半导体模块、电力变换装置以及半导体模块的制造方法制造方法及图纸

半导体模块(10)具有第1电极端子(1)、第2电极端子(2)、第3电极端子(3)、第4电极端子(4)、第5电极端子(5)以及第6电极端子(6)。第1电极端子及第2电极端子沿第1方向(A1)配置。第3电极端子、第4电极端子、第5电极端子以及第6电极端子沿与第1方向(A1)垂直的第2方向(A2)配置。第1电极端子(1)配置于第1方向(A1)和第2方向(A2)相交叉的位置。第4电极端子(4)、第5电极端子(5)及第6电极端子(6)是交流输出端子或交流输入端子。第1电极端子(1)是阳极端子及阴极端子中的一方。第2电极端子(2)及第3电极端子(3)中的至少任意一方是阳极端子及阴极端子中的另一方。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体模块、电力变换装置以及半导体模块的制造方法，特别地，涉及具有电极端子的半导体模块、电力变换装置以及半导体模块的制造方法。
技术介绍
当前，已知将直流电力变换为三相(U相、V相、W相)的交流电力的半导体模块。该半导体模块具有与直流电源连接的阳极端子及阴极端子、与U相、V相及W相各相对应的交流输出端子(例如参照日本特开2008－029052号公报、日本特开2008－166421号公报以及日本特开2013－055739号公报)。根据日本特开2008－029052号公报中记载的半导体模块，阳极端子、阴极端子、与U相、V相及W相各相对应的交流输出端子配置于一条直线上(以下将该电极端子配置称为一列型配置)。根据日本特开2008－166421号公报中记载的半导体模块，设置端子的壳体的形状是大致长方形状。与U相、V相及W相各相对应的交流输出端子配置于大致长方形的形状的长边侧，阳极端子及阴极端子配置于短边侧(以下将该电极端子配置称为L字型配置)。在一列型配置的情况下，阳极端子及阴极端子沿壳体的长边方向配置。另一方面，在L字型配置的情况下，阳极端子及阴极端子沿壳体的短边方向配置。即，在一列型配置及L字型配置中的任意者的情况下，阳极端子及阴极端子均仅配置于长边方向侧或短边方向侧。例如为了与外部设备连接，有时使电极(汇流条)与半导体模块的端子连接。考虑到半导体模块的阳极端子及阴极端子的配置而对汇流条进行设计。具体地说，如果将电源与阳极端子或阴极端子相连的汇流条变长，则电感增加。如果电感增加，则通断动作时的电压浪涌
变大。因此，以使汇流条的全长变短的方式而对汇流条进行设计。但是，例如在使用汇流条而将一列型配置的半导体模块和L字型配置的半导体模块连接的情况下，在一列型配置和L字型配置中，阳极端子或阴极端子的配置不同。因此，为了使汇流条的全长变短，例如需要以使一列型配置的半导体模块的短边侧与L字型配置的半导体模块的长边侧相对的方式进行配置等。即，例如在使用汇流条而将不同端子排列的半导体模块电连接的情况下，各半导体模块的配置受到限制。
技术实现思路
本专利技术就是鉴于上述课题而提出的，其目的在于，提供能够提高半导体模块的配置的自由度的半导体模块、电力变换装置以及半导体模块的制造方法。本专利技术所涉及的半导体模块具有第1电极端子、第2电极端子、第3电极端子、第4电极端子、第5电极端子以及第6电极端子。第1电极端子及第2电极端子沿第1方向配置。第3电极端子、第4电极端子、第5电极端子和第6电极端子沿与第1方向垂直的第2方向配置。第1电极端子配置于第1方向和第2方向相交叉的位置。第4电极端子、第5电极端子及第6电极端子是交流输出端子或交流输入端子。第1电极端子是阳极端子及阴极端子中的一方。第2电极端子及第3电极端子中的至少任意一方是阳极端子及阴极端子中的另一方。本专利技术所涉及的半导体模块的制造方法具有以下工序。准备设置有第1电极端子、第2电极端子、第3电极端子、第4电极端子、第5电极端子、第6电极端子以及内部电路的台座部，该第1电极端子及第2电极端子沿第1方向配置，该第3电极端子、第4电极端子、第5电极端子和第6电极端子沿与第1方向垂直的第2方向配置。第1电极端子配置于第1方向和第2方向相交叉的位置。第4电极端子、第5电极端子及第6电极端子是交流输出端子或交流输入端子。第1电极端子是阳极端子及阴极端子中的一方。第2电极端子及第3电极
端子中的至少任意一方是阳极端子及阴极端子中的另一方。第2电极端子与第3电极端子电绝缘。第2电极端子及第3电极端子中的至少任意一方与内部电路电连接。根据与附图关联地进行理解的、关于本专利技术的以下详细说明，会使得本专利技术的上述以及其他目的、特征、方案以及优点变清楚。附图说明图1是概略地表示实施方式1～3所涉及的半导体模块的结构的斜视图。图2是概略地表示实施方式1～3所涉及的半导体模块的结构的俯视图。图3是概略地表示实施方式1～3所涉及的半导体模块的电路结构的电路图。图4是概略地表示实施方式4所涉及的电力变换装置的结构的斜视图。图5是概略地表示实施方式5所涉及的电力变换装置的第1例的电路图。图6是概略地表示实施方式5所涉及的电力变换装置的第2例的电路图。图7是概略地表示实施方式6所涉及的半导体模块的制造方法的流程图。图8是概略地表示实施方式6所涉及的半导体模块的制造方法的第1工序的俯视图。图9是概略地表示实施方式6所涉及的半导体模块的制造方法的第2工序的第1例的俯视图。图10是概略地表示实施方式6所涉及的半导体模块的制造方法的第2工序的第2例的俯视图。图11是概略地表示实施方式6所涉及的半导体模块的制造方法的第2工序的第3例的俯视图。具体实施方式下面，基于附图，说明本专利技术的实施方式。此外，在以下的附图中，对相同或者相当的部分标注相同的参照编号，不重复其说明。（实施方式1）参照图1～图3，说明本专利技术的实施方式1所涉及的半导体模块的结构。实施方式1所涉及的半导体模块10主要具有第1电极端子1、第2电极端子2、第3电极端子3、第4电极端子4、第5电极端子5、第6电极端子6、台座部7以及连接部8。如图2所示，第1电极端子1及第2电极端子2沿第1方向A1配置。第3电极端子3、第4电极端子4、第5电极端子5以及第6电极端子6沿与第1方向A1垂直的第2方向A2配置。第1电极端子1配置于第1方向A1和第2方向A2相交叉的位置。如图2所示，在俯视观察时（从与由第1方向A1和第2方向A2所形成的平面垂直的方向进行观察的情况下），台座部7是细长形状，具体地说，是大致长方形的形状。第1方向A1是长方形的短边的方向。第2方向A2是长方形的长边的方向。如图1所示，第1电极端子1、第2电极端子2、第3电极端子3、第4电极端子4、第5电极端子5以及第6电极端子6设置于台座部7之上。第1电极端子1、第2电极端子2、第3电极端子3、第4电极端子4、第5电极端子5以及第6电极端子6设置于同一平面上。第1电极端子1、第2电极端子2、第3电极端子3、第4电极端子4、第5电极端子5以及第6电极端子6彼此在物理上分离。也可以是第1电极端子1和第2电极端子2之间的距离大于第1电极端子1和第3电极端子3之间的距离。如图1及图2所示，第1电极端子1、第2电极端子2以及第6电极端子6设置于台座部7的表面的角部。详细地说，第1电极端子1及第2电极端子2分别设置于第1方向A1上的一侧及另一侧的角部。第1电极端子1及第6电极端子6分别设置于第2方向A2上的一侧及另一侧的角部。第3电极端子3、第4电极端子4以及第5电极端子5设置于第1电极端子1和第6电极端子6之间。第3电极端
子3设置于第1电极端子1旁边，第5电极端子5设置于第6电极端子6旁边。第4电极端子4设置于第3电极端子3及第5电极端子5之间。在各电极端子1～6的中央附近，也可以设置有在俯视观察时为圆形的凹陷部。连接部8设置于台座部7之上。也可以沿穿过第2电极端子2、且与第2方向A2平行的方向设置有多个连接部8。连接部8与例如对栅极进行驱动的电路连接。此外，在图2及其后的附图中，为了简化，省略连接部8的记载。参照图3，半导体模块10例如是逆变器。半导体模块10还具有晶体管及二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体模块，其具有：第1电极端子及第2电极端子，它们沿第1方向配置；以及第3电极端子、第4电极端子、第5电极端子和第6电极端子，它们沿与所述第1方向垂直的第2方向配置，所述第1电极端子配置于所述第1方向和所述第2方向相交叉的位置，所述第4电极端子、所述第5电极端子及所述第6电极端子是交流输出端子或交流输入端子，所述第1电极端子是阳极端子及阴极端子中的一方，所述第2电极端子及所述第3电极端子中的至少任意一方是所述阳极端子及所述阴极端子中的另一方。

