一种阵列基板及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制作方法，该阵列基板包括：基底；太阳能电池，设置于该基底上；绝缘层，设置于太阳能电池上；阵列电路，设置于绝缘层上，其中，太阳能电池与阵列基板对应的彩色滤光片上的黑色矩阵层对应且图案相同。本发明专利技术通过在阵列基板上设置太阳能电池，可以回收背光能源，提高背光源利用率，降低面板功耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示面板制作
，具体地说，涉及。
技术介绍
在薄膜场效应晶体管液晶显示器TFT-1XD的工作过程中，背光源发出的光线的入射强度经两层偏光片及夹在其中的液晶调整形成灰阶，光线的颜色经彩色滤光片调整形成色彩，从而完成逼真的画面显示。然而，在实际情况中，由于TFT阵列中像素的开口率、材料(如偏光片及液晶等)的透过率的影响，背光源发出的光线中最终透过面板的部分只有实际产生的10%左右，导致能源浪费很大。因此，提高背光源光线利用率成为降低显示面板能耗的一个重要研究方向。
技术实现思路
为解决以上问题，本专利技术提供了，通过设置在阵列基板上的太阳能电池回收背光能源，提高背光源利用率，降低面板功耗。根据本专利技术的一个方面，提供了一种阵列基板，包括:基底，太阳能电池，设置于所述基底上；绝缘层，设置于所述太阳能电池上；阵列电路，设置于所述绝缘层上，其中，所述太阳能电池与所述阵列基板对应的彩色滤光片上的黑色矩阵层对应且图案相同。根据本专利技术的一个实施例，所述太阳能电池包括:第一导电层，设置于所述基底上；半导体层，设置于所述第一导电层上，包括上下重叠设置的P型半导体、本征半导体和N型半导体；第二导电层，设置于所述半导体层上。根据本专利技术的一个实施例，所述半导体层的P型半导体作为迎光面。根据本专利技术的一个实施例，所述第一导电层的材料功函数大于所述第二导电层的材料功函数。根据本专利技术的一个实施例，所述第一导电层为透明导电ΙΤ0薄膜。根据本专利技术的一个实施例，所述第二导电层为金属。根据本专利技术的另一个方面，还提供了一种用于制作阵列基板的方法，包括:在基底上形成太阳能电池材料层；在所述太阳能电池材料层上涂覆光阻材料，并基于与阵列基板对应的彩色滤光片上的黑色矩阵层图案对太阳能电池材料层进行处理，来形成太阳能电池；在所述太阳层电池及裸露的基底上沉积绝缘材料形成绝缘层；在所述绝缘层上形成阵列电路。根据本专利技术的一个实施例，形成太阳能电池材料层的步骤进一步包括:在基底上沉积第一层导电材料以形成第一导电层；在所述第一导电层上依次沉积成膜以形成P型半导体、本征半导体和N型半导体以形成半导体层；在所述半导体层上沉积第二层导电材料以形成第二导电层，其中，所述P型半导体作为所述半导体层的迎光面，并且所述第一导电层的材料功函数大于所述第二导电层的材料功函数。根据本专利技术的一个实施例，所述第一导电层采用透明导电ΙΤ0薄膜材料制成。根据本专利技术的一个实施例，所述第二导电层采用金属材料制成。本专利技术的有益效果:本专利技术通过在阵列基板上设置太阳能电池，可以回收背光能源，提高背光源利用率，降低面板功耗。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要的附图做简单的介绍:图1是根据本专利技术的一个实施例的阵列基板结构示意图；图2是根据本专利技术的一个实施例的太阳能电池的结构示意图；图3是根据本专利技术的一个实施例的制作阵列基板的工艺流程图；图4a是对应图3中步骤S110的产品结构示意图；图4b是对应图3中步骤S120的产品结构示意图；以及图4c是对应图3中步骤S130的产品结构示意图。【具体实施方式】以下将结合附图及实施例来详细说明本专利技术的实施方式，借此对本专利技术如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本专利技术中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本专利技术的保护范围之内。