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本专利涉及半导体材料SiC单晶生长领域，具体公开了一种PVT法生长SiC用的单晶炉测温结构，所述单晶炉包括用坩埚围成的晶体生长用晶体生长室，配置于生长室室内顶部的石墨盘，和在所述晶体生长室外围的保温层，所述测温结构包括所述石墨盘中心设置通孔...该专利属于云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司授权不得商用。