一种功率放大器制造技术

本实用新型专利技术属于放大器电路领域，尤其涉及一种功率放大器。该放大器包括晶体管M作为功放管，晶体管M的漏极上连接并联电容C2，并联电容C2的另一端接地，晶体管M的漏极上依次串联有谐振电感L与谐振电容C1作为谐振回路，谐振回路与晶体管M的源极之间连接负载电阻R，晶体管M的漏极上连接有电感线圈RFC，电感线圈RFC的另一端连接有电源DC，电感线圈RFC用于过滤交流电流，实际中的开关类功率放大器的效率都因为元件等因素而不能达到理想的值。本实用新型专利技术通过解决上述这些问题，降低电路中的功率损耗，将开关类功率放大器的到更多的发展空间。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于放大器电路领域，尤其涉及一种功率放大器。
技术介绍
现代社会随着信息产业的快速发展，无线能量传输在生活中有了更广泛的应用，人们有了越来越高的要求。射频功率放大器正在起到越来越重要的角色，怎样制造出效率高、性能好的功率放大器已经引起了人们越来越多的关注。现代电子设备正在向集成化方向进展，因此提出了对于功率放大器的新要求，这样既可以提高系统可靠性，并且减小功率损耗。无线能量传输领域的，工作频率100k到30MHz之间，远低于过去多用于手机等无线通信领域(100MHz以上)，E类功率放大器理论上具备100％的集电极效率。射频功率放大器的功能影响了无线能量传输的效果，直接关系到整个东西性能发挥，成功设计制作高效的E类功率放大器也就成为了当今社会一个重要问题。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于提供一种功率放大器，具有功率损耗小，高效的优点。本技术是这样实现的，一种功率放大器，该放大器包括晶体管M作为功放管，晶体管M的漏极上连接并联电容C2用于滤波，提高抗干扰能力,并联电容C2的另一端接地，晶体管M的漏极上依次串联有谐振电感L与谐振电容C1作为谐振回路，谐振回路与晶体管M的源极之间连接负载电阻R，晶体管M的漏极上连接有电感线圈RFC，电感线圈RFC的另一端连接有电源DC，电感线圈RFC用于过滤交流电流。进一步地，晶体管M采型号为用RD16HHF1的场效应管。进一步地，并联电容C2为680pF，谐振电感L为220μH，谐振电容C1为120pF。进一步地，并联电容C2为1.5nF，谐振电感L为470μH，谐振电容C1为230pF。本技术与现有技术相比，有益效果在于：实际中的开关类功率放大器的都因为元件等因素不能达到理想的值而导致放大器的效率变低，功率损耗变大。本技术通过解决上述这些问题，降低电路中的功率损耗，将开关类功率放大器的到更多的发展空间。开关类功率放大器有着广阔的研究空间，这可以促进无线能量传输上的不断发展，满足人们在社会生产生活中的需要。附图说明图1是本技术实施例提供的电路原理图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。实施例1该放大器包括晶体管M作为功放管，晶体管M的漏极上连接并联电容C2，并联电容C2的作用是滤波，提高抗干扰能力，并联电容C2的另一端接地，晶体管M的漏极上依次串联有谐振电感L与谐振电容C1作为谐振回路，谐振回路与晶体管M的源极之间连接负载电阻R，晶体管M的漏极上连接有电感线圈RFC，电感线圈RFC的另一端连接有电源DC，电感线圈RFC用于过滤交流电流。晶体管M采型号为用RD16HHF1的场效应管。高功率增益：Pout＝16W,Vdd＝12.5V,f＝30MHz。采用并联电容C2为680pF，谐振电感L为220μH，谐振电容C1为120pF。实现1MHz频率E类功率放大器的参数设计。实施例2与实施例1不同之处在于，并联电容C2为1.5nF，谐振电感L为470μH，谐振电容C1为230pF得到220kHz频率E类功率放大器的各元件参数。进行测试，当电路工作时集电极处的电压和电流波形不同时出现。即电压为零时电流出现，电流为零时电压才出现，满足E类放大器的ZVS和ZDS条件。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率放大器，其特征在于，该放大器包括晶体管M作为功放管，晶体管M的漏极上连接并联电容C2用于滤波，并联电容C2的另一端接地，晶体管M的漏极上依次串联有谐振电感L与谐振电容C1作为谐振回路，谐振回路与晶体管M的源极之间连接负载电阻R，晶体管M的漏极上连接有电感线圈RFC，电感线圈RFC的另一端连接有电源DC，电感线圈RFC用于过滤交流电流。

【技术特征摘要】
1.一种功率放大器，其特征在于，该放大器包括晶体管M作为功放管，晶体管M的漏极上连接并联电容C2用于滤波，并联电容C2的另一端接地，晶体管M的漏极上依次串联有谐振电感L与谐振电容C1作为谐振回路，谐振回路与晶体管M的源极之间连接负载电阻R，晶体管M的漏极上连接有电感线圈RFC，电感线圈RFC的另一端连接有电源DC，电感线圈RFC用于过滤交流...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙淑琴，王翀，曹华松，
申请(专利权)人：吉林大学，
类型：新型
国别省市：吉林;22