶体管Q1和Q2的栅极分别通过电阻接隔直电容Cb1、Cb2，所述E-HEMT晶体管Q1和Q2的栅极分别通过电容接E-HEMT晶体管Q1和Q2的源极；所述E-HEMT晶体管Q1a和Q2a的漏极分别通过电阻串联电感L1、L2接电源相较于现有技术，本专利技术的技术方案具备以下有益效果：本专利技术在传统E-HEMT放大器基础上，把每级中的单管放大改进为共源共栅放大，使得放大器的增益增大。通过调整共源共栅放大器的偏置电路电流，使共源共栅管偏置在合理的位置。再在共栅管的栅极增加去耦电容，保证交流信号的零电位。使得放大器获得较高的效率和线性度。附图说明图1是传统的HEMT放大器电路结构图；图2是传统的HEMT放大器电路版图；图3是本专利技术的共源共栅增强型HEMT电路图；图4本专利技术的共源共栅增强型HEMT电路版图。具体实施方式下文通过附图和具体实施方式对本专利技术做进一步说明。如图1所示，传统的HEMT功率放大电路输入信号先通过隔直电容Cb1,再接到单晶体管Q1的栅极，再由晶体管Q1的集电极接到交流耦合电容Cb2上，再由Cb2接到单晶体管Q2的栅极上，最后由晶体管Q2的集电极输出放大后的信号。晶体管Q1和Q2的源极都接地，漏极分别通过电感L1和L2馈电。其电路版图如图2所示，一个晶体管单元由源极区域S，栅极区域G，漏极区域D组成。源极区域S是矩形，栅极区域G是单个U形，漏极区域D是两个矩形。栅极区域G包围源极区域S的上，下，左三侧。漏区域D的两个矩形分别位于栅极区域G的上，下两侧。多个类似形状的晶体管单元由上往下排列组成晶体管列。晶体管列中相邻的两个集电极矩形可以合并成一个矩形。功率管的地由一个或多个通孔BV与金属层M1组成。两列晶体管列对称地位于BV与M1组成的地的两左右两侧。信号输入端Pin通过多个分布电容连接到两列晶体管列中的栅极。图3是本专利技术的一种共源共栅增强型HEMT功率放大器电路，包括至少一级信号放大电路；本实施例为两级放大的情况，其余级数在本实施例的基础上简单增加或删减即可，不再赘述。第一级信号放大电路中的隔直电容Cb1一端与输入信号连接，另一端接EHEMT晶体管Q1的栅极，Q1的源极接地，Q1的漏极接E-HEMT晶体管Q1a的源极，Q1a的漏极通过电感L1接电源；Q1a的栅极通过电阻R1接电源、也通过电容C1接地；Q1a的漏极接信号输出。第一级信号放大电路中的E-HEMT晶体管Q1a的漏极串接第二级信号放大电路中隔直电容Cb2到E-HEMT晶体管Q2的栅极，Q2的源极接地，Q2的漏极接E-HEMT晶体管Q2a的源极，Q2a的漏极通过电感L2接电源；Q2a的栅极通过电阻R2接电源，也通过电容C2接地；Q2a的漏极接信号输出。由于每级中的单管放大改进为共源共栅放大，使得放大器的增益增大。通过调整共源共栅放大器的偏置电路电流，使共源共栅管偏置在合理的位置。再在共栅管的栅极增加去耦电容，保证交流信号的零电位。使得放大器获得较高的效率和线性度。本实施例中还可以做以下扩展：所述E-HEMT晶体管Q1和Q2的源极分别通过电阻或者电感接地；所述E-HEMT晶体管Q1和Q2的栅极分别通过电阻接隔直电容Cb1、Cb2，所述E-HEMT晶体管Q1和Q2的栅极分别通过电容接E-HEMT晶体管Q1和Q2的源极；所述E-HEMT晶体管Q1a和Q2a的漏极分别通过电阻串联电感L1、L2接电源。其电路版图如图4所示，一个晶体管单元由一个源极区域S，两个栅极区域G1和G2，两个漏极区域D组成。源极区域S是矩形，两个栅极区域G1和G2都是U形，漏极区域D是两个矩形。栅极G2包围源极区域E的上，下，右三侧。栅极G1包围栅极G2的上，下，左三侧。漏极区域D的两个矩形分别位于栅极G1的上，下两侧。多个类似形状的晶体管单元由上往下排列组成晶体管列。晶体管列中相邻的两个漏极矩形可以合并成一个矩形。晶体管列左侧有一个或多个通孔BV接地，这些通孔BV由M1层金属块相连。晶体管列右侧也有一个或多个通孔BV接地，这些通孔BV由M1层金属块相连。所有源极区域S与晶体管列左右两侧的M1层金属块相连。晶体管列中的晶体管单元由上住下依次分组，每组由两个相邻的晶体管单元组成，同组的两个晶体管单元栅极G1中部用M2金属层U形走线连接。M2层U形走线又由上至下分组，相邻的两个U形走线为一组，同组的两个U形走线中部又用新的U形走线连接。依次类推，新的U形走线又重新分组并用更多新的U形走线连接组内走线中部，直至到最后只剩一个U形走线，再用一根M2层直走线与最后一组U形走线连接，作为整个功率管栅极的信号馈入点。晶体管列左侧的M1金属块要足够大，范围覆盖到所有U形走线所在区域。以上所述，仅为本专利技术较佳的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。因此，本专利技术的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种共源共栅增强型HEMT功率放大器电路，其特征在于：包括至少一级信号放大电路；所述信号放大电路中的隔直电容Cb1一端与输入信号连接，另一端接EHEMT晶体管Q1的栅极，Q1的源极接地，Q1的漏极接E‑HEMT晶体管Q1a的源极，Q1a的漏极通过电感L1接电源；Q1a的栅极通过电阻R1接电源、也通过电容C1接地；Q1a的漏极接信号输出。

【技术特征摘要】
1.一种共源共栅增强型HEMT功率放大器电路，其特征在于：包括至少一级信号放大电路；所述信号放大电路中的隔直电容Cb1一端与输入信号连接，另一端接EHEMT晶体管Q1的栅极，Q1的源极接地，Q1的漏极接E-HEMT晶体管Q1a的源极，Q1a的漏极通过电感L1接电源；Q1a的栅极通过电阻R1接电源、也通过电容C1接地；Q1a的漏极接信号输出。2.根据权利要求1所述的一种共源共栅增强型HEMT功率放大器电路，其特征在于：所述信号放大电路为两极；第一级信号放大电路中的E-HEMT晶体管Q1a的漏极串接第二级信号放大电路中隔直电容Cb2到E-HEMT晶体管Q2的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张黎阳，赵骞，唐东杰，聂庆庆，傅金，
申请(专利权)人：厦门宇臻集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35