高电源抑制比运算放大电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高电源抑制比运算放大电路，包括电流偏置子电路、与所述电流偏置子电路相连的第一级放大子电路、与所述第一级放大子电路相连的第二级放大子电路、连接于所述第一级放大子电路与所述第二级放大子电路之间用于提高所述高电源抑制比运算放大电路的电源抑制比的高电源抑制比子电路及连接于所述第一级放大子电路与所述第二级放大子电路之间用于控制环路稳定性的补偿电容，所述电流偏置子电路为高电源抑制比运算放大电路提供偏置电流，所述第一级放大子电路接收输入的差分信号并进行放大后传送至第二级放大子电路，所述第二级放大子电路对接收到的信号进行放大后输出。本实用新型专利技术提高了运算放大电路的高频段部分的电源抑制比。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及集成电路领域，特别是涉及一种用于模拟电路的数字系统高频段部分的高电源抑制比运算放大电路。
技术介绍
运算放大电路是通信和高速模拟转换系统中不可或缺的电路模组，在一些高速数字系统中，电路对于电源抑制比(PSRR，PowerSupplyRejectionRatio)的要求往往比一般系统高。在现有技术中，通常对两级运算放大电路采用米勒补偿技术来达到环路的稳定，虽然在低频段时电路的电源抑制比可以设计得足够高，但是对于高频段时电路的电源抑制比则无法达到要求，因此限制了运算放大电路在数字系统中的应用。因此，有必要提供一种用于模拟电路的数字系统高频段部分的高电源抑制比运算放大电路。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种用于模拟电路的数字系统高频段部分的高电源抑制比运算放大电路。本技术的目的是通过以下技术方案来实现的：一种高电源抑制比运算放大电路，包括电流偏置子电路、与所述电流偏置子电路相连的第一级放大子电路、与所述第一级放大子电路相连的第二级放大子电路、连接于所述第一级放大子电路与所述第二级放大子电路之间用于提高所述高电源抑制比运算放大电路的电源抑制比的高电源抑制比子电路及连接于所述第一级放大子电路与所述第二级放大子电路之间用于控制环路稳定性的补偿电容，所述电流偏置子电路为所述高电源抑制比运算放大电路提供偏置电流，所述第一级放大子电路接收输入的差分信号并进行放大后传送至所述第二级放大子电路，所述第二级放大子电路对接收到的信号进行放大后输出。所述第一级放大子电路包括第一场效应管、与所述第一场效应管相连的第二场效应管、第三场效应管、与所述第三场效应管相连的第四场效应管，所述第一场效应管与所述第二场效应管为用于接收输入的差分信号的差分输入对管，所述第二级放大子电路包括第五场效应管，所述电流偏置子电路包括第六场效应管、与所述第六场效应管相连的第七场效应管、与所述第七场效应管相连的第八场效应管、与所述第八场效应管相连的第九场效应管、与所述第九场效应管相连的第十场效应管、与所述第七场效应管相连的第十一场效应管、与所述第八场效应管相连的第十二场效应管、与所述第九场效应管相连的第十三场效应管、与所述第十场效应管相连的第十四场效应管、与所述第十一场效应管相连的第十五场效应管、与所述第十五场效应管相连的第十六场效应管、与所述第十六场效应管相连的第十七场效应管、与所述第十七场效应管相连的第十八场效应管、与所述第十八场效应管相连的第十九场效应管及第二十场效应管，所述高电源抑制比子电路包括所述第十场效应管、所述第十四场效应管、所述第十九场效应管、连接于所述第十四场效应管与所述第十九场效应管之间的第二十一场效应管及第一电容，所述补偿电容包括第二电容。所述第一场效应管的栅极与所述第二场效应管的栅极分别接收输入的差分信号，所述第一场效应管的源级与所述第二场效应管的源级共同连接所述第六场效应管的漏极，所述第一场效应管的漏极与所述第四场效应管的源级及所述第十八场效应管的漏极相连。