晶片的处理方法技术

本发明专利技术的目的在于，提供一种晶片的处理方法，其是在借助胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的状态下对晶片进行处理的晶片的处理方法，所述晶片的处理方法虽然具有实施药液处理、加热处理或伴随发热的处理的晶片处理工序，但仍然可在晶片处理工序时维持充分的粘接力，并且，能够在晶片处理工序结束后将支承板从晶片剥离而不会损伤晶片或发生胶糊残留。本发明专利技术为一种晶片的处理方法，其具有：支承板固定工序，其是借助含有固化型胶粘剂成分的胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的工序，其中，所述固化型胶粘剂成分是通过光照射或加热而发生交联、固化的固化型胶粘剂成分；胶粘剂固化工序，其是对所述胶粘剂组合物照射光或进行加热而使固化型胶粘剂成分交联、固化的工序；晶片处理工序，其是对固定于所述支承板的晶片的表面实施药液处理、加热处理或伴随发热的处理的工序；和支承板剥离工序，其是从所述处理后的晶片剥离支承板的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种晶片的处理方法，其为在借助胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的状态下对晶片进行处理的方法，所述晶片的处理方法虽然具有实施药液处理、加热处理或伴随发热的处理的晶片处理工序，但仍然可在晶片处理工序时维持充分的粘接力，并且，能够在晶片处理工序结束后将支承板从晶片剥离而不会损伤晶片或发生胶糊残留。
技术介绍
在半导体芯片的制造工序中，为了在晶片的加工时易于操作或不发生破损，而将晶片固定于支承板。例如，在将从高纯度的硅单晶等切下的厚膜晶片磨削至规定的厚度而制成薄膜晶片时，借助胶粘剂组合物将厚膜晶片粘接于支承板。对于将晶片粘接于支承板的胶粘剂组合物来说，需要在加工工序中尽可能牢固地将晶片固定的高粘接性，并且需要在工序结束后能够无损伤地将晶片剥离(以下，也称为“高粘接易剥离”。)。作为实现高粘接易剥离的胶粘剂组合物，专利文献1中记载了使用了具有下述粘接层的双面粘接带的晶片的处理方法，其中，所述粘接层含有通过偶氮化合物等的刺激而产生气体的气体发生剂。专利文献1所记载的晶片的处理方法中，首先，借助双面粘接带将晶片固定于支承板。在这种状态下进行磨削工序等，然后当赋予刺激时，由气体发生剂产生的气体被释放至胶带的表面与晶片的界面，通过其压力使至少一部分发生剥离。若使用专利文献1的双面粘接带，则不会损伤晶片，并且，能够不发生胶糊残留地进行剥离。另一方面，伴随着近年来的半导体芯片的高性能化，已开始进行对晶片的表面实施药液处理、加热处理或伴随发热的处理的工序。例如，作为新一代的技术，使用了将多个半导体芯片层叠而使器件飞跃性地发生高性能化、小型化的TSV(Si通孔/Through Si via)的3维层叠技术受到关注。TSV除了能够实现半导体安装的高密度化外，还能够通过缩短连接距离而实现低噪音化、低电阻化，并且存取速度飞跃性地加快，在使用中所产生的热的释放也优异。在这种TSV的制造中，需要进行使经磨削而得的薄膜晶片造成凹凸、或在背面形成凸出、或在3维层叠时进行回焊等200℃以上的高温处理工艺。在伴随这种严酷的晶片处理工序的晶片的处理中，对于专利文献1中记载的现有的晶片的处理方法而言，有时在对晶片的表面实施药液处理的工序中胶粘剂组合物受到侵害而导致粘接力下降，或者，反之胶粘剂组合物因高温而使粘接加强而导致剥离性下降。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2003-231872号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术鉴于上述现状，其目的在于提供一种晶片的处理方法，其为在借助胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的状态下对晶片进行处理的晶片的处理方法，所述晶片的处理方法虽然具有实施药液处理、加热处理或伴随发热的处理的晶片处理工序，但仍然可在晶片处理工序时维持充分的粘接力，并且，能够在晶片处理工序结束后将支承板从晶片剥离而不会损伤晶片或发生胶糊残留。用于解决课题的手段本专利技术为一种晶片的处理方法，其具有：支承板固定工序，其是借助含有固化型胶粘剂成分的胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的工序，其中，所述固化型胶粘剂成分是通过光照射或加热而发生交联、固化的胶粘剂成分；胶粘剂固化工序，其是对所述胶粘剂组合物照射光或进行加热而使固化型胶粘剂成分交联、固化的工序；晶片处理工序，其是对固定于所述支承板的晶片的表面实施药液处理、加热处理或伴随发热的处理的工序；和支承板剥离工序，其是从所述处理后的晶片剥离支承板的工序。以下，对本专利技术进行详述。本专利技术的晶片的处理方法中，首先，进行借助含有固化型胶粘剂成分的胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的支承板固定工序，其中，所述固化型胶粘剂成分是通过光照射或加热而发生交联、固化的固化型胶粘剂成分。