在{110}＜100＞取向的衬底上的基于半导体的大面积的柔性电子器件制造技术

本发明专利技术申请涉及在{110}<100>取向的衬底上的基于半导体的大面积的柔性电子器件。本文公开了新型制品和制造新型制品的方法，得到柔性的、{110}<100>或45°旋转的{110}<100>取向的、基于半导体的电子器件。所得到的制品在光伏器件、平板显示器、热光伏器件、铁电器件、发光二极管器件、计算机硬盘驱动器器件、基于磁阻的器件、基于光致发光的器件、非易失性存储器器件、介电器件、热电器件和量子点激光器件的领域中有潜在的应用。

Semiconductor based large area flexible electronic devices on substrates of {110} 100

The present invention relates to a large area of flexible electronic devices based on semiconductors in {110}< 100> oriented substrates. A novel article and a method of making a new article are disclosed. The flexible, {110}< 100> or 45 DEG rotating {110}< 100> oriented, semiconductor based electronic device. The products in photovoltaic devices, flat panel display, thermophotovoltaic device, ferroelectric devices, light emitting diodes, computer hard disk drive device, based on magnetoresistive devices, based on light emitting devices, nonvolatile memory devices, dielectric devices, thermoelectric devices and quantum dot lasers have potential applications in the field of.

【技术实现步骤摘要】
本申请是申请日为2008年09月09日，申请号为“200880129020.1”，专利技术名称为“在{110

【技术保护点】
一种多晶电子器件，包括：a.柔性的、退火的、多晶粒的金属或合金衬底，其具有相应于{110}<100>的一次再结晶织构或二次再结晶织构，具有小于10度的织构的镶嵌或锐利度；b.在所述衬底上的至少一个外延的多晶半导体器件层，所述半导体器件层具有相应于单取向的晶体织构。

【技术特征摘要】
2008.03.06 US PCT/US200...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿米特·戈亚尔，
申请(专利权)人：阿米特·戈亚尔，
类型：发明
国别省市：美国;US