半导体结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体结构，包括：基底以及位于所述基底上的层间介质层；所述层间介质层中从下至上依次形成多层金属层，每层所述金属层均包括相对设置的两条金属线，同一层所述金属层中的两条金属线之间具有一间隙，至少两层所述金属层中的间隙交错设置。本实用新型专利技术中，每层金属层包括相对设置的两条金属线，两条金属线间隙的层间介质层呈交错设置，使得层间介质层中的应力不能释放，避免层间介质层中产生断裂，提高器件的性能。

Semiconductor structure

The utility model provides a semiconductor structure includes a substrate disposed on the substrate and the interlayer dielectric layer; the interlayer dielectric layer from bottom to top to form a multilayered metal layer, each layer of the metal layer includes two metal wires are arranged relatively, with a gap between the same layer the two metal wire metal layer in the gap, at least two layer of the metal layer in staggered arrangement. In the utility model, each layer of metal layer comprises two metal lines arranged relatively, the two wires between the interlayer dielectric layer is arranged alternately, the interlayer dielectric layer in the stress can not be released, to avoid breaking the interlayer dielectric layer, improve the performance of the device.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及集成电路制造
，尤其涉及一种半导体结构。
技术介绍
半导体工艺技术中，多层金属布线为常用技术，用于将衬底中的器件结构引出，从而提高电路集成度，并且，在不增加电路面积的情况下增加电路功能，提高附加值。参考图1中所示，现有技术中用于多层金属布线的半导体结构包括介质层10、位于介质层10中的多层金属层20以及位于多层金属层20上的接触垫30。从图1中可以看出，接触垫30包括位于中心线AA’两侧呈对称分布的两个接触垫，多层金属层20同样对称的分布于中心线AA’的两侧，两个接触垫分别对间隙所对应的介质层10产生拉伸应力。随着半导体工艺线宽的减小，接触垫30之间的间距不断减小，介质层10受到的两个接触垫30拉伸应力增大，使得介质层10中产生断裂，从而影响器件的性能。
技术实现思路
本技术的目的在于，提供一种半导体结构，解决现有技术的介质层中产生断裂的问题。为解决上述技术问题，本技术提供一种半导体结构，包括：基底以及位于所述基底上的层间介质层；所述层间介质层中从下至上依次形成多层金属层，每层所述金属层均包括相对设置的两条金属线，同一层所述金属层中的两条金属线之间具有一间隙，至少两层所述金属层中的间隙交错设置。可选的，所有层所述金属层中的间隙交错设置。可选的，所述层间介质层中还包括位于所述多层金属层上方的接触垫层，所述接触垫层包括相对设置的两个接触垫，两个所述接触垫之间具有一间隔。可选的，所述间隔的横切面形状为Z形。可选的，所述接触垫包括第一接触垫和第二接触垫，所述第一接触垫和所述第二接触垫呈中心对称。可选的，所述第一接触垫为L形，所述第一接触垫靠近所述第二接触垫的一侧具有一第一端，所述第一端超过所述中心线。可选的，所述第一端与所述第二接触垫之间的距离为0.1μm～1.5μm。可选的，所述第二接触垫为L形，所述第二接触垫靠近所述第一接触垫的一侧具有一第二端，所述第二端超过所述中心线。可选的，所述第二端与所述第一接触垫之间的距离为0.1μm～1.5μm。可选的，所述接触垫的厚度为2μm～3μm。可选的，当两层所述金属层中的间隙交错设置时，其中一层金属层的间隙的一侧与所述间隔的一侧平齐，另一金属层的间隙的一侧与所述间隔的另一侧平齐。可选的，所述间隙为500nm～1.5μm。可选的，所述层间介质层中包括3～6层金属层。可选的，所述每层金属层的厚度为500nm～4000nm。与现有技术相比，本技术提供的半导体结构至少具有以下有益效果：每层金属层包括相对设置的两条金属线，同一层金属层中的两条金属线之间具有一间隙并且，至少两层所述金属层中的间隙交错设置，使得层间介质层中受到的应力不能释放，从而避免层间介质层中产生断裂。此外，层间介质层中还包括位于多层金属层上方的接触垫层，接触垫层包括相对设置的两个接触垫，两个接触垫之间具有一间隔，间隔的横切面形状为Z形，使得接触垫施加在层间介质层上的应力减小。本技术中，可以避免层间介质层中产生断裂，提高器件的性能。附图说明图1为现有技术中形成的半导体结构的剖面结构示意图；图2为本技术一实施例中形成的半导体结构的剖面结构示意图；图3为本技术另一实施例中形成的半导体结构的俯视结构示意图；图4为本技术另一实施例中形成的半导体结构的剖面结构示意图。