【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于爆炸品荧光检测材料制配方法,特别涉及一种多孔硅材料的制配方法。
技术介绍
目前,用于检测空气中氨浓度的氨敏材料的制备方法,专利号为CN200910099310.2的专利技术专利,解决了多孔硅电解腐蚀生产的工艺问题,但还存在制成的多孔硅附着性差,容易脱落的缺陷。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术中制配工艺制成的多孔硅附着性差,容易脱落的缺陷,提供了一种多孔硅材料的制配方法。为了解决上述技术问题,本专利技术通过下述技术方案得以解决:按体积比为1:1~7的比例加入乙醇和重量浓度为40%的氢氟酸,摇匀,作为电解液;单晶硅片固定于盛有电解液的电解池中,单晶硅片接电源负极,电源正极接铂电极,铂电极浸入电解池中,通电对单晶硅片进行腐蚀。设置电流强度为500~3000mA,对单晶硅片进行腐蚀,腐蚀时间为30S~300S;腐蚀结束后清洗单晶硅片,并干燥处理。将上述经过腐蚀后的单晶硅片放入管式炉中,高温650-1000℃下氧化3-4小时,形成多孔硅材料。作为优选,所述的电解液,乙醇和重量浓度为40%的氢氟酸的体积比1:3~5。作为优选,电解池腐蚀单晶硅片的电流强度为1000~2000mA,电解池腐蚀单晶硅片的时间为40s~120s。作为优选,单晶硅片腐蚀结束后,用乙醇、蒸馏水清洗,并吹风干燥处理。本专利技术由于采用了以上技术方案,制备的多孔硅材料具有显著的技术效果:生成的多孔硅嵌入在硅片内部,附着力强,不易脱落。本专利技术还涉及一种用于爆炸品荧光检测材料的制配方法,针对现有技术爆炸品荧光检测材料的多孔硅附着力较差,爆炸品荧光检测材料附着可靠性低,灵敏度 ...
【技术保护点】
多孔硅材料的制配方法,其特征在于:单晶硅片固定于盛有电解液的电解池中,单晶硅片接电源负极,电源正极接浸入电解池中的铂电极,通电对单晶硅片进行腐蚀,腐蚀结束后对单晶硅片进行清洗,并做干燥处理,所述的电解液为按体积比为1:1~7的乙醇与重量浓度为40%的氢氟酸混合所得的溶液。
【技术特征摘要】
1.多孔硅材料的制配方法,其特征在于:单晶硅片固定于盛有电解液的电解池中,单晶硅片接电源负极,电源正极接浸入电解池中的铂电极,通电对单晶硅片进行腐蚀,腐蚀结束后对单晶硅片进行清洗,并做干燥处理,所述的电解液为按体积比为1:1~7的乙醇与重量浓度为40%的氢氟酸混合所得的溶液。2.根据权利要求1所述的多孔硅材料的制配方法,其特征在于:所述的单晶硅片为P型或N型单晶硅片。3.根据权利要求1所述的多孔硅材料的制配方法,其特征在于:所述的电解液为按体积比为1:3~5的乙醇与重量浓度为40%的氢氟酸混合所得的溶液。4.根据权利要求1所述的多孔硅材料的制配方法,其特征在于:通电腐蚀的参数设定为电流强度500~3000mA,腐蚀时间30s~300s。5.一种多孔硅材料的制配方法,其特征在于:在权利要求1所述的多孔硅材料的制配方法基础上,还包括以下步骤:将腐蚀、清洗、干燥...
【专利技术属性】
技术研发人员:程露丹,张赞,马辉,
申请(专利权)人:杭州芬得检测技术有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江;33
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