碳化硅单晶的制造方法和碳化硅基板技术

一种碳化硅单晶的制造方法，所述方法包括以下步骤：准备具有粘接部(Bp)和阶梯部(Sp)的支撑构件(20b)，阶梯部(Sp)配置在所述粘接部(Bp)的周缘的至少一部分处；和在阶梯部(Sp)上配置缓冲材料。粘接部(Bp)和缓冲材料(2)构成支撑面(Sf)。此外，这种制造方法还包括以下步骤：在支撑面(Sf)上配置种晶(10)并将所述粘接部(Bp)与所述种晶(10)互相粘接；和在种晶(10)上生长单晶(11)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及碳化硅单晶的制造方法和碳化硅基板。
技术介绍
许多碳化硅基板(晶圆)使用升华法(所谓的“改良Lely法”)进行制造(例如，参见日本特开2004-269297号公报(专利文献1)和日本特开2004-338971号公报(专利文献2))。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2004-269297号公报专利文献2：日本特开2004-338971号公报
技术实现思路
本公开的一种实施方式的碳化硅单晶的制造方法包括以下步骤：准备具有粘接部和阶梯部的支撑构件，所述阶梯部配置在所述粘接部的周缘的至少一部分处；在所述阶梯部上配置缓冲材料，所述粘接部和所述缓冲材料构成支撑面；在所述支撑面上配置种晶并将所述粘接部与所述种晶互相粘接；和在所述种晶上生长单晶。本公开的一种实施方式的碳化硅基板具有150mm以上的直径，并且包括：直径为50mm的中心区域；和外周区域，所述外周区域沿外周端形成并且与所述外周端的距离在10mm以内，如果假定基准取向表示在所述中心区域内的任意三点处测定的晶面取向的平均值，则所述基准取向与在所述外周区域内的任意点处测定的晶面取向之间的偏差为200角秒以下。附图说明图1为示意性显示本公开的一种实施方式的碳化硅单晶的制造方法的流程图。图2为说明本公开的一种实施方式的碳化硅单晶的制造方法的一部分的示意剖视图。图3为显示本公开的一种实施方式的示例性支撑构件的平面示意图。图4为显示本公开的一种实施方式的另一种示例性支撑构件的平面示意图。图5为显示本公开的一种实施方式的示例性支撑构件的示意剖视图。图6为显示本公开的一种实施方式的碳化硅基板的示例性构造的平面示意图。图7为说明晶面取向的偏差的示例性测定方法的示意图。具体实施方式[本公开的实施方式的说明]首先，列出本公开的实施方式并进行说明。在以下的说明中，相同或相应的要素给予相同的参考符号并且不重复说明。关于本说明书中的结晶学记载，个别取向由[]表示，集合取向由<>表示，个别面由()表示，和集合面由{本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碳化硅单晶的制造方法，所述方法包括以下步骤：准备具有粘接部和阶梯部的支撑构件，所述阶梯部配置在所述粘接部的周缘的至少一部分处；在所述阶梯部上配置缓冲材料，所述粘接部和所述缓冲材料构成支撑面；在所述支撑面上配置种晶并将所述粘接部与所述种晶互相粘接；和在所述种晶上生长单晶。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.07 JP 2014-1394321.一种碳化硅单晶的制造方法，所述方法包括以下步骤：准备具有粘接部和阶梯部的支撑构件，所述阶梯部配置在所述粘接部的周缘的至少一部分处；在所述阶梯部上配置缓冲材料，所述粘接部和所述缓冲材料构成支撑面；在所述支撑面上配置种晶并将所述粘接部与所述种晶互相粘接；和在所述种晶上生长单晶。2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶的制造方法，其中，所述支撑面具有圆形的平面形状，并且如果设所述支撑面的直径为d1，则所述阶梯部位于包含所述支撑面的中心点且直径为0.5d1以上的中心区域的外侧。3.根据权利要求1或2所述的碳化硅单晶的制造方法，其中，在所述配置缓冲材料的步骤中，所述缓冲材料以相对于所述支撑构件的中心轴成轴对称的方式配置。4.根据权利要求1所述的碳化硅单晶的制造方法，其中，在所述配置缓冲材料的步骤中，所述缓冲材料以相对于所述支撑构件的中心点成点对称的方式配置。5.根据权利要求1至4中任一项所述的碳化硅单晶的制造方法，其中，所述支撑构件包括具有所述粘接部的第一支撑构件和与所述第一支撑构件...

【专利技术属性】
技术研发人员：川濑智博，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP