用于处理单片化射频单元的设备和方法技术

用于处理单片化射频(RF)单元的设备和方法。在一些实施例中，用于处理单片化RF封装的设备可以包括具有多个孔的板。每个孔的尺寸可以被设置为接纳和定位单片化RF封装，从而便于对定位在相应孔中的单片化RF封装的处理。在一些实施例中，这样的设备可以用于批量处理大量的RF封装，如同RF封装仍然是面板格式。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】对相关申请的交叉引用本申请要求2014年5月12日提交的题为“RADIO-FREQUENCYDEVICESPACKAGEDONCERAMICSUBSTRATES,ANDAPPARATUSANDMETHODSFORHIGHVOLUMEMANUFACTURING”的第61/992,156号美国临时申请以及2014年7月31日提交的题为“DEVICESANDMETHODSRELATEDTOPROCESSINGSINGULATEDRADIO-FREQUENCYUNITS”的第62/031,816号美国临时申请的优先权，其每一个的公开内容通过引用全部明确并入本文。
本专利技术涉及一种封装电子模块(诸如射频(RF)模块)的加工。
技术介绍
在射频(RF)应用中，RF电路和相关的设备可以被实现在封装模块中。然后，这种封装模块可以被安装在电路板上，诸如电话板。
技术实现思路
根据多个实现方式，本公开涉及用于处理单片化(singulated)射频(RF)封装的设备。所述设备包括具有多个孔的板，每个孔的尺寸被设置为接纳和定位单片化RF封装，从而便于对位于相应孔中的单片化RF封装的处理。在一些实施例中，每个孔可以具有矩形形状，其尺寸被选择为允许在其中接纳和定位单片化RF封装。可以选择孔的矩形形状的尺寸以提供单片化RF封装相对于板的足够精确的定位。孔可以包括在矩形形状的孔的一个或多个拐角处的凸起特征，每个凸起特征的尺寸被设置为允许单片化RF封装的对应拐角的配合(fit)。在一些实施例中，孔的四个拐角中的每一个可以包括凸起特征。在一些实施例中，板可以包括被配置为提供指标和/或对准功能的一个或多个特征。例如，板可以具有矩形形状。一个或多个指标/对准特征中的至少一部分可以沿着矩形板的选择边缘定位。在一些实施例中，板可以包括上侧和下侧。下侧可以被配置为接纳带，使得孔暴露带的粘合剂侧的相应部分，从而便于保持定位在孔中的单片化RF封装。带被配置为承受与单片化RF封装的处理相关联的条件。板可以包括一个或多个带去除特征，带去除特征被配置为便于从板的下侧去除带。一个或多个带去除特征可以包括在板的选择边缘上实现的一个或多个凹口。在一些实施例中，板可以具有晶片状的形状。孔的尺寸被设置为接纳和定位单片化RF封装以便于保形遮蔽沉积处理。保形遮蔽沉积处理可以包括溅射沉积处理。在一些实施例中，板可以具有选择的厚度，以允许在单片化RF封装的处理期间以期望的方式将单片化RF封装定位和保持在相应孔中。例如，单片化RF封装可以是遮蔽RF封装。每个遮蔽RF封装可以包括覆盖遮蔽RF封装的上表面和至少一些侧壁的保形遮蔽层。可以选择厚度以允许遮蔽RF封装以相反取向定位在相应孔中，以允许在遮蔽RF封装的下侧上执行一个或多个处理步骤。遮蔽RF封装可以被配置为产生双面RF封装。在一些实施例中，单片化RF封装可以是未遮蔽RF封装。可以选择板的厚度以允许形成覆盖单片化RF封装的上表面和至少一些侧壁的保形遮蔽层。在一些教导中，本公开涉及一种用于处理单片化射频(RF)封装的方法。所述方法包括：将多个单片化RF封装定位在由板限定的相应孔中，使得以期望的阵列保持单片化RF封装。所述方法还包括在由板保持单片化RF封装的同时对单片化RF封装执行一个或多个处理步骤。在一些实施例中，所述方法还可以包括在将单片化RF封装定位到孔中之前，在板的一侧上应用带，使得带的粘合剂侧的相应部分通过孔暴露，从而便于保持单片化RF封装。例如，单片化RF封装可以是遮蔽RF封装。每个遮蔽RF封装可以包括覆盖遮蔽RF封装的上表面和至少一些侧壁的保形遮蔽层。定位可以包括将倒置遮蔽RF封装置入相应孔中，以允许在遮蔽RF封装的下侧上执行一个或多个处理步骤。遮蔽RF封装可以被配置为产生双面RF封装，并且一个或多个处理步骤可以包括在遮蔽RF封装的下侧上安装下部组件。例如，下部组件是半导体裸片。下部组件可以安装到遮蔽RF封装的封装基底的下侧。所述方法还可以包括在封装基底的下侧上形成球栅阵列(BGA)，BGA相对于下部组件布置，BGA的尺寸被设置为允许遮蔽RF封装被安装在具有下部组件的电路板上。BGA可以被布置为形成围绕下部组件的周边。在一些实施例中，所述方法还可以包括在执行一个或多个处理步骤的一侧保持单片化RF封装中的每一个。例如，这样的保持包括可以施加真空。所述方法还可以包括从板去除带，使得通过真空维持单片化RF封装的相对位置。当带在板上方时，去除带。所述方法还可以包括从由真空保持的单片化RF封装中去除板。所述方法还可以包括通过释放单片化RF封装上的真空将单片化RF封装定位在选择的位置。单片化RF封装的定位可以包括基本上维持至少一些单片化RF封装的相对位置。单片化RF封装的定位可以包括将单片化RF封装释放到容器中。在一些实施例中，所述方法还可以包括对位于板的相应孔中的单片化RF封装施加真空。所述方法还可以包括在由真空保持单片化RF封装之后，在板的一侧上应用带，使得带的粘合剂侧的相应部分接合板以及通过孔暴露的单片化RF封装的部分。其上应用带的一侧与其上对单片化RF封装施加真空的板的一侧相对。所述方法还可以包括去除施加到单片化RF封装的真空。在一些实施例中，单片化RF封装的定位可以包括在板上方提供加载板，以便于将单片化RF封装更容易地插入到板的相应孔中。加载板可以包括布置成与板的孔基本匹配的多个加载孔。每个加载孔可以包括倾斜以便于更容易插入的侧壁。在一些实施例中，一个或多个处理步骤的执行包括在由板保持单片化RF封装的同时在每个单片化RF封装上形成保形遮蔽层。在一些实施例中，本公开涉及一种用于处理单片化射频(RF)封装的系统。所述系统包括：被配置用于保持单片化RF封装的装置。所述装置包括多个框架载体，每个框架载体具有多个孔，所述多个孔的尺寸被设置为接纳和定位单片化RF封装的阵列。所述系统还包括被配置为接纳多个框架载体的处理装置。每个框架载体加载有单片化RF封装的阵列。所述处理装置还被配置为允许对加载在相应框架载体中的单片化RF封装的批量处理。在一些实施例中，用于保持单片化RF封装的装置可以包括加载板，所述加载板被配置为随着RF封装的相应阵列被定位在孔中而被定位在框架载体上。加载板可以包括多个加载孔，每个加载孔包括斜侧壁，其尺寸被设置为便于将RF封装更容易定位到框架载体的相应孔中。在一些实施例中，处理装置可以包括被配置为接纳多个加载的框架载体的盒，所述盒还可以被配置为便于对加载在框架载体中的单片化RF封装的批量处理，如同它们仍然是面板格式。为了总结本公开的目的，本文已经描述了本专利技术的特定方面、优点和新颖特征。应当理解，根据本专利技术的任何特定实施例，不一定所有这些优点都可以实现。因此，本专利技术可以以实现或优化如本文所教导的一个优点或一组优点的方式体现或实施，而不必实现本文可能教导或建议的其他优点。附图说明图1A和图1B示出在阵列中保持在一起的多个单射频(RF)单元的侧视图和平面图。图2示出可以通过使其加工处理的至少一些部分在从例如面板格式单片化之后被执行来加工的封装RF模块的示例。图3示出可以通过使其加工处理的至少一些部分在从例如面板格式单片化之后被执行来加工的封装RF模块的另一示例。图4A至图4D示出在各个单元被单片化之后执行本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于处理单片化射频(RF)封装的设备，所述设备包括具有多个孔的板，每个孔的尺寸被设置为接纳和定位单片化RF封装，从而便于对位于相应孔中的单片化RF封装的处理。