【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
诸如内插器的互连基板或部件出于各种目的用于电子组件中,诸如方便实现具有不同连接配置的部件之间的连接或在微电子组件中的各部件之间提供所需的间隔等等。内插器可包括呈材料片或材料层形式的半导体层,诸如硅层等,该半导体层具有导电元件,诸如在延伸穿过半导体材料层的开口内延伸的导电通孔。导电通孔可用于将信号通过内插器传输。在一些内插器中,通孔的端部可以暴露在外并且可用作接触焊盘,用于将内插器连接至其他微电子部件。在其他例子中,可在内插器的一个或多个侧面上形成一个或多个重新分布层,并且这些重新分布层与通孔的一个或两个端部连接。重新分布层可包括在一个或多个电介质片或电介质层之上或之中延伸的许多导电迹线。迹线可设置在遍及单个电介质层、且由层内的部分电介质材料隔开的一个层级中或多个层级中。通孔也可包括在重新分布层中,以便将重新分布层的不同层级中的迹线互连。此类内插器1的一个例子如图A所示,图A示出了延伸通过基板2的通孔3。基板2的半导体材料可借由位于基板2和通孔3之间的阻挡层4与通孔3绝缘。重新分布层5被示为具有穿过其间的路由电路6。即使存在阻挡层4,但由于通孔3中会因半导体层2的电容特性而形成阻抗,例如尤其是在通孔3的区域之间形成阻抗,因此基板2采用半导体材料的结构会表现出通过通孔3的插入损耗水平存在问题。这种现象表示在图B中,图B的示例性电路图示出了基板2的半导体材料的电容和电阻的效应,该效应在区域7造成了信 ...
【技术保护点】
一种用于微电子组件中的互连部件,所述互连部件包括:半导体材料层,所述半导体材料层具有第一表面和第二表面,所述第二表面与所述第一表面相对并且在第一方向上与所述第一表面间隔开所述半导体材料层的厚度;至少两个金属化通孔,每个所述金属化通孔延伸穿过所述半导体材料层,并且具有位于所述第一表面的第一端部和位于所述第二表面的第二端部,所述至少两个金属化通孔中的第一对在正交于所述第一方向的第二方向上彼此间隔开;以及所述半导体层中的第一绝缘通孔,所述第一绝缘通孔从所述第一表面朝所述第二表面延伸,所述绝缘通孔被定位成使得所述绝缘通孔的几何中心处于两个平面之间,所述两个平面正交于所述第二方向,并且通过所述至少两个金属化通孔中的所述第一对中的每一个;以及电介质材料,所述电介质材料至少部分地填充所述第一绝缘通孔,或者至少部分地封闭所述绝缘通孔中的空隙。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.08.08 US 13/962,3491.一种用于微电子组件中的互连部件,所述互连部件包括:
半导体材料层,所述半导体材料层具有第一表面和第二表面,
所述第二表面与所述第一表面相对并且在第一方向上与所述第一表
面间隔开所述半导体材料层的厚度;
至少两个金属化通孔,每个所述金属化通孔延伸穿过所述半导
体材料层,并且具有位于所述第一表面的第一端部和位于所述第二
表面的第二端部,所述至少两个金属化通孔中的第一对在正交于所
述第一方向的第二方向上彼此间隔开;以及
所述半导体层中的第一绝缘通孔,所述第一绝缘通孔从所述第
一表面朝所述第二表面延伸,所述绝缘通孔被定位成使得所述绝缘
通孔的几何中心处于两个平面之间,所述两个平面正交于所述第二
方向,并且通过所述至少两个金属化通孔中的所述第一对中的每一
个;以及
电介质材料,所述电介质材料至少部分地填充所述第一绝缘通
孔,或者至少部分地封闭所述绝缘通孔中的空隙。
2.根据权利要求1所述的互连部件,其中所述内部体积的所有部分的
导电率均不大于所述半导体材料层的导电率。
3.根据权利要求1所述的互连部件,其中所述内部体积的至少一部分
是真空空隙或充气空隙。
4.根据权利要求1所述的互连部件,其中所述内部体积的至少一部分
由介电常数小于2.0的电介质材料占据。
5.根据权利要求1所述的互连部件,其中所述绝缘通孔被定位成使得
穿过所述第一对金属化通孔中的每一个的理论线经过所述第一绝缘
开口的所述几何中心。
6.根据权利要求1所述的互连部件,其中所述开口在垂直于所述第二
方向的方向上具有长度,所述长度大于所述至少两个金属化通孔中
的所述第一对之间的距离。
7.根据权利要求1所述的互连部件,其中所述绝缘通孔至少部分地围
绕所述至少两个金属化通孔中的所述第一对中的一个金属化通孔。
8.根据权利要求7所述的互连部件,其中所述绝缘通孔连续地围绕至
少一个所述金属化通孔的至少一部分。
9.根据权利要求1所述的互连部件,其中所述绝缘通孔是所述半导体
材料层中预定区域内的多个绝缘通孔中的一个,所述绝缘通孔被布
置成至少部分地围绕所述金属化通孔中的至少一个。
10.根据权利要求9所述的互连部件,其中所述预定区域内的所述绝缘
通孔是圆柱形的,并且被布置成至少一行,所述行大体在垂直于所
述第二方向和所述第一方向的第三方向上延伸。
11.根据权利要求1所述的互连部件,其中所述绝缘通孔延伸穿过所述
半导体材料层的整个厚度。
12.根据权利要求1所述的互连部件,其中所述至少两个金属化通孔中
的第二对在正交于所述第一方向的第三方向上彼此间隔开,所述互
连部件还包括所述半导体层中的第二绝缘通孔,所述第二绝缘通孔
被定位成使得所述绝缘通孔的几何中心处于两个平面之间,所述两
个平面正交于所述第三方向,并且通过所述至少两个金属化通孔中
的所述第二对中的每一个。
13.根据权利要求12所述的互连部件,其中所述第一对金属化通孔中的
一个通孔包括在所述第二对金属化通孔中。
14.根据权利要求12所述的互连部件,其中所述第一绝缘通孔在平行于
所述第一表面的截面中定义第一区域,所述第二绝缘通孔在平行于
所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:C·E·尤佐,孙卓文,
申请(专利权)人:伊文萨思公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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