浙江晶科能源有限公司专利技术

浙江晶科能源有限公司共有1286项专利

  • 本发明公开了一种利用激光同时实现太阳电池背面局域接触和局域掺杂的方法,其是在太阳能电池背表面钝化层上再沉积含有硼的材料,并利用激光作用其表面,在形成背面局部接触窗口的同时完成对局域接触区域的掺杂,最后清洗去除含有硼的材料。本发明采用激光...
  • 本发明公开了一种具有吸杂作用的多晶硅电池发射极的扩散方法,其特征在于,扩散前在硅片制绒面镀一层二氧化硅膜,扩散为双面扩散并且包含了两步有源扩散和两步吸杂。本发明通过改善扩散工艺,提高硅片少子寿命,从而提高电池片的电性能。特别适用于A区硅...
  • 本发明公开了一种可直线焊接的MWT电池背面结构,其设有通孔电极、正电极、通孔和背电场,所述通孔电极包括焊接端和导电端,所述通孔位于通孔电极导电端上且均匀并对称分布在电池片上。本发明将电池通孔电极设计为“T”字形,通孔位于“T”字形电极的...
  • 本发明公开了一种晶硅太阳能电池生产中实施背抛光的方法,其采用一种新的湿法刻蚀的碱槽结构,所述碱槽分为两个独立的部分,分别为浸泡区和喷淋区,两个区域有独立的槽体并具有独立的控制功能,所述的控制功能包括控制碱液的浓度、温度以及补水和添加药液...
  • 本发明涉及一种晶体硅太阳电池选择性发射极的实现方法,包括预沉积、去除需轻掺杂区域磷硅玻璃层和推进三个步骤,其中:通过预沉积,在p型硅片表面形成一层磷硅玻璃和磷含量低的n+型发射极;再通过化学腐蚀的方法,将需轻掺杂区域的磷硅玻璃层去除;最...
  • 本发明公开了一种背接触太阳能电池片测试装置,包括上、中、下三块绝缘板,通过螺栓将上、中、下三块绝缘板固定在一起,其中中绝缘板设有中空部,下绝缘板上设有若干排探针插入孔和一个真空连接孔,每排探针插入孔包括若干对探针插入孔,每对探针插入孔插...
  • 本实用新型涉及涉及一种丝网印刷机用回墨刀。包括固定支架和回墨刀体,回墨刀体包括W折型区域、两端弧形区域及连接在所述W折型区域与两端弧形区域的连接部,固定支架与W折型区域向外侧突出的三条折棱保持在一个平面内。本实用新型通过将平直的回墨刀改...
  • 本发明涉及一种基于n型硅片的金属贯穿式背发射极晶硅太阳电池。包括n型晶硅硅片衬底、SiNx膜层、SiO2膜层、浅掺杂n+层、p型接触电极、局部接触发射极p+层、激光烧结孔、前接触电极、重掺杂n++层、贯穿孔以及n型接触电极。n型晶硅硅片...
  • 本发明公开了一种可直接焊接的MWT电池背面结构,包括通孔电极、背电极、背电场和硅片,还包括绝缘层,所述绝缘层设置于背电场表面,并与通孔电极纵向平行,所述绝缘层的宽度与通孔电极的宽度匹配。本发明增设绝缘层结构,可以实现MWT电池焊接过程中...
  • 本实用新型涉及一种RENA刻蚀设备的刻蚀槽的盖板。其包括顶层、底层和侧边,为双层中空结构,在顶层上或侧边处设有进气孔和出气孔,顶层和底层间的中空部位设有引导气流流动的隔条。能够防止水汽在其上面凝结,从而避免了由于液滴滴落在硅片上而造成的...
  • 本发明涉及一种基于N型衬底的IBC电池的制备方法,使用激光掺杂的方法来制备发射极,具体包括以下步骤:硅片表面织构化处理、硅片表面镀介质膜、用激光对背表面局部重掺杂N+区和P+区、用激光对正表面全部轻掺杂N+区、去除表面介质膜、硅片表面制...
  • 本实用新型公开了一种石英舟,包括卡槽棒和支撑卡槽棒的支架,所述卡槽棒上设有固定硅片的卡槽,所述卡槽棒包括一对左右平行设置的上卡槽棒和一对左右平行设置的下卡槽棒,所述上卡槽棒之间的间距大于下卡槽棒之间的间距;所述卡槽均布设置于卡槽棒内侧上...
  • 本发明涉及一种实现硅片单面抛光的方法。其应用一种腐蚀性具有较强选择性的有机碱溶液四甲基氢氧化铵溶液,步骤为:⑴在硅片正面覆盖二氧化硅或氮化硅掩膜层;⑵采用10%wt的HF溶液和带液滚轮装置,去除背面的二氧化硅或氮化硅;⑶将硅片放入10%...
  • 本实用新型公开了一种用于装卸硅片的石英吸笔,包括石英吸盘、石英吸管、抽真空接管,在所述石英吸盘内设有塑胶软垫,所述石英吸管下部设有塑胶套,将石英吸管与石英吸盘连接在一起。本实用新型降低了人为操作的碎片率和不良率,操作简单。
  • 本实用新型公开了一种太阳能电池生产中的丝网印刷网版,所述网版中部为图案区,在所述网版中部的图案四周非印刷浆料接触的一面设有一层密封层。本实用新型有效防止漏浆,降低生产成本。
  • 本发明涉及一种埋栅结构异质结太阳电池。其包括N型单晶硅衬底、正极、负极、透明导电薄膜以及在N型单晶硅衬底正面和背面制备形成的若干膜层;在N型单晶硅衬底正面制备形成的膜层包括P型氢化纳米硅膜层和P型重掺杂氢化纳米碳化硅膜层,并形成p+/p...
  • 本发明涉及一种基于N型硅片倾斜金属接触结构的异质结太阳电池。其包括N型单晶硅基体、正电极、负电极、透明导电薄膜以及在N型单晶硅基体正面和背面制备形成的若干膜层;在N型单晶硅基体背面制备形成的膜层包括N+重掺层,形成N+/N高低结;N型单...
  • 本发明公开了一种提高电子浆料可印性的方法,所述电子浆料用于图形印刷、制作厚膜元件,在所述电子浆料中添加一种松油醇,其分子式为C10H18O。本发明制作简单,易于印刷,印刷效果好。
  • 本发明公开了一种实现太阳能电池湿法边缘绝缘的方法,包括以下步骤:第一步,在氢氟酸槽内加入氢氟酸液使滚轮部分浸入氢氟酸液中,滚轮在转动时其细小凹槽内带有适量的氢氟酸液;将硅片置于滚轮上,通过滚轮转动,利用氢氟酸去除硅片背面及边缘的磷硅玻璃...
  • 本实用新型公开了一种新型太阳能电池结构,包括银电极、氮化硅介质膜、铝背场、硅衬底,在所述氮化硅介质膜上还设有一层氧化铝钝化膜,并在所述氮化硅介质膜和氧化铝钝化膜的背场上设有若干槽,所述的槽均匀分布。本实用新型更进一步提高了太阳能电池的光...