光固化性非电解镀基底剂制造技术

本发明专利技术的课题在于提供一种保护环境、能以少的工序数简便地进行处理、并且可得到充分的基板密合性的、用于非电解镀的前处理工序的新的非电解镀基底剂。本发明专利技术提供一种光固化性基底剂，其用于通过非电解镀处理在基材上形成金属镀膜，其包含：(a)在分子末端具有铵基且重均分子量为1,000～5,000,000的超支化聚合物、(b)金属微粒、(c)具有(甲基)丙烯酰基的聚合性化合物、及(d)光聚合引发剂。

Light curing electroless plating substrate

The subject of the invention is to provide a little to protect the environment, the number of steps of simple processing, and can get sufficient adhesion to a substrate and non electrolytic plating base agent new pretreatment process of electrolytic plating. The present invention provides a light curing agent for the substrate, through non electrolytic plating treatment to form metal coating on the substrate, which comprises: (a) at the end of the molecule with ammonium and the weight average molecular weight is 1000 ~ 5000000, the hyperbranched polymer (b) metal particles (c) with (meth) acryloyl polymerized compound, and (d) a photopolymerization initiator.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光固化性非电解镀基底剂
本专利技术涉及非电解镀基底剂，更详细而言，涉及光固化性非电解镀基底剂。
技术介绍
对于非电解镀而言，仅通过将基材浸渍于镀覆液中，无论基材的种类、形状如何，均能得到厚度均匀的被膜，在塑料、陶瓷、玻璃等非导体材料上也能形成金属镀膜，因此，已在例如向汽车部件等树脂成型体赋予高级感、美观这样的装饰用途、电磁屏蔽、印刷基板及大规模集成电路等的布线技术等各种领域中广泛使用。通常，在利用非电解镀在基材(被镀覆体)上形成金属镀膜的情况下，进行为了提高基材与金属镀膜的密合性的前处理。具体而言，首先，利用各种蚀刻手段使被处理面粗糙化及/或亲水化，接下来，进行向被处理面上供给用于促进镀覆催化剂向被处理面上的吸附的吸附物质的敏化处理(sensitization)、和在被处理面上吸附镀覆催化剂的活化处理(activation)。典型的是，敏化处理中，将被处理物浸渍于氯化亚锡的酸性溶液中，由此，可作为还原剂发挥作用的金属(Sn2+)附着于被处理面。而后，针对已被敏化的被处理面，作为活化处理，将被处理物浸渍于氯化钯的酸性溶液中。由此，溶液中的钯离子被作为还原剂的金属(锡离子：Sn2+)还原，以活性的钯催化剂核的形式附着于被处理面。这样的前处理后，浸渍于非电解镀液，在被处理面上形成金属镀膜。像这样，在以往的非电解镀技术中，需要将镀覆催化剂活化，与此相对，报道了通过使用包含具有铵基的超支化聚合物及Pd微粒的组合物作为催化剂，从而在涂布后不经活化工序、仅通过直接浸渍于非电解镀液中即可形成非电解镀的例子(专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2012/141215号小册子
技术实现思路
