可过热保护的LED可寻址驱动电源制造技术

技术编号:14279844 阅读:107 留言:0更新日期:2016-12-25 00:38
本实用新型专利技术公开一种可过热保护的LED可寻址驱动电源,包括温度系数电阻接口NTC、ICS2、电阻件R1、稳压二极管ZD1、稳压二极管ZD2、电阻件R2、电阻件R3、光耦U1、电阻件R4、电阻件R5和MCU‑NTC引脚,所述温度系数电阻件接口NTC与ICS2的2、3脚连接,并通过ICS2连接稳压二极管ZD1,所述温度系数电阻件接口NTC与稳压二极管ZD2共地,所述电阻件R3连接有电源VCC,所述光耦U1连接稳压二极管ZD1,所述电阻件R4的左端与电阻件R5连接,所述电阻件R5的左端与MCU‑VDD引脚连接;该可过热保护的LED可寻址驱动电源具有提高灯具的可靠性和其使用寿命的优点。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种可过热保护的LED可寻址驱动电源
技术介绍
现有技术的LED驱动电源不带LED发光源温度监测、过温保护功能。如果出现以下情况时:1.环境温度过高,蒸汽或暴晒导致的环境高温;2.LED灯具组件异常,常见有LED灯珠击穿等;3.LED发光源散热组件老化,散热不良。以上容易引起LED发光源过热烧坏、电源过功率过热受损寿命缩短,甚至高温引燃周围可燃物导致起火。要解决这一问题需要从电源入手,当出现过温时降低驱动电流,以保护发光源不受损坏和避免发光源损坏带来的其他安全隐患。由于常规驱动电源自身的缺点,实现这一功能比较困难。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种提高灯具的可靠性和其使用寿命的可过热保护的LED可寻址驱动电源。为解决上述问题,本技术采用如下技术方案:一种可过热保护的LED可寻址驱动电源,包括温度系数电阻接口NTC、ICS2、电阻件R1、稳压二极管ZD1、稳压二极管ZD2、电阻件R2、电阻件R3、光耦U1、电阻件R4、电阻件R5和MCU-NTC引脚,所述温度系数电阻件接口NTC与ICS2的2、3脚连接,并通过ICS2连接稳压二极管ZD1,所述温度系数电阻件接口NTC与稳压二极管ZD2共地,所述电阻件R1和电阻件R2位于稳压二极管ZD1和稳压二极管ZD2上,所述电阻件R2的左侧与电阻件R3连接,所述电阻件R3连接有电源VCC,所述光耦U1连接稳压二极管ZD1,所述电阻件R4位于光耦U1的左侧,所述电阻件R4的右端与光耦U1连接,所述电阻件R4的左端与电阻件R5连接,所述电阻件R5的左端与MCU-VDD引脚连接。作为优选,所述温度系数电阻接口NTC连接到LED发光源,通过负温度系数电阻接口NTC能够监测LED发光源的温度,当温度出现异常,开始降低输出电流,从而降低输出功率,加快热量散失。作为优选,所述电阻件R1的阻值为11K。作为优选,所述电阻件R2的阻值为3.3K。作为优选,所述电阻件R3的阻值为22K。作为优选,所述稳压二极管ZD1的负极的电压为5.1V。作为优选,所述光耦U1上连接有发光二极管和受光三极管,能够在稳压二极管ZD1负极的电压上升超过5.1V时,稳压管反向击穿工作,光耦U1的发光二极管导通发光,受光三极管开通,使得MCU-NTC引脚检测到低电平,并调节输出电流控制引脚,降低PWM占空比。作为优选,所述电阻件R4的阻值为22K。作为优选,所述电阻件R5的阻值为220K。本技术的有益效果:使用此技术,能够大大提升了LED可寻址驱动电源以及发光源在内整体灯具的可靠性,延长灯具的使用寿命,降低灯具失效给使用环境带来的火灾风险,提高安全性能。附图说明图1为本技术一种可过热保护的LED可寻址驱动电源的电路示意图。具体实施方式如图1所示,一种可过热保护的LED可寻址驱动电源,包括温度系数电阻接口NTC、ICS2、电阻件R1、稳压二极管ZD1、稳压二极管ZD2、电阻件R2、电阻件R3、光耦U1、电阻件R4、电阻件R5和MCU-NTC引脚,所述温度系数电阻件接口NTC与ICS2的2、3脚连接,并通过ICS2连接稳压二极管ZD1,所述温度系数电阻件接口NTC与稳压二极管ZD2共地,所述电阻件R1和电阻件R2位于稳压二极管ZD1和稳压二极管ZD2上,所述电阻件R2的左侧与电阻件R3连接,所述电阻件R3连接有电源VCC,所述光耦U1连接稳压二极管ZD1,所述电阻件R4位于光耦U1的左侧,所述电阻件R4的右端与光耦U1连接,所述电阻件R4的左端与电阻件R5连接,所述电阻件R5的左端与MCU-VDD引脚连接。所述温度系数电阻接口NTC连接到LED发光源,通过负温度系数电阻接口NTC能够监测LED发光源的温度,当温度出现异常,开始降低输出电流,从而降低输出功率,加快热量散失。所述电阻件R1的阻值为11K。所述电阻件R2的阻值为3.3K。所述电阻件R3的阻值为22K。所述稳压二极管ZD1的负极的电压为5.1V。所述光耦U1上连接有发光二极管和受光三极管,能够在稳压二极管ZD1负极的电压上升超过5.1V时,稳压管反向击穿工作,光耦U1的发光二极管导通发光,受光三极管开通,使得MCU-NTC引脚检测到低电平,并调节输出电流控制引脚,降低PWM占空比。所述电阻件R4的阻值为22K。所述电阻件R5的阻值为220K。本技术的有益效果:使用此技术,能够大大提升了LED可寻址驱动电源以及发光源在内整体灯具的可靠性,延长灯具的使用寿命,降低灯具失效给使用环境带来的火灾风险,提高安全性能。以上所述,仅为本技术的具体实施方式,但本技术的保护范围并不局限于此,任何不经过创造性劳动想到的变化或替换,都应涵盖在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...
可过热保护的LED可寻址驱动电源

