株式会社东芝专利技术

株式会社东芝共有17041项专利

  • 实施方式提供信号传送装置以及LVDS电路,能够实现同相传送与差动传送的切换的高速化。实施方式的信号传送装置的发送缓冲器具备:差动电路部,连接于第一电位与第二电位之间;可变电流源部,向差动电路部供给电流;开关部,在第一发送端子与固定电位之...
  • 实施方式提供提高高频特性的半导体装置。半导体装置具备绝缘层、半导体层和控制电极。半导体层包含:第一导电型的第一半导体区域,设置在绝缘层上;第一导电型的第二半导体区域,与第一半导体区域分离;以及第二导电型的第三半导体区域,设置在第一半导体...
  • 本发明提供写入性能高的磁盘装置。在实施方式涉及的磁盘装置中,磁道具备多个第1扇区和第2扇区。在从主机要求了对作为多个第1扇区中的一个扇区的第3扇区写入第2数据段的情况下,控制器从主机取得第2数据段并保存于存储器,从磁道取得包括全部第1数...
  • 提供通过前馈控制抑制头的振动的磁盘装置以及头控制方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备被输入VCM控制值和头的当前位置的信息即头位置信息作为输入值、并将对微致动器的MA控制修正值作为输出值输出的前馈控制部,所述前馈控制部具备包含表示所述输入...
  • 提供以能够缩短多个磁盘的间隔的方式具备了阻尼器的盘装置。一个实施方式的盘装置具备磁盘、第1头万向架组件、第1阻尼器及滑架。所述第1头万向架组件具有第1基体板。所述第1阻尼器具有第1粘弹性体和安装于所述第1粘弹性体并且刚性比该第1粘弹性体...
  • 本发明的实施方式涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具有第一电极、第二电极、第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域、第一导电部、第二导电部、栅极电极、第一绝缘部、第二绝缘部、第三绝缘部以及第四绝缘部。第二...
  • 提供能够测试设置于部件附近的外围元件的健全性的磁盘装置及方法。磁盘装置具备磁盘、磁头以及使用磁头来执行对于磁盘的数据的写入以及读取的部件组。部件组包括:第1部件,其以第1值的电压进行工作;和第2部件,其通过用于向第1部件输送电力的电力线...
  • 本发明的实施方式提供能够减少消耗电流的数字隔离器。实施方式的数字隔离器具备:边沿检测电路,检测基于输入信号的信号的脉冲的边沿,输出第一及第二检测信号;驱动用缓冲器电路,输出基于第一检测信号的第一驱动信号并输出基于第二检测信号的第二驱动信...
  • 本发明提供一种马达控制装置,兼顾高度的控制和稳定性。实施方式的马达控制装置具备第一控制电路、第二控制电路、判定电路以及指令电路。第一控制电路根据角速度的指令值以及角速度的测定值,输出基于规则库第一控制值。第二控制电路根据上述角速度的指令...
  • 提供读取以及写入的性能高、且存储容量大的磁盘装置。磁盘装置具备磁盘、马达、磁头以及控制器。在磁盘中设置有第1区域和位于比第1区域靠内周侧的位置的第2区域。马达使磁盘旋转。控制器接收写入命令。在作为由写入命令指定为了数据的写入目的地的位置...
  • 本公开提供一种能够提高头的定位控制的精度的盘装置。根据一个实施方式,在盘装置中,控制器在基于从伺服磁道读出的伺服信息而将头定位控制于目标数据磁道时,根据第1周向位置处的伺服磁道的径向位置的修正值频谱的振幅和第2周向位置处的伺服磁道的径向...
  • 一种磁盘装置,抑制由每个磁头的主磁极的尺寸波动导致的辅助效果的波动。实施方式涉及的磁盘装置包括:磁头,具备主磁极、辅助磁极、侧屏蔽件、高频振荡元件以及磁通控制元件,辅助磁极与主磁极空开写入间隙地设置,与主磁极一起构成磁回路,侧屏蔽件在主...
  • 本发明提供马达控制装置及马达驱动器电路,能够精度良好地进行预定的处理。根据一个实施方式,提供一种具有传感器、检测电路和控制器的马达控制装置。传感器配置于马达中的对应于第1相的绕组与第2相的绕组之间的位置。马达包括第1相的绕组、第2相的绕...
  • 实施方式涉及半导体装置。实施方式的半导体装置具备:第一电极;第一导电型的第一半导体层,配置在所述第一电极上;第二导电型的第二半导体层,配置在所述第一半导体层上的一部分;金属层,配置在所述第一半导体层上及所述第二半导体层上,与所述第一半导...
  • 实施方式涉及半导体装置。实施方式的半导体装置具备氮化物半导体元件、第一二极管以及第二二极管,氮化物半导体元件包括导电性的安装基座、形成于安装基座之上的半导体基板、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第一主电极、第二主电极、第一栅极电...
  • 实施方式提供能够扩大芯片上的有源区的半导体装置。实施方式的半导体装置具备:芯片;以及栅极电极,与设置于所述芯片上的栅极电极焊盘连接,所述栅极电极包括:外部露出部,具有与密封树脂的外部露出面共面的外部露出面;以及栅极电极焊盘连接部,与所述...
  • 本发明涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置具备第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域及第三半导体区域、第一导电型的第四半导体区域、栅极电极及第二电极。第四半导体区域包含位于第三半导体区域之上的第一部分和在与从...
  • 本发明提供一种高性能的磁盘装置。实施方式所涉及的磁盘装置的控制器,关于多个第1位置组中的各个第1位置组取得第1分布,该第1分布是与使用一个第1位置组所包含的半径方向的多个位置处的修正量对与磁盘的旋转同步了的干扰进行了修正的情况下的残留误...
  • 实施方式提供一种具有高耦合系数的隔离器。一个实施方式的隔离器包括:第一线圈;第二线圈,沿着第一轴与所述第一线圈并排,与所述第一线圈对置;板状的第一磁铁,设置于所述第二线圈的与所述第一线圈所位于一侧相反的一侧,与所述第二线圈对置,并沿着与...
  • 本发明的实施方式提供低电阻的半导体装置,具备:半导体芯片,具有第一面、第二面、第一电极、第二电极、第三电极;第一导电部件,包括第一部分以及第一中间部分,从半导体芯片朝向第一部分的方向沿着第一方向,从第一部分朝向第一中间部分的方向沿着与第...