专利技术所要解决的课题如上所述，在以往的非电解镀处理中，前处理工序中实施的粗糙化处理使用了铬化合物(铬酸)，另外，前处理的工序数非常多，等等，在环境方面、成本方面、复杂的操作性等方面要求各种改善。此外，近年来，树脂壳体的成型技术提高，要求能直接将美观的壳体面进行镀覆化的方法，尤其是，伴随着电子电路形成的微细化及电信号的高速化，要求在平滑基板上的密合性高的非电解镀的方法。因此，本专利技术着眼于上述课题，其目的在于提供一种保护环境、能以少的工序数简便地进行处理、并且可得到充分的基板密合性的、用于非电解镀的前处理工序的新的非电解镀基底剂。用于解决课题的手段本专利技术人等为了达成上述目的而进行了深入研究，结果发现，将分子末端具有铵基的超支化聚合物、金属微粒、具有(甲基)丙烯酰基的聚合性化合物、及光聚合引发剂组合，将其涂布于基材上而得到的层，作为非电解金属镀的基底层，镀覆性以及密合性优异，从而完成了本专利技术。即，本专利技术中，作为第1观点，涉及一种光固化性基底剂，所述光固化性基底剂用于通过非电解镀处理在基材上形成金属镀膜，其包含：(a)在分子末端具有铵基且重均分子量为1,000～5,000,000的超支化聚合物，(b)金属微粒，(c)具有(甲基)丙烯酰基的聚合性化合物，和(d)光聚合引发剂。作为第2观点，涉及第1观点所述的光固化性基底剂，其中，上述(c)聚合性化合物为具有(甲基)丙烯酰基、且具有选自氧基亚烷基结构、氨基甲酸酯类结构及聚(甲基)丙烯酸类结构中的至少1种结构的化合物。作为第3观点，涉及第1观点所述的光固化性基底剂，其中，上述(c)聚合性化合物为具有(甲基)丙烯酰基、且具有选自氧基亚烷基结构及氨基甲酸酯类结构中的至少1种结构的化合物。作为第4观点，涉及第2观点所述的光固化性基底剂，其中，上述(c)聚合性化合物为具有(甲基)丙烯酰基且具有氧基亚烷基结构的化合物。作为第5观点，涉及第2观点所述的光固化性基底剂，其中，上述(c)聚合性化合物为氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯类化合物。作为第6观点，涉及第2观点所述的光固化性基底剂，其中，上述(c)聚合性化合物为具有(甲基)丙烯酰基的聚(甲基)丙烯酸类化合物。作为第7观点，涉及第1观点～第6观点中任一项所述的光固化性基底剂，其中，上述(c)聚合性化合物为在分子内具有2个以上(甲基)丙烯酰基的化合物。作为第8观点，涉及第1观点～第7观点中任一项所述的光固化性基底剂，其中，上述(a)超支化聚合物为式[1]表示的超支化聚合物。(式中，R1各自独立地表示氢原子或甲基，R2～R4各自独立地表示氢原子、碳原子数1～20的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数7～20的芳基烷基或-(CH2CH2O)mR5(式中，R5表示氢原子或甲基，m表示2～100的整数。)(该烷基及芳基烷基可被烷氧基、羟基、铵基、羧基或氰基取代。)，或者R2～R4中的2个基团连在一起而表示直链状、支链状或环状的亚烷基，或者R2～R4及它们所键合的氮原子可以连在一起而形成环，X-表示阴离子，n表示重复单元结构的数目，表示5～100,000的整数，A1表示式[2]表示的结构。)(式中，A2表示可包含醚键或酯键的碳原子数1～30的直链状、支链状或环状的亚烷基，Y1～Y4各自独立地表示氢原子、碳原子数1～20的烷基、碳原子数1～20的烷氧基、硝基、羟基、氨基、羧基或氰基。)作为第9观点，涉及第8观点所述的光固化性基底剂，其中，上述(a)超支化聚合物为式[3]表示的超支化聚合物。(式中，R1～R4及n表示与上述相同的含义。)作为第10观点，涉及第1观点～第9观点中任一项所述的光固化性基底剂，其中，上述(b)金属微粒为选自铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、银(Ag)、锡(Sn)、铂(Pt)及金(Au)中的至少一种金属的微粒。作为第11观点，涉及第10观点所述的光固化性基底剂，其中，上述(b)金属微粒为钯微粒。作为第12观点，涉及第1观点～第11观点中任一项所述的光固化性基底剂，其中，上述(b)金属微粒为具有1～100nm的平均粒径的微粒。