【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种等离子体处理腔室,其中,包括:一腔体;基台,其设置于腔体下方,基片放置于所述基台表面;设置于所述基台内部的若干冷却气体通道,其中通有冷却气体,所述冷却气体通道在所述基台和基片之间设置有一个喷气孔,所述冷却气体能够通过喷气孔将冷却气体喷向基片背面;若干升举顶针,其可移动地设置于基台内部,能够向上顶起基片,静电夹盘,位于所述基台的上部,其最上层设置有一绝缘层,在所述绝缘层中设置有一电极,其中,所述电极分别连接有一直流电源和一交流电源。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:杜若昕,梁洁,王洪青,刘志强,苏兴才,
申请(专利权)人:中微半导体设备上海有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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