钯覆盖铜接合线、钯覆盖铜接合线的制造方法、使用了其的半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种钯覆盖铜接合线，其具有以铜作为主要成分的芯材、和芯材上的钯层，钯相对于引线整体的浓度为1.0质量％～4.0质量％，引线的伸长率为2％以上最大伸长率εmax％以下的变化量时的加工硬化系数为0.20以下。下的变化量时的加工硬化系数为0.20以下。下的变化量时的加工硬化系数为0.20以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】钯覆盖铜接合线、钯覆盖铜接合线的制造方法、使用了其的半导体装置及半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及适于半导体元件的电极与外部电极的球焊的钯覆盖铜接合线、其制造方法、使用了其的半导体装置及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]一般而言，半导体元件的电极与半导体用电路布线基板上的外部电极通过引线接合来连接。在该引线接合中，通过被称为球接合的方式使半导体元件的电极与接合线的一端被接合(第一接合)，通过被称为楔形接合的方式，使接合线的另一端与外部电极接合(第二接合)。在球接合中，在接合线的前端形成熔融球，通过该熔融球将接合线连接于例如半导体元件上的铝电极表面。
[0003]在熔融球的形成中，首先，将接合线的前端设定为铅直方向并保持，通过放电结球(EFO)方式在引线前端与放电焊枪之间形成电弧放电，通过该放电电流对引线前端给予热量输入。通过该热量输入，接合线的前端被加热而熔融。熔融金属通过其表面张力在引线中上升，在引线前端形成真球状的熔融球，通过凝固而形成无空气球(FAB)。然后，通过在一边将半导体元件的电极加热至140～30本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种钯覆盖铜接合线，其特征在于，其是具有以铜作为主要成分的芯材和所述芯材上的钯层的钯覆盖铜接合线，其中，钯相对于引线整体的浓度为1.0质量％～4.0质量％，伸长率为2％以上且最大伸长率εmax％以下的加工硬化系数为0.20以下。2.根据权利要求1所述的钯覆盖铜接合线，其中，包含至少1种硫族元素，所述硫族元素相对于引线整体的合计的浓度以除所述以铜作为主要成分的芯材来源的硫族元素以外的浓度计为50质量ppm以下。3.根据权利要求1或2所述的钯覆盖铜接合线，其中，包含至少1种硫族元素，以从所述硫族元素相对于引线整体的浓度中除去所述以铜作为主要成分的芯材来源的硫族元素的浓度计，硫浓度为5.0质量ppm～12.0质量ppm、或硒浓度为5.0质量ppm～20.0质量ppm或碲浓度为15.0质量ppm～50.0质量ppm。4.根据权利要求1至3中任一项所述的钯覆盖铜接合线，其中，相对于引线整体合计包含1质量ppm～3质量％的选自Au、Pd、Pt、Rh、Ni、In、Ga、P、Ag、Fe及Tl中的1种以上的微量元素。5.根据权利要求1至4中任一项所述的钯覆盖铜接合线，其中，所述钯覆盖铜接合线包含选自Au、Pd、Pt、Rh、Ni、In、Ga、P、Ag、Fe及Tl中的1种以上的微量元素，并且，作为所述微量元素，在包含选自Au、Pd、Pt、Rh及Ni中的1种以上的情况下它们的含量相对于引线整体合计为0.05质量％～3质量％，在包含In和Ga中的1种以上的情况下它们的含量相对于引线整体合计为0.01质量％～0.7质量％，在包含P的情况下其含量相对于引线整体为5质量ppm～500质量ppm，在包含Ag、Fe及Tl中的1种以上的情况下它们的含量相对于引线整体合计为1质量ppm～100质量ppm。6.根据权利要求1至5中任一项所述的钯覆盖铜接合线，其中，相对于所述钯覆盖铜接合线的整体，所述钯层来源的钯浓度为1.0质量％～2.5质量％。7.根据权利要求1至6中任一项所述的钯覆盖铜接合线，其中，在所述钯层上具有金的层。8.根据权利要求1至7中任一项所述的钯覆盖铜接合线，其中，所述钯覆盖铜接合线的线径为10μm～25μm。9.一种钯覆盖铜接合线的制造方法，其中，具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：高田满生，前田菜那子，松泽修，石川良，小林卓也，
申请(专利权)人：田中电子工业株式会社，
类型：发明
国别省市：