为提高液晶显示器上的背光源光线的利用率，可以利用光生伏特效应将未被利用的背光源光能转换为电能储存起来。现有技术中，通常是在阵列基板的某些位置设置太阳能电池来将背光源的光能转换为电能。太阳能电池又称光电池，是一种利用半导体光生伏特效应将光能转换为电能的器件。在多种不同结构/不同活性层材料的太阳能电池中，硅太阳能电池又是发展最为成熟的，在应用中居主导地位。硅太阳能电池又包括晶硅太阳能电池和非晶硅太阳能电池。其中，非晶硅太阳能电池采用非晶硅半导体材料制成，具有较高的光吸收系数、较低的制成难度等优势，因而获得了广泛应用，本专利技术以非晶硅太阳能为例进行说明。由于对硅进行掺杂可以改变硅的特性，例如，在硅中掺入磷原子，会形成N型半导体(具有较多电子的半导体)；掺入硼原子，会形成P型半导体(具有较多空穴的半导体)。当N型半导体和P型半导体接触时，会在两者的界面形成内建电场，阻止过多的电子/空穴进一步扩散。然而，当半导体经光照射后，光子的能量被半导体吸收，会产生更多的电子与空穴，则在半导体内部形成电势差。当外电路有负载时，半导体内部会形成电流。这样，就将光能转换为电能，将该电能储存起来，就可以实现光能回收。因此，本专利技术提供了一种设置有太阳能电池的阵列基板，用于实现背光源未被利用光能的回收，降低基板的功耗。如图1所示为根据本专利技术的一个实施例的阵列基板结构示意图，以下参考图1来对本专利技术进行详细说明。该阵列基板包括基底11、太阳能电池21、绝缘层31及阵列电路41。太阳层21电池设置于基底11上，绝缘层31设置于太阳能电池21上，阵列电路41设置于绝缘层31上。其中，太阳能电池21与阵列基板对应的彩色滤光片上的黑色矩阵层对应且图案相同。也就是说，在位置上，太阳能电池与彩色滤光片上的黑色矩阵层对应；在形状上，太阳能电池与彩色滤光片上的黑色矩阵层的图案相同。在阵列基板工作时，如没有太阳能电池，背光源发出的光经基底和阵列基板到达彩色滤光片，并通过彩色滤光片上的彩色层透射出去。但是，由于彩色滤光片上的黑色矩阵不透光，背光源发出的光不能透过黑色矩阵透射出去，这部分能量就浪费掉了。本专利技术中的阵列基板工作时，背光源发出的光线透过基底11，一部分照射到太阳能电池21，另一部分通过太阳能电池21之间的间隙和绝缘层31到达阵列电路41。由于太阳能电池21与彩色滤光片上的黑色矩阵层对应，则原来应该照射到黑色矩阵上的光线被太阳能电池吸收，并将这些光能转换为电能储存下来，就可以减少由于黑色矩阵遮光导致的能量浪费。另外，由于太阳能电池21与-黑色矩阵图案相同，这样的太阳能电池不会降低显示面板的开口率，还可以最大限度的将黑色矩阵遮掉的光线以电能形式回收。在本专利技术的一个实施例中，该太阳能电池21包括设置于基底11上的第一导电层211、设置于该第一导电层211上的半导体层和设置于该半导体层上的第二半导体层215，其中，该半导体层包括上下重叠设置的P型半导体212、本征半导体213和N型半导体214，即该太阳能电池21为PIN结构。—般来说，半导体材料形成PN结构便形成了基本的太阳能电池。然而，在非晶硅型太阳能电池中，由于载流子的短寿命和低迀移率，使光生载流子的扩散长度低于电池的厚度。也就是说，光生载流子来不及扩散到电极便因复合而煙灭。为了提高电池的效率，在P型与N型半导体中间引入一层本征层(未掺杂的半导体)形成PIN结构的太阳能电池，其中的I表示本征层。本征层主要完成光线的吸收以及载流子的产生。由于本征层缺陷远小本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：基底，太阳能电池，设置于所述基底上；绝缘层，设置于所述太阳能电池上；阵列电路，设置于所述绝缘层上，其中，所述太阳能电池与所述阵列基板对应的彩色滤光片上的黑色矩阵层对应且图案相同。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：武岳，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44