本发明涉及用于ESD的使用隔离的高电压PNP及其制造方法，提供一种形成HV横向PNP BJT的方法，该HV横向PNP BJT具有拉回隔离结构与覆盖NW+HVNDDD基极区的一部分及集极延伸部(HVPDDD)的一部分的多晶硅栅极，及所产生...

本发明涉及用于ESD保护的高保持高电压FET及其制造方法，提供一种在源极侧形成具有自对准P+植入物与LVPW区的LDMOS的方法、以及所产生的装置。具体实施例包括形成位在p型衬底中的DNWELL；形成位在该DNWELL中的PWHV；形成...

本发明涉及具有存储单元的集成电路及其产生方法，所提供的是集成电路及其产生方法。在一例示性具体实施例中，集成电路包括具有埋置型绝缘体层、及上覆于该埋置型绝缘体层的主动层的衬底。晶体管上覆于该埋置型绝缘体层，并且存储单元下伏于该埋置型绝缘体...

本发明涉及具有偏向控制的压电麦克风及其制造方法，其提供一种形成具有互锁/挡止件及微凸块的压电麦克风的方法与所产生的装置。数个具体实施例包括：形成隔膜于具有第一及第二牺牲层设置于其相对两面上的硅衬底上方，该隔膜形成于该第一牺牲层上，形成第...

本发明涉及用于晶圆级封装的密封环，揭示装置及用于形成装置的方法。提供至少一晶粒。具有扇出区域的重分布层从该至少一晶粒的外周缘同心地向外延伸。密封环设置在该重分布层的该扇出区域中。

本发明涉及非易失性存储装置的交接点布局，揭露一种装置及形成该装置的方法。该方法包括提供制备有存储单元区域的衬底以及形成存储单元对于该单元区域中。该存储单元对包括第一分离栅极存储单元以及第二分离栅极存储单元。各存储单元包括作为存取栅极的第...

本发明涉及用于制造具有存储器单元的集成电路的方法，其提供数种制造集成电路的方法。一种示范方法包括：图案化源极线光阻掩模以覆于衬底的源极线区上，同时暴露出漏极线区。该源极线区在第一及第二存储器单元之间，以及该漏极线区在该第二及第三存储器单...

本发明涉及具有可编程存储器的集成电路及其制造方法，提供制造集成电路的方法及通过该方法所制造的集成电路。在例示性的实施例中，制造集成电路的方法包含在衬底内部形成第一及第二浅沟槽隔离，其中该第一及第二浅沟槽隔离具有初始浅沟槽高度。基部阱区为...

本发明涉及具有NVM结构的集成电路及其制造方法，提供的是集成电路、非易失性存储器(NVM)结构、以及具有NVM结构的集成电路的制造方法。例示性集成电路包括衬底及上覆于此衬底的双位NVM结构。双位NVM结构包括衬底上方平行横向延展的主要、...

提供用于采收声能的微机电系统(MEMS)装置以及用于采收声能的MEMS装置的制造方法。在一具体实施例中，用于采收声能的MEMS装置的制造方法包括：形成设置于半导体衬底上方且在空腔中包括悬浮结构的压敏MEMS结构。此外，该方法包括：蚀刻该...

本发明涉及具有电容器的集成电路及其制造方法，所提供的是集成电路及其制造方法。在一例示性具体实施例中，集成电路包括附有主动层的衬底，该主动层上覆于埋置型绝缘体层，该埋置型绝缘体层进而上覆于握把层，其中，该主动层包括第一主动井。第一源极、第...

本发明涉及用于模拟应用的高增益晶体管，其所揭示的是一种模拟高增益晶体管。模拟高增益晶体管的形成与现有CMOS工艺高度相容。模拟高增益晶体管包括双重井，其包括低电压(LV)与中间电压(IV)晶体管的井植入物。另外，模拟高增益晶体管包括IV...

提供具有屏蔽微机电系统(MEMS)装置的集成电路及用于制造屏蔽MEMS装置的方法。在一实施例中，具有屏蔽MEMS装置的集成电路包括：基板；在该基板上方包括导电材料的接地平面；以及在该接地平面上方的介电层。该集成电路更包括在该接地平面上方...

本发明涉及压电微机电系统，为一种在通过介电层分离的衬底上包括压电堆栈的微机电系统(MEMS)装置。压电堆栈包括第一压电层与第二压电层，其具有位在第一压电层与接触垫下面的第一电极、以及位在第一压电层与第二压电层间的第二电极。第一接触穿过压...

本发明涉及pMUT及pMUT换能器阵列的电极配置，根据本文所述例示性具体实施例所提供的是各具有第一电极的压致微机械超音波换能器(pMUT)，该第一电极包括第一电极部与第二电极部。该第二电极部可与该第一电极部分别操作。第二电极与该第一电极...

本发明揭示用于磁阻存储器的间隔层，其具有高TMR的底部钉扎垂直磁隧道结(pMTJ)，可耐受高温后端工艺制程。该pMTJ包含在该pMTJ的固定磁层的SAF层和参考层之间的复合间隔层。该复合间隔层包含第一非磁(NM)间隔层，设于该第一NM间...

本发明涉及用于高电压(HV)静电放电(ESD)保护的RC堆迭式MOSFET电路。所揭示的是在高电压(HV)电路应用中提供抗ESD的保护的形成集成电路(IC)的装置及方法。装置包括经串联堆迭以提供N级堆迭的N个场效晶体管(FET)，其中N...

所揭示乃是一种自旋转移力矩磁性随机存取存储器装置、以及一种进行嵌入式快闪装置操作的方法。该自旋转移力矩磁性随机存取存储器装置组配成包括自旋转移力矩磁性随机存取存储器位格阵列。该数组包含复数个位线和复数个字符线，其中该位线形成多行自旋转移...

本发明涉及用于集成电路的基于四分之一波长传输线的静电释放保护，具体揭示在RF应用中提供ESD保护的器件及集成电路形成方法。本器件包括耦合至信号垫的传输线。该传输线是短路短截线，该短路短截线依存于带通滤波器的中心频率而组配为ESD保护器件...

本发明涉及具有低k互连的逻辑装置的整合式磁性随机存取存储器。具体揭示一种装置及形成装置的方法。该方法包括设置一基板与一在该基板的第一、第二及第三区域上的第一上介电层。该第一上介电层在该第一及第二区域中包含一具有多个金属线路的第一上互连层...