【技术实现步骤摘要】
本专利技术关于一种铜合金接合线,其适合将用于半导体装置的IC晶片电极与外部引线架等的基板连接。
技术介绍
一般而言,在铜接合线与电极的第一接合之中,是使用称为球焊的方式;在铜接合线与半导体用电路配线基板上的配线的楔形接合之中,是使用称为楔焊的方式。第一接合,是以放电结球(EFO,electronicframeoff)方式从炬电极(torchelectrode)对线材的前端施加热电弧,以使线材的前端形成被称为焊球(FAB)的正球。接着,一边以焊针(capillary)将该FAB按压于经在150-300℃的温度范围内加热的铝垫上,一边施加超音波(超声波),以使接合线与铝垫接合。接着,一边抽出接合线一边使焊针上升,并一边朝向引线架绘制回路一边将焊针移动至楔焊处。若以图示进行说明,以焊针进行的楔焊则如图1所示,可将接合线1楔焊于引线架3。此时,经楔焊的接合线1的端部被焊针2的前端部压扁,如图2所示,接合处的线材面积变为最小。再者,之后切除接合线1。若以位于焊针2上部的线材夹持器4夹住接合线1并将其向上拉起,则如图3所示,在残留的接合线1的前端部分,线材可简单地被切断。接着,将焊针移动至第一接合处,此步骤在图示中省略。接着,在放电炬(dischargetorch)的位置进行火花放电,在接合线的前端形成熔融焊球(FAB),以使接合线与铝垫进行第一接合。重复这样的接合循环,通过接合线1依序将垫片与引线架3之间连接。接合线1被图1左侧的焊针2的前端部压扁,故被切断的接合线1依照既定的杨氏系数而变形。该变形形状在金(Au)的情况与铜(Cu)的情况会不同。金接合线的情况下, ...
【技术保护点】
一种铜合金接合线,其特征在于:单位剖面积的铜合金的晶粒为50‑250个,其最大粒径为接合线直径的1/3以下,且为特定方向皆在40%以下的无方向性。
【技术特征摘要】
2015.08.28 JP 2015-1687131.一种铜合金接合线,其特征在于:单位剖面积的铜合金的晶粒为50-250个,其最大粒径为接合线直径的1/3以下,且为特定方向皆在40%以下的无方向性。2.根据权利要求1所述的铜合金接合线,其特征在于,该铜合金是由下述成分所构成:金为100质量ppm以上3000质量ppm以下、银为10质量ppm以上1000质量ppm以下和/或磷为5质量ppm以上500质量ppm以下;其他杂质元素的总量为100质量ppm以下;及剩余部份为铜。3.根据权利要求1所述的铜合金接合线,其特征在于,该铜合金是...
【专利技术属性】
技术研发人员:天野裕之,三苫修一,滨本拓也,
申请(专利权)人:田中电子工业株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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