【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】强散射陶瓷转换器及其制备方法
本专利技术涉及一种强散射电光陶瓷转换器材料、根据本专利技术的转换器在以分光形式运行的光电器件中的用途,以及用于提供本专利技术的转换器的制造方法。
技术介绍
转换器材料用于诸如发光二极管的光电子器件。在这种情况下,转换器材料将照射的具有第一波长的激发光(在下文中也称为蓝色激发光)至少部分地转换为具有第二波长的发射光。因为其有利的物理性质,陶瓷转换器材料被越来越多地用于此。大多数情况下,陶瓷转换器材料用于具有传输结构的转换器。在传输转换器中,蓝色激发光入射在转换器材料的一侧上,并且从转换器另一侧出射的光被利用。为了用传输转换器产生白色印记,所发射的光必须与蓝色激发光的一部分进行混合。所混合的蓝色激发光的比例取决于发射的转换的光的波长和待获得的颜色位置。并且,所混合的蓝色激发光的部分应当具有与转换的光类似的空间辐射行为。这是这样实现的:蓝色光通过陶瓷转换器材料散射。在现有技术中,公开了通过在陶瓷转换器中并入第二相或通过并入孔作为散射中心来实现蓝色激发光的散射。然而,散射不必然导致在蓝色激发光的显著分光,因为蓝色激发光的分光比例并不有助于有益的光通量,因此降低了转换器的效率。因此,转换器材料中的孔隙率和孔尺寸的精确控制是不可避免的。例如,专利申请公开US2009/0066221A1描述了一种陶瓷转换元件,在其中,蓝色激发光在孔处被散射,并且其中转换器的密度为至少97%。在这种情况下,孔隙率是由生坯不完全烧结所致。孔的直径为250纳米至2900纳米,并且主要由所用的反应物的颗粒尺寸决定。WO2011/094404描述了具有基本上球形的孔 ...
【技术保护点】
一种用于制备单相陶瓷转换器材料的方法,所述材料的密度小于97%以及包括掺杂铈作为第一活化剂的组合物A3B5O12的陶瓷相,A选自由元素Y、Gd、Lu和其组合所组成的组中,B选自由元素Al、Ga和其组合所组成的组中,其特征在于以下步骤:a)将起始材料称量为氧化物形式的A2O3、B2O3和CeO2,其中所述起始材料的初级颗粒具的颗粒尺寸为小于1微米;b)将所述起始材料在合适的液体中制浆,以制备悬浮液;c)在第一均质化步骤中,使用研磨体通过湿法研磨粉碎和均质化所述起始材料;d)在第二均质化步骤中进一步均质化所述悬浮液。e)通过除去液体来干燥所述起始材料;f)在10‑50兆帕的压力下单轴向压缩在步骤e)中干燥的起始材料,以制备生坯;g)在100‑300兆帕的压力下等静压缩所述生坯;h)在600‑1000℃的范围内的温度下燃烧所述生坯;i)在1550‑1800℃的范围内的温度下反应性地烧结所述生坯。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.01.28 DE 102013100832.11.一种用于制备单相陶瓷转换器材料的方法,所述材料的密度大于90%并小于97%以及包括掺杂铈作为第一活化剂的组合物A3B5O12的陶瓷相,其中所述铈的含量为0.001-3重量%,A选自由元素Y、Gd、Lu和其组合所组成的组中,B选自由元素Al、Ga和其组合所组成的组中,其特征在于以下步骤:a)将起始材料称量为氧化物形式的A2O3、B2O3和CeO2,以形成混合物,其中所述起始材料的初级颗粒具的颗粒尺寸为小于1微米;b)将所述起始材料在合适的液体中制浆,以制备悬浮液;c)在第一均质化步骤中,使用研磨体通过湿法研磨粉碎和均质化所述起始材料;d)允许所述悬浮液沉淀;e)在第二均质化步骤中进一步均质化所述悬浮液;f)通过除去液体来干燥所述起始材料;g)在10-50兆帕的压力下单轴向压缩在步骤f)中干燥的起始材料,以制备生坯;h)在100-300兆帕的压力下等静压缩所述生坯;i)在600-1000℃的范围内的温度下燃烧所述生坯;j)在1550-1800℃的范围内的温度下反应性地烧结所述生坯。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在步骤a)中,以0.01-3重量%的量加入CeO2。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在步骤a)中,以0.1-0.2重量%的量加入CeO2。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在步骤a)中,以0.03-0.2重量%的量加入CeO2。5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在步骤a)中,将Gd2O3加入至所述混合物中作为第二元素A和/或其中Gd2O3的比例为0.5-20重量%。6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在步骤a)中,将Gd2O3加入至所述混合物中作为第二元素A和/或其中Gd2O3的比例为1-15重量%。7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,将Gd2O3加入至所述混合物中作为第二元素A和/或其中Gd2O3的比例为2.5-10重量%。8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在步骤a)中,将Ga2O3加入所述混合物中作为第二元素B和/或其中Ga2O3的比例为0.5-20重量%。9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在步骤a)中,将Ga2O3加入所述混合物中作为第二元素B和/或其中Ga2O3的比例为1-15重量%。10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在步骤a)中,将Ga2O3加入所述混合物中作为第二元素B和/或其中Ga2O3的比例为2.5-10重量%。11.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在步骤a)中,使用颗粒尺寸为20-300nm的初级颗粒和/或使用颗粒尺寸为30-60nm的初级颗粒A2O3。12.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在步骤a)中,额外地将分散剂、压缩助剂和/或粘合剂作为添加剂加入到所述混合物中。13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述分散剂和/或所述粘合剂的比例为小于3.5重量%。14.根据权利要求12所述的方法,特征在于,所述分散剂和/或所述粘合剂的比例为小于2.5重量%。15.根据权利要求12所述的方法,特征在于,所述分散剂和/或所述粘合剂的比例为小于1重量%。16.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在步骤c)中,使用辊台。17.根据权利要求1所述的方法,其包括:在步骤d)中,将烧结助剂加入到所述混合物中。18.根据权利要求1所述的方法,其包括:在步骤c)之后并且在步骤e)中的所述第二均质化之前,将含二氧化硅的烧结助剂加入到所述混合物中和/或其中所述烧结助剂相对于SiO2的含量为小于0.2重量%。19.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在步骤e)中,通过多轴运动使所述混合物均质化。20.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在步骤e)中,通过使用转臂的多轴运动使所述混合物均质化。21.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员:Y·门克,V·哈格曼,B·霍普,
申请(专利权)人:肖特股份有限公司,
类型:发明
国别省市:德国;DE
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