The invention relates to the field of electric pulse width measurement technology, especially relates to a single particle transient pulse width measuring circuit includes an input latch circuit to be tested and connected to the signal input terminal; at least one stage delay latch circuit in the first stage of the first delay input latch circuit and the measured signal input end connection. The first stage output delay second input latch circuit and a latch circuit is connected; when the single particle transient pulse width measuring circuit is composed of two above the level of the delayed latch circuit, from the second level delay latch circuit, the delay input latch circuit and a delay latch circuit the output end is connected; among them, in the signal input to measure single event transient signal, flip latch circuit driving at least one stage delay latch circuit in flip latch, will power The output end of each delay latch circuit in the output terminal of the circuit and at least one delay lock circuit is used as the signal output end of the single particle transient pulse width measuring circuit.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电脉冲宽度测量
,尤其涉及单粒子瞬态脉冲宽度测量电路、集成电路和电子设备。
技术介绍
随着航天、军事等领域技术的发展,越来越多的集成电路需要在辐射环境下工作。辐射对集成电路的效应主要分为两大类:单粒子效应和总剂量效应,总剂量效应是集成电路长期处在辐射环境中辐射效果积累所产生的效应,单粒子效应是辐射能量粒子进入集成电路后辐射效果即时作用所产生的效应。其中单粒子效应可细分为以下三类:单粒子软错误效应、具有潜在危险性的效应和单粒子硬错误效应。其中,单粒子软错误效应包括单粒子反转效应,单粒子瞬变效应,单粒子多翻转效应等,其能够在短时间内对电路节点产生干扰。具有潜在危险性的效应包括单粒子闩锁效应等,如不加以控制,可能会导致芯片发生单粒子烧毁。单粒子硬错误效应包括位移损伤等,其会使得芯片中的晶体管彻底不能工作。而,单粒子瞬变效应是常见的影响芯片性能的主要因素,当芯片放置在有辐射的环境中,周围能量粒子会注入到芯片内部,通过电离辐射能量粒子的运动轨迹上产生一定数目的电子、空穴对,它们在电场的作用下被电路节点吸收,改变节点电平,如果没有反馈回路,那么当单粒子作用的时间结束后,该节点电平又会恢复回原来的值,从而在电路中产生一个脉冲信号。对于单粒子效应进行研究与加固,必须搭建有效的测试环境,对瞬态脉冲信号宽度等特征进行准确测量。其中,测试环境往往选择地面辐照实验,通过模拟产生宇宙射线粒子对待测芯片进行轰击试验,模拟真实的宇宙空间辐射环境。在对脉冲信号宽度进行测量时,根据入射粒子种类能量等不同,产生的单粒子脉冲信号电平维持时间也不同,脉冲宽度可以从几十ps到 ...
【技术保护点】
一种单粒子瞬态脉冲宽度测量电路,其特征在于,包括待测信号输入端、锁存电路和至少一级延迟锁存电路;所述锁存电路的输入端与所述待测信号输入端连接;所述至少一级延迟锁存电路中的第一级延迟锁存电路的第一输入端与所述待测信号输入端连接,所述第一级延迟锁存电路的第二输入端与所述锁存电路的输出端连接;当所述单粒子瞬态脉冲宽度测量电路包含二级以上的延迟锁存电路时,从第二级延迟锁存电路开始,每级延迟锁存电路的两个输入端分别与前一级延迟锁存电路的两个输出端连接;其中,在所述待测信号输入端接入待测单粒子瞬态脉冲信号后,所述锁存电路发生翻转,进而,所述锁存电路驱动至少一级延迟锁存电路顺次发生翻转,将所述锁存电路的输出端和所述至少一级延迟锁存电路中各个延迟锁存电路的输出端作为所述单粒子瞬态脉冲宽度测量电路的信号输出端。
【技术特征摘要】
1.一种单粒子瞬态脉冲宽度测量电路,其特征在于,包括待测信号输入端、锁存电路和至少一级延迟锁存电路;所述锁存电路的输入端与所述待测信号输入端连接;所述至少一级延迟锁存电路中的第一级延迟锁存电路的第一输入端与所述待测信号输入端连接,所述第一级延迟锁存电路的第二输入端与所述锁存电路的输出端连接;当所述单粒子瞬态脉冲宽度测量电路包含二级以上的延迟锁存电路时,从第二级延迟锁存电路开始,每级延迟锁存电路的两个输入端分别与前一级延迟锁存电路的两个输出端连接;其中,在所述待测信号输入端接入待测单粒子瞬态脉冲信号后,所述锁存电路发生翻转,进而,所述锁存电路驱动至少一级延迟锁存电路顺次发生翻转,将所述锁存电路的输出端和所述至少一级延迟锁存电路中各个延迟锁存电路的输出端作为所述单粒子瞬态脉冲宽度测量电路的信号输出端。2.如权利要求1所述的单粒子瞬态脉冲宽度测量电路,其特征在于,所述锁存电路为两输入RS锁存器,所述两输入RS锁存器的置位输入端与所述待测信号输入端连接。3.如权利要求1所述的单粒子瞬态脉冲宽度测量电路,其特征在于,所述延迟锁存电路包括延迟子电路和锁存子电路。4.如权利要求3所述的单粒子瞬态脉冲宽度测量电路,其特征在于,所述第一级延迟锁存电路的延迟子电路的输入端与所述待测信号输入端连接,所述第一级延迟锁存电路的延迟子电路的输出端与所述第一级延迟...
【专利技术属性】
技术研发人员:宿晓慧,罗家俊,韩郑生,刘海南,郝乐,李欣欣,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,
类型:发明
国别省市:北京;11
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