作为第13观点，涉及一种非电解镀基底层，其是利用光固化将第1观点～第12观点中任一项所述的光固化性基底剂形成层而得到的。作为第14观点，涉及一种金属镀膜，其是通过对第13观点所述的非电解镀基底层进行非电解镀而形成于该基底层上的。作为第15观点，涉及一种金属被膜基材，其具有：基材；形成于该基材上的第13观点所述的非电解镀基底层；和形成于该非电解镀基底层上的第14观点所述的金属镀膜。作为第16观点，涉及一种金属被膜基材的制造方法，其包括下述A工序～C工序。A工序：将第1观点～第12观点中任一项所述的光固化性基底剂涂布于基材上，形成涂膜的工序，B工序：将涂布了光固化性基底剂的基材曝光，形成基底层的工序，C工序：将具有基底层的基材浸渍于非电解镀浴中，形成金属镀膜的工序。专利技术的效果本专利技术的基底剂仅通过涂布于基材上并进行光固化即可容易地形成非电解金属镀的基底层。另外，对于本专利技术的基底剂而言，即使不形成以往为了提高与金属镀膜的密合性而形成于基材上的底涂层，也可形成与基材的密合性优异的基底层。此外，本专利技术的基底剂可绘制μm级的细线，可适合应用于各种布线技术。另外，对于由本专利技术的基底剂形成的非电解金属镀的基底层而言，仅通过浸渍于非电解镀浴中，即可容易地形成金属镀膜，可容易地得到具有基材、基底层、以及金属镀膜的金属被膜基材。而且，上述金属镀膜与下层的基底层的密合性优异。即，通过使用本专利技术的基底剂在基材上形成基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光固化性基底剂，其用于通过非电解镀处理在基材上形成金属镀膜，其包含：(a)在分子末端具有铵基且重均分子量为1,000～5,000,000的超支化聚合物，(b)金属微粒，(c)具有(甲基)丙烯酰基的聚合性化合物，和(d)光聚合引发剂。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.05 JP 2014-1814691.一种光固化性基底剂，其用于通过非电解镀处理在基材上形成金属镀膜，其包含：(a)在分子末端具有铵基且重均分子量为1,000～5,000,000的超支化聚合物，(b)金属微粒，(c)具有(甲基)丙烯酰基的聚合性化合物，和(d)光聚合引发剂。2.根据权利要求1所述的光固化性基底剂，其中，上述(c)聚合性化合物为具有(甲基)丙烯酰基、且具有选自氧基亚烷基结构、氨基甲酸酯类结构及聚(甲基)丙烯酸类结构中的至少1种结构的化合物。3.根据权利要求1所述的光固化性基底剂，其中，上述(c)聚合性化合物为具有(甲基)丙烯酰基、且具有选自氧基亚烷基结构及氨基甲酸酯类结构中的至少1种结构的化合物。4.根据权利要求2所述的光固化性基底剂，其中，上述(c)聚合性化合物为具有(甲基)丙烯酰基且具有氧基亚烷基结构的化合物。5.根据权利要求2所述的光固化性基底剂，其中，上述(c)聚合性化合物为氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯类化合物。6.根据权利要求2所述的光固化性基底剂，其中，上述(c)聚合性化合物为具有(甲基)丙烯酰基的聚(甲基)丙烯酸类化合物。7.根据权利要求1～6中任一项所述的光固化性基底剂，其中，上述(c)聚合性化合物为在分子内具有2个以上(甲基)丙烯酰基的化合物。8.根据权利要求1～7中任一项所述的光固化性基底剂，其中，上述(a)超支化聚合物为式[1]表示的超支化聚合物，式中，R1各自独立地表示氢原子或甲基，R2～R4各自独立地表示氢原子、碳原子数1～20的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数7～20的芳基烷基或-(CH2CH2O)mR5，其中，R5表示氢原子或甲基，m表示2～100的整数，所述烷基及芳基烷基可被烷氧基、羟基、铵基、羧基或氰基取代；或者R2～R4中...

【专利技术属性】
技术研发人员：森元雄大，小岛圭介，
申请(专利权)人：日产化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP