碳化硅粉料合成方法，属于碳化硅合成技术领域，具体涉及一种新型的碳化硅粉料的合成方法。本发明的方法首先将硅粉进行研磨筛分，并与碳粉混合均匀，并加入稳定剂硅化铈；把混好的料放入钽坩埚内抽真空，开启加热设备升温度充入氩气，让原料中的氮杂质与钽...

本发明公开了一种高纯四氟化锗气体的充装设备及充装方法，由第一冷却台、第二冷却台、真空泵、第一贮存容器、第二贮存容器、低温冷冻液机组和常温冷冻液机组组成；所述第一贮存容器设置于第一冷却台上；所述第二贮存容器设置于第二冷却台上；第一贮存容器...

本发明公开了一种用于二氧化锗还原提纯的旋风式纯化系统，包括进料装置、还原炉和区熔提纯炉；所述还原炉具有：旋风分离筒，其上端连通排气管一，混有二氧化锗粉末的氢气沿着旋风分离筒的切线方向流动进入旋风分离筒内；加热装置一，用于加热旋风分离筒内...

提高PVT法碳化硅晶体生长厚度的方法，属于PVT法碳化硅单晶生长领域，具体涉及一种碳化硅单晶生长工艺中晶体生长的控制工艺。本发明的工艺步骤包括，高压升温、降压变压生长以及升压结束生长和退火过程，其中降压变压生长维持炉内温度2200

本实用新型属于化工设备技术领域，具体公开一种贮存高纯四氟化锗的容器，包括容器本体，所述容器本体顶部设置容器口，与容器口对应的设置容器盖，所述容器盖上设置有一个单向球阀和一个三通球阀，所述三通球阀所连接的气管延伸至容器本体底部，所述单向球...

本发明涉及锗提取技术领域，具体公开了一种从烟尘中提取锗的方法，包括以下步骤：取旋转式挥发炉中产生的含锗烟尘，然后加入压力釜中悬空放置进行氧压氧化，通入CCl4溶液进入压力釜进行反应，并收集挥发的气体，进行冷却，将冷却后的GeCl4溶液通...

本发明涉及锗回收提取技术领域，具体公开一种经两段还原挥发富集低品位锗精矿中锗的设备及方法，包括顺序连接的氮气供气设备、旋转式挥发炉、竖式还原炉和布袋收尘器，所述竖式还原炉还连接有氢气供气装置和盐酸处理池，将低品位锗精矿粉碎后加入还原剂，...

本发明属于四氟化锗制备技术领域，具体公开一种利用氟锗酸钡热分解制备高纯四氟化锗的方法，包括以下步骤：将可溶性二氧化锗溶解于氢氟酸溶液，制成氟锗酸溶液，所述氢氟酸的浓度为25mol/L，氢氟酸溶液和可溶性二氧化锗的摩尔比为6～6.25：1...

本实用新型涉及设备及工业自动化控制系统，具体公开一种锗矿用主扇风机的控制系统，使用嵌入式主控模块控制整个系统，包括数字量输入/输出接口、AD模块和DA模块，AD模块电性连接有水平振动传感器、垂直振动传感器、风压传感器、风机变频器频率设定...

本实用新型涉及碳化硅粉料合成工艺领域，具体公开一种新型碳化硅粉料合成用的坩埚，包括圆柱形坩埚本体和盖体，所述坩埚本体的底部为弧形，所述坩埚整体的材料为碳化钽，本发明采用弧形底部使整个使得在碳化硅合成工艺中产量显著提高，采用碳化钽为材料制...

本发明公开了一种加压氧浸锗煤矿回收锗及浸出渣浮选联产优质煤的方法，属于煤综合利用技术领域。本发明将锗煤矿、浸出剂与水按一定液固比混和；置于高压釜反应器中，升温通氧浸出；恒温反应一段时间后取出浸出产物，置于反应釜中，加聚丙烯酰胺与浸出产物...

本发明属于高纯四氟化锗产品质量检测技术领域，具体公开一种检测高纯四氟化锗中杂质含量的气相色谱系统及方法，包括通过管路相互连接的切换阀系统、载气系统、进样系统、柱系统、尾气处理系统、检测系统，切换阀系统为五个，载气设置6条，进样系统中的两...

本实用新型属于锗生产设备技术领域，具体公开了一种用于锗锭还原炉上的铜夹，铜夹整体呈矩形，包括一个凸字形块和两个小矩形块，凸字形块顶面上设置有螺栓孔，并和还原炉通过螺栓连接，同时凸字形块和两个小矩形块的侧面上均设置螺栓孔，使小矩形块和凸字...

本实用新型属于锗生产设备技术领域，具体公开一种锗金属区域熔炼提纯用的石英管，管口外设置有聚四氟乙烯材质的封边圈。所述石英管的管口为喇叭口状，本发明经过改进区熔石英管与硅胶塞连接的管口形状，把直口型改为喇叭口型，在套聚四氟乙烯封边圈前就不...

本实用新型属于矿井机械设备领域，具体公开一种矿用主通风机的降噪装置，包括噪音传送装置和消音装置，所述噪音传送装置包括手动/电动蝶阀、一级通风主机体、二级通风主机体、圆变方消音器，并依次进行连接，所述消音装置包括隔音墙和消音塔，隔音墙设置...

本发明公开了一种从冶炼渣中富集锗的方法，属于稀散金属回收技术领域。本发明将含锗冶炼渣、磷石膏、铁粉、还原剂与助熔剂按比例混和后磨细；将磨细混合物进行还原造锍熔炼，分别得到含锗挥发和锍富集物，前者中锗回收率大于15％和锗含量约0.21～0...

本实用新型属于化工设备领域，具体涉及一种四氟化锗的纯化装置，包括精馏塔、中转装置、冷凝装置、存储装置和供气装置，精馏塔包括塔体和塔板架，塔板架由数个H型塔板搭建而成；供气装置包括分子筛、压力表，并依次通过管道连接至精馏塔底部；存储装置为...

本发明属于有色金属产品检测技术领域，具体公开一种测定高纯四氟化锗中痕量杂质元素含量的采样及测试方法，包括采样、制样、样品处理和使用电感耦合等离子体质谱法对高纯四氟化锗进行分析测定等步骤。采样过程中将采样装置充入一定量氮气放置于40‑50...

本实用新型涉及半导体材料SiC单晶生长领域，具体公开了一种PVT生长SiC单晶籽晶粘接盘，所述籽晶粘接盘包括籽晶和石墨圆板，籽晶粘接于石墨圆板上，石墨圆板直径不小于籽晶直径，石墨圆板上设置有数个等间距的凹坑，凹坑外缘与籽晶边缘相切，本实...

本专利涉及半导体材料SiC单晶生长领域，具体公开了一种PVT法生长SiC用的单晶炉测温结构，所述单晶炉包括用坩埚围成的晶体生长用晶体生长室，配置于生长室室内顶部的石墨盘，和在所述晶体生长室外围的保温层，所述测温结构包括所述石墨盘中心设置...