具体实施方式下面将结合示意图对本技术的半导体结构进行更详细的描述，其中表示了本技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本技术，而仍然实现本技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本技术的限制。为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本技术由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本技术。根据下面说明和权利要求书，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。为此，本技术的核心思想在于，提供一种半导体结构，包括：基底以及位于所述基底上的层间介质层；所述层间介质层中从下至上依次形成多层金属层，每层所述金属层均包括相对设置的两条金属线，同一层所述金属层中的两条金属线之间具有一间隙，至少两层所述金属层中的间隙交错设置，使得层间介质层中受到的应力不能释放，从而避免层间介质层中产生断裂。此外，层间介质层中还包括位于多层金属层上方的接触垫层，接触垫层包括相对设置的两个接触垫，两个接触垫之间具有一间隔，间隔的横切面形状为Z形，使得接触垫施加在层间介质层上的应力减小。本技术中，可以避免层间介质层中产生断裂，提高器件的性能。下文结合图2～图4对本技术的半导体结构进行具体说明。应该理解，虽然在此处可以使用术语“第一”、“第二”和“第三”等描述各个工艺参数或元件，例如，金属层、接触垫等，但是这些工艺参数或元件不受这些术语的限制。这些术语只用来区别一个工艺参数或元件和其它工艺参数或元件。因此，不背离本公开的启示的情况下，可以将以下所讨论的第二金属层、第二接触垫称为第一金属层、第一接触垫。参考图2所示，本技术提供的半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括基底(图中未示出)以及位于所述基底上的层间介质层100。在本技术中，所述基底可以为硅基底、锗硅基底或者SOI基底，所述基底中形成有器件结构，例如放大器、数/模转换器、模拟处理电路和/或数字处理电路、接口电路等。本技术中，所述层间介质层100中从下至上依次形成有多层金属层200，多层金属层200之间通过插塞连接，用于将基底中的器件结构连接出来。本实施例中，以在层间介质层100中形成五层金属层为例进行说明，即第一金属层M21、第二金属层M22、第三金属层M23、第四金属层M24以及第五金属层M25，然而，本领域技术人员可以理解的是所述层介质层层100中的多层金属层200并不限于形成五层金属层，还可以形成三层、四层、六层、七层等，此为根据实际器件结构的设计要求进行的选择。继续参考图2中所示，所述层间介质层100中还包括位于所述多层金属层200上方的接触垫层300，所述接触垫层300的厚度为2μm～3μm。在本实施例中，所述接触垫层300包括对称分布于一中心线BB’两侧的第一接触垫301和第二接触垫302，所述第一接触垫301和第二接触垫302形成间隔。本技术中，每层金属层中包括相对设置的两条金属线，同一层的金属层的两条金属线之间形成一间隙，其中，至少两层金属层的间隙呈交错设置，例如，本实施例中，可以第一金属层M21的间隙和第二金属层M22的间隙交错设置，也可以第二金属层M22的间隙和第四金属层M24的间隙交错设置，或者第一金属层M21的间隙、第二金属层M22的间隙和第四金属层M24的间隙交错设置，本技术对此不予限制。交错设置的间隙使得层间介质层中受到的应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，其特征在于，包括：基底以及位于所述基底上的层间介质层；所述层间介质层中从下至上依次形成多层金属层，每层所述金属层均包括相对设置的两条金属线，同一层所述金属层中的两条金属线之间具有一间隙，至少两层所述金属层中的间隙交错设置。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底以及位于所述基底上的层间介质层；所述层间介质层中从下至上依次形成多层金属层，每层所述金属层均包括相对设置的两条金属线，同一层所述金属层中的两条金属线之间具有一间隙，至少两层所述金属层中的间隙交错设置。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所有层所述金属层中的间隙交错设置。3.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述层间介质层中还包括位于所述多层金属层上方的接触垫层，所述接触垫层包括相对设置的两个接触垫，两个所述接触垫之间具有一间隔。4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述间隔的横切面形状为Z形。5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述接触垫包括对称分布于中心线两侧的第一接触垫和第二接触垫，所述第一接触垫和所述第二接触垫呈中心对称。6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一接触垫为L形，所述第一接触垫靠近所述第二接触垫的一侧具有一第一端，所述第一端超过所述中心线。7.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷原梓，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造天津有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：新型
国别省市：天津;12