通过将晶片固定于支承板，可使加工时易于操作或不发生破损。作为上述支承板，只要是具有充分的强度、耐热性、耐化学试剂性优异、且可使光透过或通过的支承板，就没有特别限定，可举出玻璃板、石英板、蓝宝石板等。作为上述支承板，例如还可以使用AF32(Schott公司制)、borofloat 33(Schott公司制)等市售品。上述胶粘剂组合物含有通过光照射而发生交联、固化的光固化型胶粘剂成分；或者，通过加热而发生交联、固化的热固化型胶粘剂成分。作为上述光固化型胶粘剂成分，例如，可举出以聚合性聚合物为主成分、且含有光聚合引发剂的光固化型胶粘剂。作为上述热固化型胶粘剂成分，例如，可举出以聚合性聚合物为主成分、且含有热聚合引发剂的热固化型胶粘剂。上述聚合性聚合物例如通过如下方式得到：预先合成分子内具有官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物(以下，称为含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物)，再使其与分子内具有可与上述官能团反应的官能团、和自由基聚合性的不饱和键的化合物(以下，称为含官能团不饱和化合物)反应。上述含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物作为常温下具有粘合性的聚合物，与通常的(甲基)丙烯酸系聚合物的情形同样地，可通过下述方法得到：以烷基的碳数通常处于2～18的范围的丙烯酸烷基酯和/或甲基丙烯酸烷基酯为主单体，通过常规方法，使其与含官能团单体、以及根据需要使用的能够与它们共聚的其他改性用单体发生共聚。上述含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物的重均分子量通常为20万～200万左右。作为上述含官能团单体，例如可举出：丙烯酸、甲基丙烯酸等含羧基单体；丙烯酸羟基乙酯、甲基丙烯酸羟基乙酯等含羟基单体；丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯等含环氧基单体；丙烯酸异氰酸酯乙酯、甲基丙烯酸异氰酸酯乙酯等含异氰酸酯基单体；丙烯酸氨基乙酯、甲基丙烯酸氨基乙酯等含氨基单体等。作为上述能够共聚的其他的改性用单体，例如可举出乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等通常的用于(甲基)丙烯酸系聚合物中的各种单体。作为与上述含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物反应的含官能团不饱和化合物，可以根据上述含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物的官能团而使用与上述的含官能团单体相同的化合物。例如，在上述含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物的官能团为羧基时，可以使用含环氧基单体、含异氰酸酯基单体，在该官能团为羟基时，可以使用含异氰酸酯基单体，在该官能团为环氧基时，可以使用含羧基单体、丙烯酰胺等含酰胺基单体，在该官能团为氨基时，可以使用含环氧基单体。上述聚合性聚合物中，自由基聚合性的不饱和键的含量的优选下限为0.01meq/g、优选的上限为2.0meq/g。若上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片的处理方法，其特征在于，具有：支承板固定工序，其是借助含有固化型胶粘剂成分的胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的工序，其中，所述固化型胶粘剂成分是通过光照射或加热而发生交联、固化的胶粘剂成分；胶粘剂固化工序，其是对所述胶粘剂组合物照射光或进行加热而使固化型胶粘剂成分交联、固化的工序；晶片处理工序，其是对固定于所述支承板的晶片的表面实施药液处理、加热处理或伴随发热的处理的工序；和支承板剥离工序，其是从所述处理后的晶片剥离支承板的工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.08.10 JP 2012-178576;2012.12.03 JP 2012-264461.一种晶片的处理方法，其特征在于，具有：
支承板固定工序，其是借助含有固化型胶粘剂成分的胶粘剂组合物将
晶片固定于支承板的工序，其中，所述固化型胶粘剂成分是通过光照射或
加热而发生交联、固化的胶粘剂成分；
胶粘剂固化工序，其是对所述胶粘剂组合物照射光或进行加热而使固
化型胶粘剂成分交联、固化的工序；
晶片处理工序，其是对固定于所述支承板的晶片的表面实施药液处<...

【专利技术属性】
技术研发人员：麻生隆浩，利根川亨，上田洸造，薮口博秀，
申请(专利权)人：积水化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP