本申请涉及一种室内绝对位置确定方法。所述方法包括：接收定位请求，并对所述终端进行粗略定位；根据粗略定位结果确定所述终端的室内外情况，所述室内外情况包括终端位于室内区域、所述终端位于室内和室外的过渡区域以及所述终端位于室外区域；选择与所述...

本发明提出一种基于指令视频的帕金森非接触式智能检测方法及系统。该方法包括：获取帕金森患者与非患者的指令式视频数据集；构建人脸模型，标定关键点；根据所述人脸模型的眼部关键点，确定眼部特征向量；根据所述人脸模型的嘴部关键点，确定嘴部特征向量...

本申请公开了一种用于半导体器件重离子潜径迹损伤的分析方法，包括：确定所述半导体器件的基本结构；根据所述半导体器件的基本结构建立其器件模型；确定所述半导体器件模型中每层材料的种类和厚度参数，以及每层材料中入射粒子的类型和能量参数；定义所述...

一种累积电离辐射效应下半导体功率器件的可靠性的评价方法，包括：向样品器件施加预设偏置电压；对施加偏置电压后的样品器件进行辐照直至预设剂量点；测量施加辐照后的样品器件的电学特性参数；基于施加辐照前后的所述样品器件的电学特性参数对所述样品器...

本发明提出一种主动解除相邻线圈之间电磁耦合的阵列涡流探头，主要解决现有的阵列涡流探头采用屏蔽罩被动屏蔽电磁耦合的两个不足：一、阻隔了罩内检测线圈焦耳热与外部对流换热的通道，易造成线圈温升，带来温漂误差；二、增大探头体积，探头空间分辨力降...

本发明提供一种模拟混凝土实际泵送过程的流动特性测量装置，具体包括底座、加压动力模块、倾斜振动模块、测量模块。通过移动电机的位置可以改变流动特性测量装置的倾斜角度，模拟倾斜条件下的泵送情况；并采用偏心轴安装在电机上，实现该测量装置的高频摆...

本发明提供一种用于激光烧结过程铺粉均匀性的检测装置及方法，检测装置由收集装置和底板组成，收集装置由固定盖板I、固定盖板II、收集盒组成。检测方法为：将底板放入烧结区，在底板上进行一定次数的铺粉，铺粉完成后将每个收集盒称重并嵌入固定盖板I...

本发明公开了一种硫酸钙矿物晶体纤维的制备方法。本发明的技术要点是：石膏原料活化，将石膏原料采用研磨或加热煅烧或研磨与加热煅烧两者相结合的方式进行预先活化处理；表面调质，向活化处理后的固相原料中混合入固相原料总质量的20～100％的调和介...

本发明提供了一种稳定超疏水自清洁表面及其双光束干涉法的制备方法，将抛光、清洗后的铝合金样品固定在加工平台上，采用两个相干激光束干涉叠加的双光束干涉法对铝合金样品表面进行烧蚀，得到具有周期性可控化尺寸微纳复合结构的铝合金样品，最后将铝合金...

本实用新型公开了一种带油水分离功能的家用厨房水槽地漏，包括主壳体、防漏水盖、杂垢过滤器、排水管、排油管、油水分离组件，所述防漏水盖位于杂垢过滤器上方；所述杂垢过滤器上套有过滤网；所述杂垢过滤器位于主壳体内腔上方；所述油水分离组件位于主壳...

本发明公开了一种新型铁路牵引供电系统功率波动与环流抑制的方法，包括以下步骤：首先分析新型铁路牵引供电系统中MMC功率波动机理，建立单/三相MMC交流侧数学模型，其次构建基于复数谐振控制器(CRC)正、负序电压分离技术来提取配网不平衡中的...

一种三维铁电场效应晶体管存储单元、存储器及制备方法，该存储单元包括：栅电极层(4)；所述栅电极层(4)的厚度方向上设置有贯穿的第一通孔(14)；从所述第一通孔(14)的内壁向靠近轴线的方向上，依次覆盖有第一介质层(9)、铁电薄膜层(10...

一种三维铁电存储器及其制备方法，包括：基底(1)和设置在基底(1)上的导电层(2)；导电层(2)上设置的层叠结构包括多层水平且相互交叠排布的隔离层(3)和控制栅电极(4)；多个沟槽孔(11)竖直贯穿层叠结构，且沟槽孔(11)的槽底嵌入导...

一种存储单元、存储单元串、存储器及存储器的制备方法，其中，存储单元，包括：由内至外依次设置的沟道层、隧穿层、电荷俘获层、反铁电薄膜层和控制栅电极；所述控制栅电极用于提供控制电压；所述反铁电薄膜层用于在所述控制电压的作用下增强隧穿层的电场...

一种存储单元、存储器及存储器的制备方法，其中，存储单元，包括：依次设置的第一沟道层、隧穿层、电荷俘获层、反铁电薄膜层和控制栅电极；所述控制栅电极用于提供控制电压；所述反铁电薄膜层用于在所述控制电压的作用下增强隧穿层的电场；所述电荷俘获层...

一种存储单元及其操作方法和制备方法，其中，存储单元包括：衬底、设置在所述衬底中的源极和漏极、堆叠栅和侧墙；所述堆叠栅设置在所述源极和漏极之间的所述衬底上，包括沿远离所述衬底依次设置的隧穿氧化层、电荷俘获层、反铁电薄膜层和栅电极；所述栅电...

本发明公开了一种三维NAND型铁电场效应晶体管存储器，包括：依次层叠设置的基底层、公共源极层、多个选择晶体管、叠构层，及贯穿叠构层的多个通道；所述多个选择晶体管中的每一个选择晶体管由选择栅电极层的一部分以及栅介质层和第一沟道层组成；所述...

一种三维沟槽型铁电存储器及其制备方法，包括基底(1)和设置在基底(1)上的导电层(2)；导电层(2)上设置的层叠结构包括多层水平且交叠排布的隔离层(3)和控制栅电极(4)；多个沟槽型存储单元串(5)竖直贯穿层叠结构，其包括：竖直贯穿层叠...

本发明公开了一种三维NAND铁电存储器及其制备方法，其中，三维NAND铁电存储器，包括：依次层叠设置的基底层(1)、导电层(2)和叠构层，所述叠构层包括交叠设置的多层隔离层和多层控制栅电极层；及多组通道组，多组通道组中每一组均包括两个通...

本发明公开了一种U形铁电场效应晶体管存储单元串、存储器及制备方法。该存储单元串，包括由两个第一柱状结构通过第二柱状结构连接而成形成的U形体、分离层(6)和间隔设置的多层的栅电极(4)；每层所述栅电极(4)，用于包围所述U形体；所述分离层...