【技术实现步骤摘要】
一种PVT法生长SiC用的单晶炉测温结构
本专利涉及半导体材料SiC单晶生长领域，具体涉及一种PVT法生长SiC用的单晶炉测温结构。
技术介绍
半导体材料是导电能力介于导体与绝缘体之间的物质，凭借这种特性，可以用来制作半导体器件。第一、二代半导体（如硅和砷化镓等）在材料领域的迅速发展使得光电子和微电子也随之快速成长，但是他们在物理和化学性质上却具有一定的局限性，这限制了材料在器件上的应用上限。随着科技进步，半导体材料被赋予了更高的要求，它希望新型的半导体材料能够耐高温，同时还具有大的功率、频率及其他一些物理化学性质，所以，第三代半导体材料如碳化硅（SiC）便得到了人们的关注。SiC可以适应更苛刻的应用环境，如高磁场，腐蚀性，高温，高功率，高频率等。这些性能使得SiC半导体材料应用范围更广泛。世界上生长SiC体单晶的主要方法是采用物理气相传输法(亦称为“PVT”法)。该方法的基本原理是将SiC粉源和籽晶放在一个准密闭的坩埚里,籽晶固定在温度较低的坩埚顶部,粉源置于温度较高的坩埚底部,在低压高温下SiC粉源升华分解产生气...
【技术保护点】
1.一种PVT法生长SiC用的单晶炉测温结构，所述单晶炉包括用坩埚围成的晶体生长用晶体生长室，配置于生长室室内顶部的石墨盘，和在所述晶体生长室外围的保温层，其特征在于，所述测温结构包括所述石墨盘中心设置通孔，通孔上镶嵌盖片形成的测温窗，以及设置于石墨盘上方保温层内和所述测温窗垂直贯穿的测温孔，使得测量温度的红外线能够穿过保温层和石墨盘，直接测量SiC晶体生长室内的温度。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种PVT法生长SiC用的单晶炉测温结构，所述单晶炉包括用坩埚围成的晶体生长用晶体生长室，配置于生长室室内顶部的石墨盘，和在所述晶体生长室外围的保温层，其特征在于，所述测温结构包括所述石墨盘中心设置通孔，通孔上镶嵌盖片形成的测温窗，以及设置于石墨盘上方保温层内和所述测温窗垂直贯穿的测温孔，使得测量温度的红外线能够穿过保温层和石墨盘，直接测量SiC晶体生长室内的温度。
2.根据权利要求1所述的一种PVT法生长SiC用的单晶炉测温结构，其特征在于，所述盖片由熔点不低于2200℃可透过红外线的耐高温材料制成。
技术研发人员：包文东，陈吉堃，陈诺夫，惠峰，陆贵兵，普世坤，林作亮，胡文瑞，
申请(专利权)人：云南临沧鑫圆锗业股份有限公司，云南鑫耀半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：云南;53
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