【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施方式涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、金属氧化膜半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effecttransistor：mosfet)等半导体装置被用作开关元件。在半导体装置中，要求提高开关效率、抑制破坏发生、减少导通动作时的电阻等。
技术实现思路
1、实施方式的半导体装置具有第一电极、第二电极、第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域、第一导电部、第二导电部、栅极电极、第一绝缘部、第二绝缘部、第三绝缘部、第四绝缘部。第二电极具有与第一电极分离地设置的第一部分和从第一部分在第一方向上向第一电极侧延伸的第二部分。第一导电型的第一半导体区域设于第一电极与第二电极之间，与第一电极电连接。第二导电型的第二半导体区域设于第一半导体区域与第二电极之间。第一导电型的第三半导体区域设于第二半导体区域与第二电极之间，与第二电极电连接。第一导电部设于第一半导体区域中。第一绝缘部设于第一导电部与第一半导体区域之间。栅极电极在与第一方向相交的第二方向上设于第二半导体区域与第二部分之间。第二导电部设于第一导电部与栅极电极以及第二部分之间，与第二部分电连接。第二绝缘部设于第一绝缘部以及第一导电部与第二导电部之间。第三绝缘部设于第二半导体区域与栅极电极之间以及第一半导体区域与第二导电部之间。
2、第四绝缘部设于栅极电极与第二导电部之间。
3、另外，实施方式的半导体装置的制造方法具有如下工序：在第一方
4、根据本专利技术的实施方式，可提供能够抑制破坏发生的半导体装置以及半导体装置的制造方法。
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1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体装置...
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