所述第二场效应管的漏极与所述第三场效应管的源级及所述第十七场效应管的漏极相连；所述第三场效应管的栅极、所述第四场效应管的栅极、所述第十五场效应管的栅极及所述第二十一场效应管的栅极共同连接，所述第三场效应管的漏极与所述第七场效应管的栅极、所述第十一场效应管的漏极、所述第十二场效应管的漏极及所述第十五场效应管的漏极相连。所述第四场效应管的漏极与所述第十三场效应管的漏极、所述第十四场效应管的漏极、所述第一电容的一端、所述第五场效应管的栅极及所述第二十一场效应管的漏极相连；所述第五场效应管的漏极与所述第二十场效应管的漏极及所述第二电容的一端相连，并作为所述本技术高电源抑制比运算放大电路的输出端输出信号；所述第六场效应管的栅极、所述第八场效应管的栅极、所述第九场效应管的栅极及所述第十场效应管的栅极共同连接。所述第七场效应管的漏极与所述第十一场效应管的源级相连；所述第八场效应管的漏极与所述第十二场效应管的源级相连；所述第九场效应管的漏极与所述第十三场效应管的源级相连；所述第十场效应管的漏极与所述第十四场效应管的源级相连；所述第十一场效应管的栅极、所述第十二场效应管的栅极、所述第十三场效应管的栅极及所述第十四场效应管的栅极共同连接；所述第十五场效应管的源级与所述第十六场效应管的漏极相连。所述第十六场效应管的栅极、所述第十七场效应管的栅极、所述第十八场效应管的栅极、所述第十九场效应管的栅极及所述第二十场效应管的栅极共同连接；所述第十九场效应管的漏极与所述第二十一场效应管的源级及所述第二电容的另一端相连。所述第六场效应管的源级、所述第七场效应管的源级、所述第八场效应管的源级、所述第九场效应管的源级、所述第十场效应管的源级、所述第一电容的另一端及所述第五场效应管的源级共同连接电源端；所述第十六场效应管的源级、所述第十七场效应管的源级、所述第十八场效应管的源级、所述第十九场效应管的源级及所述第二十场效应管的源级共同连接地端。所述第一场效应管、所述第二场效应管、所述第五场效应管、所述第六场效应管、所述第七场效应管、所述第八场效应管、所述第九场效应管、所述第十场效应管、所述第十一场效应管、所述第十二场效应管、所述第十三场效应管、所述第十四场效应管为P型场效应管，所述第三场效应管、所述第四场效应管、所述第十五场效应管、所述第十六场效应管、所述第十七场效应管、所述第十八场效应管、所述第十九场效应管、所述第二十场效应管、所述第二十一场效应管为N型场效应管。本技术的有益效果是：提高了运算放大电路的高频段部分的电源抑制比，为运算放大电路应用于高速系统中提供了解决方案。附图说明图1为本技术高电源抑制比运算放大电路的结构框图；图2为本技术高电源抑制比运算放大电路的具体电路结构图。具体实施方式下面结合附图进一步详细描述本技术的技术方案，但本技术的保护范围不局限于以下所述。如图1所示，本技术高电源抑制比运算放大电路包括电流偏置子电路、与电流偏置子电路相连的第一级放大子电路、与第一级放大子电路相连的第二级放大子电路、连接于第一级放大子电路与第二级放大子电路之间的高电源抑制比子电路及连接于第一级放大子电路与第二级放大子电路之间的补偿电容。其中，电流偏置子电路用于为高电源抑制比运算放大电路提供偏置电流，第一级放大子电路用于接收输入的差分信号并进行放大后传送至第二级放大子电路，可为高电源抑制比运算放大电路提供高的增益，第二级放大子电路对接收到的信号进行放大后输出，并为高电源抑制比运算放大电路提供足够的输出摆幅，高电源抑制比子电路用于提高高电源抑制比运算放大电路的电源抑制比，补偿电容为用于控制环路稳定性的补偿电容。请同时参阅图2，图2为本技术高电源抑制比运算放大电路的具体电路结构图。