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.05.12 US 61/992,156;2014.07.31 US 62/031,8161.一种用于处理单片化射频(RF)封装的设备，所述设备包括具有多个孔的板，每个孔的尺寸被设置为接纳和定位单片化RF封装，从而便于对位于相应孔中的单片化RF封装的处理。2.根据权利要求1所述的设备，其中，每个孔具有矩形形状，所述矩形形状具有选择的尺寸以允许在其中接纳和定位单片化RF封装。3.根据权利要求2所述的设备，其中，选择孔的矩形形状的尺寸以提供单片化RF封装相对于板的足够精确的定位。4.根据权利要求3所述的设备，其中，孔包括在矩形形状的孔的一个或多个拐角处的凸起特征，每个凸起特征的尺寸被设置为允许单片化RF封装的对应拐角的配合。5.根据权利要求4所述的设备，其中，孔的四个拐角中的每一个包括凸起特征。6.根据权利要求1所述的设备，其中，板包括被配置为提供指标和/或对准功能的一个或多个特征。7.根据权利要求6所述的设备，其中，板具有矩形形状。8.根据权利要求7所述的设备，其中，一个或多个指标/对准特征中的至少一些沿着矩形板的选择边缘定位。9.根据权利要求1所述的设备，其中，板包括上侧和下侧，下侧被配置为接纳带，使得孔暴露带的粘合剂侧的相应部分，从而便于保持定位在孔中的单片化RF封装。10.根据权利要求9所述的设备，其中，带被配置为承受与单片化RF封装的处理相关联的条件。11.根据权利要求9所述的设备，其中，板包括一个或多个带去除特征，带去除特征被配置为便于从板的下侧去除带。12.根据权利要求11所述的设备，其中，一个或多个带去除特征包括在板的选择边缘上实现的一个或多个凹口。13.根据权利要求1所述的设备，其中，板具有晶片状的形状。14.根据权利要求13所述的设备，其中，孔的尺寸被设置为接纳和定位单片化RF封装以便于保形遮蔽沉积处理。15.根据权利要求14所述的设备，其中，保形遮蔽沉积处理包括溅射沉积处理。16.根据权利要求1所述的设备，其中，板具有选择的厚度，以允许在单片化RF封装的处理期间以期望的方式将单片化RF封装定位和保持在相应孔中。17.根据权利要求16所述的设备，其中，单片化RF封装是遮蔽RF封装。18.根据权利要求17所述的设备，其中，每个遮蔽RF封装包括覆盖遮蔽RF封装的上表面和至少一些侧壁的保形遮蔽层。19.根据权利要求18所述的设备，其中，选择厚度以允许遮蔽RF封装以相反取向定位在相应孔中，以允许在遮蔽RF封装的下侧上执行一个或多个处理步骤。20.根据权利要求19所述的设备，其中，遮蔽RF封装被配置为产生双面RF封装。21.根据权利要求16所述的设备，其中，单片化RF封装是未遮蔽RF封装。22.根据权利要求21所述的设备，其中，选择板的厚度以允许形成覆盖单片化RF封装的上表面和至少一些侧壁的保形遮蔽层。23.一种用于处理单片化射频(RF)封装的方法，所述方法包括：将多个单片化RF封装定位在由板限定的相应孔中，使得以期望的阵列保持单片化RF封装；以及在由板保持单片化RF封装的同时对单片化RF封装执行一个或多个处理步骤。24.根据权利要求23所述的方法，还包括：在将单片化RF封装定位到孔中之前，在板的一侧上应用带，使得带的粘合剂侧的相应部分通过孔暴露，从而便于保持单片化RF封装。25.根据权利要求24所述的方法，其中，单片化RF封装是遮蔽RF封装，每个遮蔽RF封装包括覆盖遮蔽RF封装的上表面和至少一些侧壁的保形遮蔽层。26.根据权利要求25所述的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：MS里德，
申请(专利权)人：天工方案公司，
类型：发明
国别省市：美国;US