本发明的溅射装置具备：真空腔室、阴极、靶、基板保持部和摆动部。摆动部具有：沿摆动方向延伸的摆动轴；摆动驱动部，用于使所述基板保持部在所述摆动轴的轴线方向上摆动；以及旋转驱动部，设置于所述摆动轴且用于使所述摆动轴转动。旋转驱动部能够使所述...

本发明的薄膜制造装置为通过使成膜粒子附着到在能够密闭的腔室内移动的基板的一面来形成薄膜的装置，所述薄膜制造装置包括：等离子体发生部、基板移动部、成膜源供给部和成膜区域限定部。所述等离子体发生部包括：位于所述基板的另一面侧的磁铁；和用于向...

本发明涉及一种蚀刻方法。本发明的蚀刻方法具有：抗蚀剂图案形成工序，在被处理体上对由树脂构成的抗蚀剂层形成抗蚀剂图案；蚀刻工序，经由具有所述抗蚀剂图案的所述抗蚀剂层对所述被处理体进行蚀刻；以及抗蚀剂保护膜形成工序，在所述抗蚀剂层上形成抗蚀...

本发明提供一种无须变更喷淋板，不改变激发后的蚀刻气体的生成条件，就能调节蚀刻对象物表面上的激发后的蚀刻气体的浓度分布的干蚀刻装置(EM)。其具备：第一喷淋板(4)，其在真空室(1)内与蚀刻对象物(Sw)相向配置，设置有多个第一喷出口(4...

本发明提供一种可靠性高的轴密封结构体、真空泵。在轴密封结构体中，转子轴具有第一端部、与上述第一端部处于相反侧的第二端部、与上述第一端部和上述第二端部相连的外周面、以及设置在内部的通道，上述转子轴能够以中心轴为中心旋转。旋转轴密封件在上述...

本发明涉及一种真空处理装置和使用该真空处理装置的真空处理方法。一种真空处理装置，包括：沿着第一方向依次布置的多个传送室；沿着垂直于所述第一方向的第二方向连接到所述多个传送室的多个处理室；以及连接到所述多个传送室中的第一传送室的位置转换室...

本发明的课题在于实现膜厚分布的均匀化。在成膜方法中，使用至少3个以上的多个旋转靶对基板进行溅射成膜，旋转靶具有中心轴和靶面，并在内部具备能够绕中心轴旋转的磁铁。多个旋转靶配置为中心轴相互平行并且中心轴与基板平行。一边对多个旋转靶通电一边...

本发明提供一种能够不受侵入外壳内表面与各螺旋齿的齿尖表面之间的间隙的异物的影响而可始终正常运转的螺杆泵。其具有：一对螺杆转子(11、12)，其分别具有扭转方向相反的螺旋齿；以及外壳(2)，其对一对螺杆转子以非接触地彼此啮合的状态且各螺旋...

本发明提供一种真空蒸镀装置用蒸镀源，其具有主筒体和副筒体，所述主筒体具有填充蒸镀材料的坩埚部；所述副筒体具有释放开口；以及加热装置，其至少可加热坩埚部内填充的蒸镀材料；副筒体改变释放开口的相位并可装卸自如地安装在主筒体上；设置有开合自如...

本发明提供一种可靠性更高的真空泵。在本发明的真空泵中，气缸主体具有：进气口；筒状的内部空间，其经由上述进气口吸入气体；排气口，其将上述气体从上述内部空间经过排气通道向内部空间外排出；供油口，其向上述内部空间供给泵油；油池，其设置在上述内...

本发明提供一种成膜方法，当通过靶的溅射形成电介质膜时，该方法可不损害有效抑制诱发异常放电这一功能地尽量减少刚成膜后的被处理基板表面上附着的粒子的数量。在真空室(1)内对靶(2)进行溅射并在被处理基板(Sw)的表面上形成电介质膜的本发明的...

在使用多个基板保持器的通过型真空处理装置中，效率良好地对基板的两个表面进行处理，实现装置的小型化以及构成的简单化。运送通路具有将基板保持器（11）分别以水平状态向第一运送方向（P1）运送的往路侧运送部（33a）、向与第一运送方向（P1）...

本发明供给一种能够提高衬底面内氧化硅膜的蚀刻量均匀性的蚀刻装置及蚀刻方法。本发明的蚀刻装置使用包含氟化氢和氨的处理气体来蚀刻氧化硅膜，其具有腔室、气体供给部、水蒸气供给部以及控制部。所述腔室构成为能够配置表面具有所述氧化硅膜的衬底。所述...

本发明提供一种可抑制在被处理基板的外边缘部处的局部升温的溅射装置。本发明的溅射装置(SM)具有：将靶(2)和被处理基板(Sw)相对配置的真空室；以及挡板(5)，其在真空室内围绕靶和被处理基板之间的成膜空间(1a)；所述溅射装置上设置有对...

本发明提供一种可尽量抑制蒸镀中被处理基板和掩模板的温度上升的真空蒸镀装置用的蒸镀源。配置在真空室内用于对被处理基板进行蒸镀的真空蒸镀装置用的蒸镀源(DS)，其具有填充蒸镀材料(Vm)的容器(41)和加热该容器内的蒸镀材料的加热装置(43...

一种高频电力电路，包含第一天线电路(Lin,VCin1,VCin2)、第二天线电路(Lo,VCo1,VCo2)及控制部(51)。第一天线电路包含用于生成等离子的第一天线(Lin)、第一分配用电容器(VCin1)及第一可变电容器(VCin...

本发明涉及一种硅的干蚀刻方法。在本发明的硅的干蚀刻方法中，准备硅基板，形成在所述硅基板上具有开口的掩模图案，根据所述掩模图案，导入第一气体以在所述硅基板上形成沉积层，根据所述掩模图案，导入第二气体对所述硅基板进行干蚀刻处理以在所述硅基板...

一种沉积亚化学计量金属氧化物的方法，该方法包括：选择包含金属和第一配体的第一前体；选择包含金属和第二配体的第二前体；在原子层沉积循环的第一脉冲期间将衬底(102)暴露于第一前体；在原子层沉积循环的第二脉冲期间将衬底(102)暴露于第二前...

本发明提供一种非接触式供电系统，不使用另外的通信设备，就能够在进行非接触供电时还进行通信。供电系统(PS)具有：在一对电极(5a、5b)间机械式分离的电容器(5)；与电容器的一个电极连接的供电电路单元(6)；与电容器的另一电极连接的受电...

本发明提供了一种代替IGZO的高特性的氧化物半导体薄膜制造用的溅射靶及其制造方法。为了达成上述目的，本发明的一个方式的溅射靶由包含铟、锡以及锗的氧化物烧结体构成，锗相对于铟、锡及锗的总和的原子比为0.07以上且0.40以下，锡相对于铟、...