【技术特征摘要】
2015.03.24 JP 2015-0603481.一种半导体模块，其具有：第1电极端子及第2电极端子，它们沿第1方向配置；以及第3电极端子、第4电极端子、第5电极端子和第6电极端子，它们沿与所述第1方向垂直的第2方向配置，所述第1电极端子配置于所述第1方向和所述第2方向相交叉的位置，所述第4电极端子、所述第5电极端子及所述第6电极端子是交流输出端子或交流输入端子，所述第1电极端子是阳极端子及阴极端子中的一方，所述第2电极端子及所述第3电极端子中的至少任意一方是所述阳极端子及所述阴极端子中的另一方。2.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，所述第4电极端子、所述第5电极端子及所述第6电极端子是交流输出端子，所述第2电极端子及所述第3电极端子中的至少任意一方和所述第1电极端子是直流输入端子。3.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，所述第2电极端子及所述第3电极端子中的一方是所述阳极端子及所述阴极端子中的另一方，且所述第2电极端子及所述第3电极端子中的另一方是输出端子。4.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，所述第2电极端子及所述第3电极端子这两者是所述阳极端子及所述阴极端子中的另一方。5.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，所述第2电极端子及所述第3电极端子中的一方是所述阳极端子及所述阴极端子中的另一方，且所述第2...

【专利技术属性】
技术研发人员：米山玲，安藤正之，荒木健宏，木村义孝，后藤亮，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP