显示基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。显示基板，包括位于衬底基板上的像素电极和公共电极；所述像素电极包括间隔设置的多个子像素电极；所述公共电极包括不同高度的第一部分和第二部分，所述第一部分与所述像素电极所在平面之间的距离大于所述第二部分与所述像素电极所在平面之间的距离，所述第一部分在所述衬底基板上的正投影与所述子像素电极在所述衬底基板上的正投影存在重合区域，所述第二部分在所述衬底基板上的正投影与相邻子像素电极之间的间隙在所述衬底基板上的正投影存在重合区域。本发明专利技术能够在降低显示装置的存储电容的同时，降低显示装置的驱动电压。

Display substrate, method for manufacturing the same, and display device

The invention provides a display base board, a manufacturing method thereof and a display device, belonging to the display technology field. A display substrate includes a substrate, a pixel electrode and the common electrode; the pixel electrode comprises a plurality of sub pixel electrodes arranged at intervals; the first part and the second part of the common electrode includes a different height, between the first part and the pixel electrode where the plane is greater than the distance between the second part and the pixel electrode is the distance of the plane, the first part is the projection on the substrate on the substrate and the sub pixel electrode on the substrate on the substrate is the projection of overlapping regions, the gap between the second part is the projection on the substrate on the substrate and adjacent pixel electrode positive projection in the presence of a substrate on the overlap region. The invention can reduce the driving voltage of the display device while reducing the storage capacitance of the display device.