【技术保护点】
一种可过热保护的LED可寻址驱动电源,其特征在于:包括温度系数电阻接口NTC、ICS2、电阻件R1、稳压二极管ZD1、稳压二极管ZD2、电阻件R2、电阻件R3、光耦U1、电阻件R4、电阻件R5和MCU‑NTC引脚,所述温度系数电阻件接口NTC与ICS2的2、3脚连接,并通过ICS2连接稳压二极管ZD1,所述温度系数电阻件接口NTC与稳压二极管ZD2共地,所述电阻件R1和电阻件R2位于稳压二极管ZD1和稳压二极管ZD2上,所述电阻件R2的左侧与电阻件R3连接,所述电阻件R3连接有电源VCC,所述光耦U1连接稳压二极管ZD1,所述电阻件R4位于光耦U1的左侧,所述电阻件R4的右端与光耦U1连接,所述电阻件R4的左端与电阻件R5连接,所述电阻件R5的左端与MCU‑VDD引脚连接。

【技术特征摘要】
1.一种可过热保护的LED可寻址驱动电源,其特征在于:包括温度系数电阻接口NTC、ICS2、电阻件R1、稳压二极管ZD1、稳压二极管ZD2、电阻件R2、电阻件R3、光耦U1、电阻件R4、电阻件R5和MCU-NTC引脚,所述温度系数电阻件接口NTC与ICS2的2、3脚连接,并通过ICS2连接稳压二极管ZD1,所述温度系数电阻件接口NTC与稳压二极管ZD2共地,所述电阻件R1和电阻件R2位于稳压二极管ZD1和稳压二极管ZD2上,所述电阻件R2的左侧与电阻件R3连接,所述电阻件R3连接有电源VCC,所述光耦U1连接稳压二极管ZD1,所述电阻件R4位于光耦U1的左侧,所述电阻件R4的右端与光耦U1连接,所述电阻件R4的左端与电阻件R5连接,所述电阻件R5的左端与MCU-VDD引脚连接。2.如权利要求1所述的可过热保护的LED可寻址驱动电源,其特征在于:所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:李深文
申请(专利权)人:中山市智观照明科技有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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