半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术揭示了一种半导体器件的制造方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域，所述第一区域上形成有堆叠栅极结构，所述堆叠栅极结构包括自下至上依次层叠的浮栅、栅间电介质、控制栅以及掩膜层；在所述半导体衬底上沉积多晶硅层，所述多晶硅层覆盖所述堆叠栅极结构；对所述多晶硅层进行研磨，以露出所述掩膜层；在所述半导体衬底上制备一牺牲氧化层，所述牺牲氧化层覆盖所述多晶硅层和堆叠栅极结构；以及对所述牺牲氧化层进行回刻，以去除所述牺牲氧化层。采用本发明专利技术的制造方法，可以避免研磨残留物或多晶硅残余粘附在所述控制栅上。

【技术实现步骤摘要】
201510025480

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域，所述第一区域上形成有堆叠栅极结构，所述堆叠栅极结构包括自下至上依次层叠的浮栅、栅间电介质、控制栅以及掩膜层；在所述半导体衬底上沉积多晶硅层，所述多晶硅层覆盖所述堆叠栅极结构；对所述多晶硅层进行研磨，以露出所述掩膜层；在所述半导体衬底上制备一牺牲氧化层，所述牺牲氧化层覆盖所述多晶硅层和堆叠栅极结构；以及对所述牺牲氧化层进行回刻，以去除所述牺牲氧化层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域，所述第一区域上形成有堆叠栅极结构，所述堆叠栅极结构包括自下至上依次层叠的浮栅、栅间电介质、控制栅以及掩膜层；在所述半导体衬底上沉积多晶硅层，所述多晶硅层覆盖所述堆叠栅极结构；对所述多晶硅层进行研磨，以露出所述掩膜层；在所述半导体衬底上制备一牺牲氧化层，所述牺牲氧化层覆盖所述多晶硅层和堆叠栅极结构；以及对所述牺牲氧化层进行回刻，以去除所述牺牲氧化层。2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，采用沉积方法在所述半导体衬底上制备所述牺牲氧化层。3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述牺牲氧化层的厚度为4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，对所述多晶硅层进行氧等离子体处理，以在所述半导体衬底上制备一牺牲氧化层。5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述氧等离子体处理的温度低于400℃。6.如权利要求1至5中任意一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述提供一半导体衬底的步骤包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域，所述第一区域上形成有浮栅层膜；在所述半导体衬底上依次形成栅间电介质膜、控制栅膜以及掩膜层膜；对所述掩膜层膜、控制栅膜、栅间电介质膜、浮栅层膜进行选择性刻蚀，以形成所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李敏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31