【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是指一种显示基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，TFT-LCD)具有体积小，功耗低，无辐射等特点，近年来得到迅速发展，在当前的平板显示器市场中占据主导地位。TFT-LCD的主体结构为液晶面板，液晶面板包括对盒的薄膜晶体管阵列基板和彩膜基板，液晶分子填充在阵列基板和彩膜基板之间。液晶面板通过控制公共电极和像素电极来形成驱动液晶分子偏转的电场，实现灰阶显示，彩膜基板上的滤光层用于实现彩色显示。目前，TFT-LCD按照显示模式可以分为：扭曲向列(TN，TwistedNematic)型、平面转换(IPS，InPlaneSwitching)型和高级超维场开关(ADS，AdvancedSuperDimensionSwitch)型。其中，ADS型TFT-LCD主要是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。ADS技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(pushMura)等优点。ADS型TFT-LCD的公共电极和像素电极均形成在阵列基板上，像素电极与公共电极的交叠区域构成存储电容，由于像素电极与公共电极的交叠面积比较大，导致显示装置的存储电容过大，使得TFT充电时比较困难。存储电容的大小与像素电极和公共电极之间的距离成反比，通过增加像素电极与公共电极之间的距离，可以实现降低存储电容的目的，但是如果像素电极与公共电极之间的距离增大，又需要更高的驱动电压来维持像素电极与公共电极之间电场的强度，即在降低存储电容的同时需要提高显示装置的驱动电压。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，能够在降低显示装置的存储电容的同时，降低显示装置的驱动电压。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下：一方面，提供一种显示基板，包括位于衬底基板上的像素电极和公共电极；所述像素电极包括间隔设置的多个子像素电极；所述公共电极包括不同高度的第一部分和第二部分，所述第一部分与所述像素电极所在平面之间的距离大于所述第二部分与所述像素电极所在平面之间的距离，所述第一部分在所述衬底基板上的正投影与所述子像素电极在所述衬底基板上的正投影存在重合区域，所述第二部分在所述衬底基板上的正投影与相邻子像素电极之间的间隙在所述衬底基板上的正投影存在重合区域。进一步地，所述显示基板还包括位于所述公共电极背离所述像素电极一侧、间隔设置的多个凸起，所述公共电极位于所述凸起上的部分为所述第二部分，所述公共电极位于相邻凸起之间的部分为所述第一部分。进一步地，所述子像素电极在所述衬底基板上的正投影落入所述第一部分在所述衬底基板上的正投影内，所述第二部分在所述衬底基板上的正投影落入相邻子像素电极之间的间隙在所述衬底基板上的正投影内。进一步地，相邻子像素电极之间的间隙为第一间隙，相邻凸起之间的间隙为第二间隙，所述子像素电极与所述第二间隙一一对应，所述凸起与所述第一间隙一一对应，所述子像素电极的宽度与所述第一间隙的宽度之和等于所述凸起的宽度与所述第二间隙的宽度之和，且所述子像素电极在垂直于延伸方向的宽度方向上的中心与对应第二间隙在宽度方向上的中心位于同一直线上，所述凸起在垂直于延伸方向的宽度方向上的中心与对应第一间隙在宽度方向上的中心位于同一直线上。进一步地，所述子像素电极的宽度为2～5um，所述第一间隙的宽度为4～10um；所述凸起的宽度为2～10um，所述第二间隙的宽度为2～10um，所述凸起的高度小于1um。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。本专利技术实施例还提供了一种显示基板的制作方法，包括：在衬底基板上形成包括不同高度的第一部分和第二部分的公共电极；形成与所述公共电极绝缘的像素电极，所述像素电极包括间隔设置的多个子像素电极；其中，所述第一部分与所述像素电极所在平面之间的距离大于所述第二部分与所述像素电极所在平面之间的距离，所述第一部分在所述衬底基板上的正投影与所述子像素电极在所述衬底基板上的正投影存在重合区域，所述第二部分在所述衬底基板上的正投影与相邻子像素电极之间的间隙在所述衬底基板上的正投影存在重合区域。进一步地，所述形成包括不同高度的第一部分和第二部分的公共电极包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成一层绝缘层，对所述绝缘层进行构图形成多个间隔设置的凸起；在形成有所述凸起的衬底基板上沉积第一透明导电层，所述第一透明导电层位于所述凸起上的部分形成所述公共电极的第二部分，所述第一透明导电层位于相邻凸起之间的部分形成所述公共电极的第一部分。进一步地，所述形成与所述公共电极绝缘的像素电极包括：在形成有所述公共电极的衬底基板上依次沉积栅绝缘层和钝化层；在所述钝化层上沉积第二透明导电层，对所述第二透明导电层进行构图形成所述像素电极，所述像素电极包括多个间隔设置的子像素电极。进一步地，所述绝缘层为采用负性光刻胶，对所述绝缘层进行构图的掩膜板与对所述第二透明导电层进行构图所使用的掩膜板相同。本专利技术的实施例具有以下有益效果：上述方案中，公共电极包括不同高度的第一部分和第二部分，第一部分与像素电极所在平面之间的距离大于第二部分与像素电极所在平面之间的距离，第一部分在衬底基板上的正投影与子像素电极在衬底基板上的正投影存在重合区域，第二部分在衬底基板上的正投影与相邻子像素电极之间的间隙在衬底基板上的正投影存在重合区域，这样公共电极与像素电极正对的部分存在与像素电极之间的距离比较大的区域，能够降低显示装置的存储电容，同时，公共电极与像素电极之间间隙正对的部分存在与像素电极之间的距离较小的区域，能够增大公共电极与像素电极之间电场的强度，起到降低显示装置驱动电压的目的。附图说明图1为本专利技术实施例显示装置的结构示意图；图2为本专利技术实施例凸起高度与显示装置驱动电压以及显示装置透过率之间的关系示意图；图3为本专利技术另一实施例凸起高度与显示装置驱动电压以及显示装置透过率之间的关系示意图；图4为本专利技术实施例形成凸起后的示意图；图5为本专利技术实施例形成公共电极后的示意图；图6为本专利技术实施例形成栅绝缘层和钝化层后的示意图；图7为本专利技术实施例形成像素电极后的示意图；图8为本专利技术实施例使钝化层平坦化后的示意图。附图标记S11凸起高度与显示装置透过率之间的关系曲线S12凸起高度与显示装置驱动电压之间的关系曲线S13凸起高度与显示装置驱动电压之间的关系曲线S14凸起高度与显示装置透过率之间的关系曲线1衬底基板2凸起3公共电极4栅绝缘层5钝化层6像素电极7对向基板具体实施方式为使本专利技术的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示基板，其特征在于，包括位于衬底基板上的像素电极和公共电极；所述像素电极包括间隔设置的多个子像素电极；所述公共电极包括不同高度的第一部分和第二部分，所述第一部分与所述像素电极所在平面之间的距离大于所述第二部分与所述像素电极所在平面之间的距离，所述第一部分在所述衬底基板上的正投影与所述子像素电极在所述衬底基板上的正投影存在重合区域，所述第二部分在所述衬底基板上的正投影与相邻子像素电极之间的间隙在所述衬底基板上的正投影存在重合区域。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括位于衬底基板上的像素电极和公共电极；所述像素电极包括间隔设置的多个子像素电极；所述公共电极包括不同高度的第一部分和第二部分，所述第一部分与所述像素电极所在平面之间的距离大于所述第二部分与所述像素电极所在平面之间的距离，所述第一部分在所述衬底基板上的正投影与所述子像素电极在所述衬底基板上的正投影存在重合区域，所述第二部分在所述衬底基板上的正投影与相邻子像素电极之间的间隙在所述衬底基板上的正投影存在重合区域。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括位于所述公共电极背离所述像素电极一侧、间隔设置的多个凸起，所述公共电极位于所述凸起上的部分为所述第二部分，所述公共电极位于相邻凸起之间的部分为所述第一部分。3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述子像素电极在所述衬底基板上的正投影落入所述第一部分在所述衬底基板上的正投影内，所述第二部分在所述衬底基板上的正投影落入相邻子像素电极之间的间隙在所述衬底基板上的正投影内。4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，相邻子像素电极之间的间隙为第一间隙，相邻凸起之间的间隙为第二间隙，所述子像素电极与所述第二间隙一一对应，所述凸起与所述第一间隙一一对应，所述子像素电极的宽度与所述第一间隙的宽度之和等于所述凸起的宽度与所述第二间隙的宽度之和，且所述子像素电极在垂直于延伸方向的宽度方向上的中心与对应第二间隙在宽度方向上的中心位于同一直线上，所述凸起在垂直于延伸方向的宽度方向上的中心与对应第一间隙在宽度方向上的中心位于同一直线上。5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述子像素电极的宽度为2～5um，所述第一间隙的宽度为4～10um；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：栗鹏，朴正淏，孙志丹，金在光，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11