本发明提出了一种

本发明提出了一种温度梯度凝固制备化合物晶体的均衡凝固方法，属于晶体制备技术领域，本发明通过控制多段加热系统，在液封提拉系统坩埚的熔体中生长磷化铟晶体，当晶体尺寸大于所需尺寸以后，向熔体中注入铟，同时降低熔体温度使得熔体与磷化铟晶体保持近...

本发明提出了一种用于化合物半导体单晶的低位错生长装置，属于晶体制备技术领域，所述生长装置包括密闭的炉体

一种通过隔离氧化硼避免晶体开裂的方法，属于晶体制备技术领域，所述方法为在晶体生长完成后，使用隔离片将磷化铟晶体和液态氧化硼隔离。采用本发明提出的方法，在晶体生长完成后，在氧化硼凝固前，将液态氧化硼与磷化铟晶体进行隔离，氧化硼凝固过程中，...

本发明提供一种半导体晶体生长及原位退火的方法及装置，涉及半导体晶体制备技术领域。该半导体晶体生长及原位退火的方法，包括以下过程：S1.首先将坩埚盖焊接或烧结至坩埚上，然后向坩埚内部放置固体氧化硼和固体磷化铟，然后将坩埚放置到坩埚支撑上端...

本发明提供一种电源模块的陶瓷封装外壳及其制备方法，该方法包括：制备多层共烧结构的陶瓷基板；在陶瓷基板表面活性焊接第一铜层；图形化刻蚀第一铜层，制备得到电路图形；采用电镀工艺，在电路图形上电镀第二铜层，制备得到电源模块的陶瓷封装外壳，其中...

本发明提供了一种微波组件测试用固定工装，包括机架

本发明提供一种金刚石

本申请提供一种金刚石基氮化镓制备方法及金刚石基氮化镓晶圆

本发明提供一种宽带模拟预失真线性化器。该宽带模拟预失真线性化器包括：输入90

本发明提供一种自偏置结构、可变电流放大器及电子装置，其中，自偏置结构包括旁路电容、插入源电阻、多个焊盘和多个片外电阻器；旁路电容的一端与接地孔连接，另一端用于与晶体管的源极连接；插入源电阻的一端与接地孔连接；多个焊盘至少包括5个焊盘，分...

本申请适用于单片微波集成电路技术领域，提供了宽带无源倍频器及芯片，该宽带无源倍频器包括：第一变压器巴伦、第一放大器、第二放大器、倍频单元和第二变压器巴伦，利用变压器巴伦实现宽带无源倍频器的宽带宽，通过相位相消技术，使信号的偶次谐波输出，...

一种电弧加热无坩埚生长氧化镓晶体的装置，涉及半导体晶体材料的制备，包括炉体、穿过炉体上部的籽晶杆、连通炉体内部与外部的管路系统，所述装置还包括设置在炉体内部的连接上加热环升降杆的上加热环、电弧加热电极、电弧电源、退火层、冷却系统和设置在...

本发明提供一种双异质结双极晶体管及其制备方法。该方法包括：在待制备的圆片上制作发射区电极，并基于发射区电极对圆片中的发射区进行湿法腐蚀，以使圆片中发射区和基区之间的第一分界层暴露；在第一分界层的上表面制作基区电极，并基于基区电极，依次对...

本申请适用于半导体器件技术领域，提供了一种金刚石基氮化镓晶体管制备方法及金刚石基氮化镓晶体管，该方法包括：在硅基氮化镓晶圆上表面制备电极场板区；在硅基氮化镓晶圆上表面和硅晶圆上表面溅射第一金属层，并进行预键合；将载体与硅晶圆进行临时键合...

一种磷化铟晶体的切割、研磨、抛光一体化设备，属于半导体切割、研磨、抛光技术领域，包括机架、设置在机架上的X向移动机构、设置在X向移动机构上的Y向移动机构、设置在Y向移动机构上且用于夹持磷化铟晶体的加持定位机构，所述设备还包括设置在机架内...

本发明提供一种开关电路。该开关电路包括：发射支路和接收支路；发射支路的输出端口与接收支路的输入端口连接，作为公共端口；发射支路包括：电感L1、第一并联谐振模块、第二并联谐振模块和晶体管M1；电感L1的一端连接公共端口，电感L1的另一端连...

本申请适用于滤波器技术领域，提供了一种无反射式滤波器和滤波器组件。该无反射式滤波器包括级联的吸收单元和反射式滤波单元；所述吸收单元被配置为将第一信号中的预设频段部分信号进行吸收得到第二信号，以及所述第二信号传输到所述反射式滤波单元；所述...

本发明提供一种叉指型变容二极管及其制备方法，其中，制备方法包括在P型欧姆接触层上的第一预设区域制备第一叉指P型欧姆接触电极；对设有第一叉指P型欧姆接触电极的P型欧姆接触层进行刻蚀，使得刻蚀后得到的刻蚀台面的侧壁与N型欧姆接触层之间有一夹...

本发明提出一种感应区熔法生长氧化镓晶体的方法，涉及半导体晶体材料的制备，所述装置包括供晶体生长的密封炉体、炉体外的氧化镓添加装置，炉体和氧化镓添加装置连通；首先在籽晶中加入铱棒，然后利用感应加热铱棒，使得籽晶中心区域形成初始熔池，然后下...