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钯覆盖铜接合线、钯覆盖铜接合线的制造方法、使用了其的半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸
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文档序号:31501116
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本发明提供一种钯覆盖铜接合线,其具有以铜作为主要成分的芯材、和芯材上的钯层,钯相对于引线整体的浓度为1.0质量%~4.0质量%,引线的伸长率为2%以上最大伸长率εmax%以下的变化量时的加工硬化系数为0.20以下。下的变化量时的加工硬化系数...
该专利属于田中电子工业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过田中电子工业株式会社授权不得商用。
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