一种掩膜板制造技术

本实用新型专利技术提供了一种掩膜板，所述掩膜板包括：完全透光区和完全不透光区；在所述完全透光区和所述完全不透光区之间的交界位置形成有用于与掩膜形成的开口图案的边界斜坡位置相对应的能够使得光部分透过的部分透光区。本实用新型专利技术所提供的掩膜板设置部分透光区，可以对由该掩膜板掩膜形成的过孔(VIA)等开口图案的边界处斜坡的坡度进行控制改良，与现有技术中相比，过孔等开口图案斜坡的坡度缓和，通过对过孔等开口图案的边界位置处的斜坡形状进行改良，以降低过孔等开口图案边缘曝光能量，从而提高过孔等开口图案刻蚀设备管控，降低上层ITO层发生不良，防止出现各种相关产品问题，提高良率。

Mask plate

The utility model provides a mask, the mask includes a transparent area and completely opaque area; between the transparent area and the completely opaque area at the junction to form the corresponding boundary slope position for opening pattern and mask formed the part light through the transparent area. The utility model provides a mask set light area, can be through holes by the mask mask formation (VIA) and an opening pattern at the boundary of the slope control improved, compared with the prior art, a hole opening pattern the slope ease, improved by boundary position of hole opening pattern of slope shape, to reduce the hole opening pattern edge exposure energy, thereby improving the hole opening pattern etching equipment control, reduce the occurrence of adverse upper ITO layer, to prevent the emergence of a variety of related products, improve the yield rate.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示
，尤其涉及一种掩膜板。
技术介绍
目前液晶显示面板的阵列基板上的薄膜晶体管电路为多层结构，需要通过VIA(过孔)连接不同层的电路，实际生产中经常由于过孔的边界斜坡的坡度(profile)较大，导致ITO(氧化铟锡)电极层沉积时发生断路(stepopen)，从而引发各种显示问题，产品良率大幅下降，生产成本随之升高。过孔的刻蚀profile很大程度上是受掩膜板的图案形状(maskprofile)影响，而掩膜板的图案形状(maskprofile)受曝光影响较大。通过改善过孔边缘的曝光量可在一定程度上降低过孔的坡度角。图1所示为现有技术的用于形成过孔的掩膜板的结构示意图。如图1所示，现有技术中，掩膜板的主要是通过激光在掩膜板1上开了一个开口，形成透光区2。正常曝光时，由于掩膜板1的透光区2透过光的能量密度呈正态分布形式，中间密度大，光刻胶(PR胶)3会完全曝光，而边缘密度小，光刻胶(PR胶)3会部分曝光，因而会形成一个类似锥形平台的过孔，过孔的边缘的倒角即为坡度角α。根据公式tanα＝2T/(D1-D2)，在PR胶厚度T不变的情况下，只有适当增大曝光剂量(dose)，透过光能量密度曲线变扁平，才能减小过孔的边缘坡度角，但是增大曝光剂量所形成的过孔的CD(CriticalDimension，关键尺寸)会变大，不符合设计需求。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种掩膜板，其是通过对掩膜板进行改进，可以使得利用该掩膜板形成的过孔，在不变更原产品设计的过孔CD的基础上，对过孔的边界位置处的斜坡形状(profile)进行改良，有效减小过孔的边界斜坡坡度角，从而增大过孔刻蚀设备管控(margin)，降低上层ITO层发生不良，防止出现各种相关产品问题，提高良率。本技术所提供的技术方案如下：一种掩膜板，包括：完全透光区和完全不透光区；在所述完全透光区和所述完全不透光区之间的交界位置形成有用于与掩膜形成的开口图案的边界斜坡位置相对应的能够使得光部分透过的部分透光区。进一步的，所述部分透光区包括能够使得光透过时发生光衍射现象的光衍射结构。进一步的，所述光衍射结构包括：在所述完全透光区和所述完全不透光区的交界位置处，沿所述完全透光区和所述完全不透光区的交界线间隔排列的多个衍射突起块。进一步的，相邻两个衍射突起块之间的间隙为能够使得在相邻两个衍射突起块之间发生光衍射现象的第一预设间隙，所述第一预设间隙小于掩膜工艺所采用的曝光机的分辨率。进一步的，所述衍射突起块的形状为三角形，多个所述衍射突起块呈锯齿状排列，且从靠近所述完全透光区一侧到靠近所述完全不透光区的一侧的方向上，相邻两个衍射突起块之间的距离逐渐减小。进一步的，所述衍射突起块与所述掩膜板的完全不透光区采用的材料相同，并连接为一体结构。进一步的，所述光衍射结构包括衍射遮光环，所述衍射遮光环环绕所述完全透光区和所述完全不透光区的交界线设置，并与所述完全不透光区的边缘之间具有第二预设间隙。