【技术实现步骤摘要】
本申请涉及功率变换器领域的箝位吸收电路及其阻抗调节方法。
技术介绍
功率变换器中的功率开关，例如晶体管，金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）等，在功率开关工作在高频的导通/关断过程中，电路中的电流变化率很大，并且流过感性元件，从而会产生超过功率开关的耐压值的尖峰电压。这种尖峰电压作用于功率开关上，会将功率开关击穿或损坏，这是功率变换器中普遍存在的问题。随着功率变换器工作电流和工作频率的提高，上述问题就变得更加严重。在功率变换器中采用箝位吸收电路可以降低作用在功率变换器中功率开关上的尖峰电压，通常耐压等级越小的功率开关的通态电阻也越小，因此，选用耐压等级更小的功率开关可以降低功率开关的损耗和成本。然而，箝位吸收电路自身也会带来额外的损耗。例如，图1示例性示出了一种现有技术中低压大电流场合比较常用的功率变换器二次侧输出的同步整流电路及其箝位吸收电路的电路图。如图1中所示，双输出绕组变压器T1、作为功率开关的同步整流元件Q1和Q2、与Q1和Q2反向并联的二极管、滤波电容C0、以及负载电阻R0构成了功率变换器二次侧输出的同步整流电路，其中双输出绕组变压器T1绕组旁的黑点“·”指示绕组的同名端，滤波电容C0上的加号“+”表示功率变换器输出的正极；箝位二极管D1和D2、箝位电容C1和C2、以及泄放电阻R1和R2分别构成了两个RCD箝位吸收电路。当同步整流元件Q1和Q2在关断时刻，双输出绕组变压器T1的绕组...
【技术保护点】
一种箝位吸收电路，用以降低功率变换器的功率开关上的尖峰电压值，包括：箝位开关；箝位电容，具有第一端和第二端，其第一端经由所述箝位开关电性耦接于所述功率开关，其第二端电性耦接于接地端；以及至少一阻抗调节电路，每一阻抗调节电路包括：开关元件，具有第一端、第二端和控制端，其第一端电性耦接于所述箝位电容的第一端，其第二端电性耦接于所述接地端；以及控制电路，接收所述功率变换器的检测参数，并将所述检测参数与一预设参数进行比较，输出一控制信号至所述开关元件的控制端，以调节所述阻抗调节电路的阻抗值。
【技术特征摘要】
1.一种箝位吸收电路，用以降低功率变换器的功率开关上的尖峰电压
值，包括：
箝位开关；
箝位电容，具有第一端和第二端，其第一端经由所述箝位开关电性
耦接于所述功率开关，其第二端电性耦接于接地端；以及
至少一阻抗调节电路，每一阻抗调节电路包括：
开关元件，具有第一端、第二端和控制端，其第一端电性耦接
于所述箝位电容的第一端，其第二端电性耦接于所述接地端；以及
控制电路，接收所述功率变换器的检测参数，并将所述检测参
数与一预设参数进行比较，输出一控制信号至所述开关元件的控制端，
以调节所述阻抗调节电路的阻抗值。
2.根据权利要求1所述的箝位吸收电路，其中，所述阻抗调节电路
还包括一第一电阻，所述第一电阻的一端电性耦接于所述箝位电容的第
一端，其另一端电性耦接于所述开关元件的第一端。
3.根据权利要求1或2所述的箝位吸收电路，其中，所述阻抗调节
电路还包括一第二电阻，所述第二电阻的一端电性耦接于所述箝位电容
的第一端，其另一端电性耦接于所述开关元件的第二端。
4.根据权利要求1所述的箝位吸收电路，其中，所述开关元件的第
二端经由一第一电源电性耦接于所述接地端。
5.根据权利要求4所述的箝位吸收电路，其中，所述第一电源为所
述功率变换器的输出电源。
6.根据权利要求1所述的箝位吸收电路，其中，所述开关元件的第
二端和所述箝位电容均经由一第二电源耦接于所述接地端。
7.根据权利要求6所述的箝位吸收电路，其中，所述第二电源为电
容。
8.根据权利要求1所述的箝位吸收电路，其中，所述检测参数为一
工作频率，所述预设参数为一参考频率，当所述工作频率大于所述参考
频率时，减小所述阻抗调节电路的阻抗值；当所述工作频率小于或等于
\t所述参考频率时，增加所述阻抗调节电路的阻抗值。
9.根据权利要求1所述的箝位吸收电路，其中，所述检测参数为一
工作电流，所述预设参数为一参考电流，当所述工作电流大于所述参考
电流时，减小所述阻抗调节电路的阻抗值；当所述工作电流小于或等于
所述参考电流时，增加所述阻抗调节电路的阻抗值。
10.根据权利要求1所述的箝位吸收电路，其中，所述控制电路包
括：
参考信号调节模块，接收所述检测参数，并将所述检测参数与所述预设
参数进行比较，输出至少一参考电压；
信号处理模块，具有一第一输入端、一第二输入端和一输出端，其
第一输入端连接于所述箝位电容的第一端，第二输入端连接于所述参考
信号调节模块的输出端，其输出端电性耦接于所述开关元件的控制端，
输出与所述参考电压相对应的所述控...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙丽萍，言超，叶益青，
申请(专利权)人：台达电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：台湾;71
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