在本技术中，第一级放大子电路包括第一场效应管M1、与第一场效应管M1相连的第二场效应管M2、第三场效应管M3、与第三场效应管M3相连的第四场效应管M4，第一场效应管M1、第二场效应管M2、第三场效应管M3及第四场效应管M4共同组成了折叠式共源共栅的第一级放大子电路，其中，第一场效应管M1与第二场效应管M2为差分输入对管，用于接收输入的差分信号；第二级放大子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高电源抑制比运算放大电路，其特征在于：所述高电源抑制比运算放大电路包括电流偏置子电路、与所述电流偏置子电路相连的第一级放大子电路、与所述第一级放大子电路相连的第二级放大子电路、连接于所述第一级放大子电路与所述第二级放大子电路之间用于提高所述高电源抑制比运算放大电路的电源抑制比的高电源抑制比子电路及连接于所述第一级放大子电路与所述第二级放大子电路之间用于控制环路稳定性的补偿电容，所述电流偏置子电路为所述高电源抑制比运算放大电路提供偏置电流，所述第一级放大子电路接收输入的差分信号并进行放大后传送至所述第二级放大子电路，所述第二级放大子电路对接收到的信号进行放大后输出。

【技术特征摘要】
1.一种高电源抑制比运算放大电路，其特征在于：所述高电源抑制比运算放大电路包括电流偏置子电路、与所述电流偏置子电路相连的第一级放大子电路、与所述第一级放大子电路相连的第二级放大子电路、连接于所述第一级放大子电路与所述第二级放大子电路之间用于提高所述高电源抑制比运算放大电路的电源抑制比的高电源抑制比子电路及连接于所述第一级放大子电路与所述第二级放大子电路之间用于控制环路稳定性的补偿电容，所述电流偏置子电路为所述高电源抑制比运算放大电路提供偏置电流，所述第一级放大子电路接收输入的差分信号并进行放大后传送至所述第二级放大子电路，所述第二级放大子电路对接收到的信号进行放大后输出。2.根据权利要求1所述的高电源抑制比运算放大电路，其特征在于：所述第一级放大子电路包括第一场效应管、与所述第一场效应管相连的第二场效应管、第三场效应管、与所述第三场效应管相连的第四场效应管，所述第一场效应管与所述第二场效应管为用于接收输入的差分信号的差分输入对管，所述第二级放大子电路包括第五场效应管，所述电流偏置子电路包括第六场效应管、与所述第六场效应管相连的第七场效应管、与所述第七场效应管相连的第八场效应管、与所述第八场效应管相连的第九场效应管、与所述第九场效应管相连的第十场效应管、与所述第七场效应管相连的第十一场效应管、与所述第八场效应管相连的第十二场效应管、与所述第九场效应管相连的第十三场效应管、与所述第十场效应管相连的第十四场效应管、与所述第十一场效应管相连的第十五场效应管、与所述第十五场效应管相连的第十六场效应管、与所述第十六场效应管相连的第十七场效应管、与所述第十七场效应管相连的第十八场效应管、与所述第十八场效应管相连的第十九场效应管及第二十场效应管，所述高电源抑制比子电路包括所述第十场效应管、所述第十四场效应管、所述第十九场效应管、连接于所述第十四场效应管与所述第十九场效应管之间的第二十一场效应管及第一电容，所述补偿电容包括第二电容。3.根据权利要求2所述的高电源抑制比运算放大电路，其特征在于：所述第一场效应管的栅极与所述第二场效应管的栅极分别接收输入的差分信号，所述第一场效应管的源级与所述第二场效应管的源级共同连接所述第六场效应管的漏极，所述第一场效应管的漏极与所述第四场效应管的源级及所述第十八场效应管的漏极相连。4.根据权利要求3所述的高电源抑制比运算放大电路，其特征在于：所述第二场效应管的漏极与所述第三场效应管的源级及所述第十七场效应管的漏极相连；所述第三场效应管的栅极、所述第四场效应管的栅极、所述第十五场效应管的栅极及所述第二十一场效应管的栅极共同连接，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐浩月，
申请(专利权)人：成都锐成芯微科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51