进一步的，所述第二预设间隙能够使得光透过时发生光衍射现象，且所述第二预设间隙小于掩膜工艺所采用的曝光机的分辨率。进一步的，所述衍射遮光环为与所述掩膜板的完全不透光区采用相同的材料形成的完全不透光的矩形或圆形环结构。进一步的，所述部分透光结构包括：在所述完全透光区和所述完全不透光区的交界位置处设置的半透光膜。本技术的有益效果如下：本技术所提供的掩膜板，在完全透光区和完全不透光区的边界位置处设置部分透光区，可以对由该掩膜板掩膜形成的开口图案(如：过孔等)的边界处斜坡的坡度进行控制改良，与现有技术中相比，开口图案斜坡的坡度缓和，从而在不变更原产品设计的过孔CD的基础上，通过对开口图案的边界位置处的斜坡形状(profile)进行改良，以降低开口图案边缘曝光能量，从而提高开口图案刻蚀设备管控(margin)，降低上层ITO层发生不良，防止出现各种相关产品问题，提高良率。附图说明图1表示现有技术中的掩膜板形成过孔的示意图；图2表示本技术实施例1中提供的掩膜板形成过孔的示意图；图3表示本技术实施例1中提供的掩膜板的主视图；图4表示本技术实施例2中提供的掩膜板形成过孔的示意图；图5表示本技术实施例2中提供的掩膜板的主视图；图6表示本技术实施例3中提供的掩膜板形成过孔的示意图；图7表示本技术实施例3中提供的掩膜板的主视图。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例的附图，对本技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本技术的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术实施例中提供了一种掩膜板，其通过对掩膜板进行改进，可以使得利用该掩膜板形成的开口图案(如：过孔等)，在不变更原产品设计的开口图案CD的基础上，对掩膜形成的开口图案的边界位置处的斜坡形状(profile)进行改良，有效减小开口图案的边界斜坡坡度角，从而增大开口图案刻蚀设备管控(margin)，降低上层ITO层发生不良，防止出现各种相关产品问题，提高良率。如图2至7所示，本技术实施例所提供的掩膜板包括：完全透光区100和完全不透光区200；在所述完全透光区100和所述完全不透光区200之间的交界位置形成有用于与掩膜形成的开口图案的边界斜坡11位置相对应的、能够使得光部分透过的部分透光区。本技术所提供的掩膜板，在完全透光区100和完全不透光区200的边界位置处设置部分透光区，由于所述部分透光区可以使得部分光透光，可以减弱透过的光能量，从而，由于透过光经半透膜后能量被削弱，使得所形成的开口图案(如图中所示的过孔10)的边界位置处的光刻胶20部分曝光，与现有技术中相比，可以减小过孔10的边界斜坡11坡度角，从而在不变更原产品设计的开口图案CD的基础上，通过对开口图案的边界位置处的斜坡11形状(profile)进行改良，以降低开口图案边缘曝光能量，从而提高开口图案刻蚀设备管控(margin)，降低上层ITO层发生不良，防止出现各种相关产品问题，提高良率。其中，需要说明的是，光刻胶20可以是正性光刻胶20，也可以是负性光刻胶20。当光刻胶20为正性光刻胶20时，完全透光区100则用于掩膜形成过孔10；当光刻胶20为负性光刻胶20时，则完全不透光区200用于掩膜形成过孔10。还需要说明的是，所述开口图案可以包括过孔或其他开口图案。以下均以光刻胶20为正性光刻胶20，开口图案为过孔为例，来对本技术进行详细的说明。所述部分透光区可以是能够使得光透过时发生光衍射现象的光衍射结构，掩膜板上的完全透光区100的尺寸较现有技术中掩膜板的完全透光区100的尺寸可以略偏大(如图2中D3、图4中D4和图6中D5的尺寸大于图1中D1尺寸略偏大)，曝光时，适当增强曝光能量(dose)，通过部分透光区的光衍射结构，使得透过部分透光区的光发生光衍射现象，光能量被削弱，使得过孔10的边界位置处的光刻胶20部分曝光，从而减小过孔10的边界斜坡11的坡度角。此外，所述部分透光区还可以是在所述完全透光区100和所述完全不透光区20本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩膜板；所述掩膜板包括：完全透光区和完全不透光区；其特征在于，在所述完全透光区和所述完全不透光区之间的交界位置形成有用于与掩膜形成的开口图案的边界斜坡位置相对应的能够使得光部分透过的部分透光区。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜板；所述掩膜板包括：完全透光区和完全不透光区；其特征在于，在所述完全透光区和所述完全不透光区之间的交界位置形成有用于与掩膜形成的开口图案的边界斜坡位置相对应的能够使得光部分透过的部分透光区。2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述部分透光区包括能够使得光透过时发生光衍射现象的光衍射结构。3.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述光衍射结构包括：在所述完全透光区和所述完全不透光区的交界位置处，沿所述完全透光区和所述完全不透光区的交界线间隔排列的多个衍射突起块。4.根据权利要求3所述的掩膜板，其特征在于，相邻两个衍射突起块之间的间隙为能够使得在相邻两个衍射突起块之间发生光衍射现象的第一预设间隙，所述第一预设间隙小于掩膜工艺所采用的曝光机的分辨率。5.根据权利要求3所述的掩膜板，其特征在于，所述衍射突起块的形状为三角形，多个所述衍射突起块呈锯齿状排列，且从靠近所述完全透...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴四权，张心杰，陈号，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34