纳米线的制造方法技术

技术编号:10018288 阅读:111 留言:0更新日期:2014-05-08 16:44
本发明专利技术提供了一种纳米线的制造方法,包括:提供体硅衬底;在所述体硅衬底上形成支撑柱;利用外延工艺在所述支撑柱的侧边形成纳米线,所述纳米线的材料与所述支撑柱的材料不同;去除所述支撑柱,使得所述纳米线悬空。在本发明专利技术提供的纳米线的制造方法中,所述纳米线在体硅衬底上形成,避免了对于SOI衬底的使用,从而降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种纳米线的制造方法,其特征在于,包括:提供体硅衬底;在所述体硅衬底上形成支撑柱;利用外延工艺在所述支撑柱的侧边形成纳米线,所述纳米线的材料与所述支撑柱的材料不同;去除所述支撑柱,使得所述纳米线悬空。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:宋化龙
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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