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本发明的实施方式涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具有第一电极、第二电极、第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域、第一导电部、第二导电部、栅极电极、第一绝缘部、第二绝缘部、第三绝缘部以及第四绝缘部。第二电极...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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